公开(公告)号：KR1020060127387A

公开(公告)日：2006-12-12

申请号：KR1020067009950

申请日：2004-12-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하멜린토마스

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/466

Abstract: A substrate holder (20) for supporting a substrate (30). A heating component (50) is positioned adjacent to a supporting surface and between the supporting surface and a cooling component (60). A fluid gap is positioned between the cooling component and the heating component, the fluid gap configured to receive a fluid to increase thermal conduction between the cooling component and the heating component. A brazing material is disposed between the cooling component and the heating component, the brazing material disposed adjacent to the fluid gap.

Abstract translation: 一种用于支撑衬底（30）的衬底保持器（20）。 加热部件（50）定位成与支撑表面相邻并且在支撑表面和冷却部件（60）之间。 流体间隙位于冷却部件和加热部件之间，流体间隙配置成接收流体以增加冷却部件和加热部件之间的热传导。 钎焊材料设置在冷却部件和加热部件之间，钎焊材料邻近流体间隙设置。

公开(公告)号：KR1020060076288A

公开(公告)日：2006-07-04

申请号：KR1020067004660

申请日：2004-09-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈폴 ,  하멜린토마스

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: A substrate holder for supporting a substrate, including an exterior supporting surface, a cooling component, a heating component positioned adjacent to the supporting surface and between the supporting surface and the cooling component, and a contact volume positioned between the heating component and the cooling component, and formed by a first internal surface and a second internal surface. The thermal conductivity between the heating component and the cooling component is increased when the contact volume is provided with a fluid.

Abstract translation: 一种用于支撑基板的基板支架，包括外部支撑表面，冷却部件，邻近支撑表面定位并位于支撑表面与冷却部件之间的加热部件以及定位在加热部件与冷却部件之间的接触体积 并且由第一内表面和第二内表面形成。 当接触体积提供有流体时，加热部件与冷却部件之间的热传导率增加。

公开(公告)号：KR1020130009877A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：KR1020127032433

申请日：2004-11-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 라플레임아더에이치주니어 ,  하멜린토마스 ,  월래스제이

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C25D11/02 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

Abstract: 본 발명에 따르면 화학적 산화물 제거(Chemical Oxide Removal; COR) 처리 시스템이 제공되는데, 이 COR 처리 시스템은 제1 처리 챔버 및 제2 처리 챔버를 포함한다. 제1 처리 챔버는 보호 배리어를 구비하는 온도 제어식 챔버를 제공하는 화학 처리 챔버를 포함한다. 제2 처리 챔버는 보호 배리어를 구비하는 온도 제어식 챔버를 제공하는 열처리 챔버를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120091380A

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020127016038

申请日：2004-11-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 라플레임아더에이치주니어 ,  하멜린토마스 ,  월래스제이

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C25D11/02 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

Abstract: 본 발명에 따르면 화학적 산화물 제거(Chemical Oxide Removal; COR) 처리 시스템이 제공되는데, 이 COR 처리 시스템은 제1 처리 챔버 및 제2 처리 챔버를 포함한다. 제1 처리 챔버는 보호 배리어를 구비하는 온도 제어식 챔버를 제공하는 화학 처리 챔버를 포함한다. 제2 처리 챔버는 보호 배리어를 구비하는 온도 제어식 챔버를 제공하는 열처리 챔버를 포함한다.

公开(公告)号：KR101118863B1

公开(公告)日：2012-03-19

申请号：KR1020067009950

申请日：2004-12-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하멜린토마스

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/466

Abstract: 기판을 지지하는 기판 홀더가 제공된다. 지지면에 인접하여 지지면과 냉각 부재 사이에 가열 부재가 배치된다. 냉각 부재와 가열 부재 사이의 열 전도성을 상승시키기 위해 유체를 수용하도록 구성된 유체 간극이 냉각 부재와 가열 부재 사이에 배치된다. 냉각 부재와 가열 부재 사이에서 유체 간극에 인접하여 브레이징 재료가 배치된다.

