公开(公告)号：KR1020150027715A

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：KR1020140116223

申请日：2014-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카마다토미코 ,  오오타케히로토

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 상이한 밀도의 영역을 동등한 에칭 레이트로 에칭 가능한 플라즈마 처리 방법을 제공한다. 표면파 플라즈마를 이용하여 에칭할 경우에, 각 층의 재료는 모두 Si 및 N를 함유하고, 그 처리 가스는 하이드로 플루오르 카본 가스, 희가스 및 산소 가스를 포함하고, 기판측의 소정 개소에 고주파 바이어스 전위를 인가한다. 고주파 바이어스 전위를 생성하고, 기판의 단위 면적당 부여되는 전력은 0 W/m
2 이상, 400 W/m
2 이하이다.

Abstract translation: 提供了一种用于处理等离子体的方法，其可以以相同的蚀刻速率蚀刻其密度不均匀的区域。 当使用表面波等离子体进行蚀刻时，各层的所有材料都含有Si和N，并且处理气体含有氢氟烃气体，稀有气体和氧气，并且将高频偏置电位施加到基板中的给定位置 。 产生高频偏置电位，并且施加到衬底中的单位面积的功率为0W / m 2至400W / m 2。

公开(公告)号：KR1020140132688A

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：KR1020140054025

申请日：2014-05-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카마다토미코 ,  키타무라아키노리 ,  오오타케히로토 ,  오사다유타카 ,  오츠카유지 ,  고노마사유키 ,  타키노유스케 ,  스즈키에이지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02057 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 높은 균일성으로 등방성 에칭을 실현한다. 일실시예에 따른 에칭 방법은, 실리콘을 포함하는 피에칭층의 플라즈마 에칭 방법으로서, 피에칭층을 가지는 피처리체를 처리 용기 내에 준비하는 공정과, 산소를 포함하지 않고, 플루오르 카본 가스 또는 플루오르 하이드로 카본 가스를 포함하는 제 1 처리 가스의 플라즈마를 생성하고, 피에칭층의 표면의 산화막을 제거하는 공정과, 산소를 포함하지 않는 제 2 처리 가스의 플라즈마를 생성하고, 산화막을 제거하는 공정에서 생성된 탄소계의 반응 생성물을 제거하는 공정과, 플루오르 카본 가스 또는 플루오르 하이드로 카본 가스를 포함하는 제 3 처리 가스의 플라즈마를 마이크로파를 이용하여 생성하고, 피처리체를 재치하는 재치대를 구성하는 하부 전극에 고주파 바이어스 전력을 인가하지 않고 피에칭층을 에칭하는 공정을 포함한다.

Abstract translation: 各向同性蚀刻形成均匀性高。 根据实施例，包括硅的蚀刻层的等离子体蚀刻方法包括：在容器中制备具有蚀刻层的蚀刻对象的工艺; 产生包含不含氧的氟碳氢气或氟碳气体的第一处理气体的等离子体的处理，以及去除蚀刻层的表面上的氧化膜; 产生不含氧的第二处理气体的等离子体的处理，以及去除在氧化层去除工序中产生的碳反应产物的工序; 以及通过使用微波产生包括氟碳氢气体或氟碳气体的第三处理气体的等离子体的处理，并且蚀刻蚀刻层而不对形成被蚀刻物体的放置台的下部电极施加高频偏置功率 放置。

公开(公告)号：KR1020140054043A

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：KR1020147003510

申请日：2012-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카마다토미코 ,  하야시테루유키 ,  오노유지

IPC: C23C14/54 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/546 ,  H01L51/001

Abstract: 성막 처리에서 막 두께 측정에 이용되는 수정 진동자의 장기 수명화를 도모하는 것에 있다. 또한, 복수 종류의 재료 가스를 이용하여 성막을 행할 시, 개별의 재료 가스에 대한 성막량과 혼합 가스에 대한 성막량의 관계성에 기초하여 막 두께 제어를 행하는 것이 가능한 성막 장치 및 성막 방법을 제공한다. 기판에 박막을 성막시키는 성막 장치로서, 캐리어 가스 및 재료 가스를 공급하는 감압 가능한 재료 공급부와, 상기 기판의 상면에 재료 가스를 분사시키는 헤드를 구비하고, 상기 재료 공급부와 상기 헤드는 재료 가스 공급로를 개재하여 연통하고, 상기 재료 가스 공급로에는, 재료 가스 공급로로부터 분기하는 분기 유로가 설치되고, 상기 분기 유로에는 재료 가스의 성막량을 측정하는 측정 장치가 접속되어 있는 성막 장치가 제공된다.