公开(公告)号：KR1020060126977A

公开(公告)日：2006-12-11

申请号：KR1020067010679

申请日：2004-11-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 라플레임아더에이치주니어 ,  하멜린토마스 ,  월래스제이

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C25D11/02 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

Abstract: A chemical oxide removal (COR) processing system is presented, wherein the COR processing system includes a first treatment chamber and a second treatment chamber. The first treatment chamber comprises a chemical treatment chamber that provides a temperature controlled chamber having a protective barrier. The second treatment chamber comprises a heat treatment chamber that provides a temperature-controlled chamber having a protective barrier.

Abstract translation: 提出了一种化学氧化物去除（COR）处理系统，其中COR处理系统包括第一处理室和第二处理室。 第一处理室包括化学处理室，其提供具有保护屏障的温度控制室。 第二处理室包括提供具有保护屏障的温度控制室的热处理室。

公开(公告)号：KR101569956B1

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：KR1020117004516

申请日：2009-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 월래스제이알 ,  하멜린토마스 ,  다카하시히로유키 ,  라플람아서에이치 ,  휘만그레고리알

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67742

Abstract: 복수의기판을처리하기위한화학처리시스템및 열처리시스템을구비하는고생산성의처리시스템이개시되어있다. 화학처리시스템은건식비플라즈마환경에서복수의기판을화학적으로처리하도록구성되어있다. 열처리시스템은화학처리시스템에서화학적으로처리된복수의기판을열적으로처리하도록구성되어있다.

公开(公告)号：KR101374332B1

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：KR1020127032433

申请日：2004-11-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 라플레임아더에이치주니어 ,  하멜린토마스 ,  월래스제이

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C25D11/02 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

Abstract: 본발명에따르면화학적산화물제거(Chemical Oxide Removal; COR) 처리시스템이제공되는데, 이 COR 처리시스템은제1 처리챔버및 제2 처리챔버를포함한다. 제1 처리챔버는보호배리어를구비하는온도제어식챔버를제공하는화학처리챔버를포함한다. 제2 처리챔버는보호배리어를구비하는온도제어식챔버를제공하는열처리챔버를포함한다.

公开(公告)号：KR101313426B1

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：KR1020087026344

申请日：2007-02-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠카모토유지 ,  구도야스히스 ,  하멜린토마스

IPC: H01L21/3105 ,  C23F1/00

CPC classification number: H01L21/6875

Abstract: 본 출원은 포토레지스트와 에칭 프로세스 동안에 형성된 에칭 잔류물을 제거하기 위한 에칭후 처리 시스템에 대해 설명하고 있다. 예컨대, 에칭 잔류물은 할로겐 함유 물질을 포함할 수 있다. 에칭후 처리 시스템은, 진공 챔버와, 이 진공 챔버에 연결된 라디칼 발생 시스템과, 이 라디칼 발생 시스템에 연결되고 반응성 라디칼을 기판 위로 분배하도록 구성되어 있는 라디칼 분배 시스템, 그리고 진공 챔버에 연결되고 기판을 지지하도록 구성되어 있는 고온 받침대를 포함한다. 고온 받침대는 기판의 미끄러짐을 최소화하도록 구성되어 있는 스코어링 가공된 상면을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110040957A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：KR1020117004516

申请日：2009-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 월래스제이알 ,  하멜린토마스 ,  다카하시히로유키 ,  라플람아서에이치 ,  휘만그레고리알

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76825

Abstract: 복수의 기판을 처리하기 위한 화학 처리 시스템 및 열처리 시스템을 구비하는 고생산성의 처리 시스템이 개시되어 있다. 화학 처리 시스템은 건식 비플라즈마 환경에서 복수의 기판을 화학적으로 처리하도록 구성되어 있다. 열처리 시스템은 화학 처리 시스템에서 화학적으로 처리된 복수의 기판을 열적으로 처리하도록 구성되어 있다.