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公开(公告)号：KR1020150038637A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020157006156
申请日：2013-07-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3213 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/311 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32449 , H01J2237/327 , H01J2237/334 , H01L21/0273 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L27/11524 , H01L21/32136 , H01L21/3065
Abstract: 일실시예에서는, 제 1 유전율을갖는제 1 막과제 2 유전율을갖는제 2 막이교대로적층됨으로써형성된다층막을에칭하는방법이제공된다. 이방법은, (a) 처리용기내에에천트가스를공급하고, 처리용기내에마이크로파를공급함으로써해당에천트가스의플라즈마를여기해서, 다층막을에칭하는공정과, (b) 처리용기내에산소함유가스및 플루오로카본계가스를공급하고, 마이크로파를공급함으로써산소함유가스및 플루오로카본계가스의플라즈마를여기해서, 레지스트마스크를축소시키는공정을포함한다. 본방법에서는공정 (a)과공정 (b)가교대로반복된다.
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公开(公告)号：KR1020140132688A
公开(公告)日：2014-11-18
申请号：KR1020140054025
申请日：2014-05-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J2237/334 , H01L21/02057 , H01L29/66545 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: 높은 균일성으로 등방성 에칭을 실현한다. 일실시예에 따른 에칭 방법은, 실리콘을 포함하는 피에칭층의 플라즈마 에칭 방법으로서, 피에칭층을 가지는 피처리체를 처리 용기 내에 준비하는 공정과, 산소를 포함하지 않고, 플루오르 카본 가스 또는 플루오르 하이드로 카본 가스를 포함하는 제 1 처리 가스의 플라즈마를 생성하고, 피에칭층의 표면의 산화막을 제거하는 공정과, 산소를 포함하지 않는 제 2 처리 가스의 플라즈마를 생성하고, 산화막을 제거하는 공정에서 생성된 탄소계의 반응 생성물을 제거하는 공정과, 플루오르 카본 가스 또는 플루오르 하이드로 카본 가스를 포함하는 제 3 처리 가스의 플라즈마를 마이크로파를 이용하여 생성하고, 피처리체를 재치하는 재치대를 구성하는 하부 전극에 고주파 바이어스 전력을 인가하지 않고 피에칭층을 에칭하는 공정을 포함한다.
Abstract translation: 各向同性蚀刻形成均匀性高。 根据实施例，包括硅的蚀刻层的等离子体蚀刻方法包括：在容器中制备具有蚀刻层的蚀刻对象的工艺; 产生包含不含氧的氟碳氢气或氟碳气体的第一处理气体的等离子体的处理，以及去除蚀刻层的表面上的氧化膜; 产生不含氧的第二处理气体的等离子体的处理，以及去除在氧化层去除工序中产生的碳反应产物的工序; 以及通过使用微波产生包括氟碳氢气体或氟碳气体的第三处理气体的等离子体的处理，并且蚀刻蚀刻层而不对形成被蚀刻物体的放置台的下部电极施加高频偏置功率 放置。
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公开(公告)号：KR1020130028873A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：KR1020120100351
申请日：2012-09-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32136 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/32247
Abstract: PURPOSE: A dry metal etching method is provided to etch aluminum, aluminum alloy, and aluminum oxide which are formed on a substrate. CONSTITUTION: A substrate including an aluminum layer is placed in a plasma processing system(210). Plasma is generated from process composition containing halogen(220). The aluminum layer is etched by plasma(230). The surface of the aluminum layer is oxidized under an oxygen atmosphere(240). The etching rate of the aluminum layer is controlled by an oxidation process. [Reference numerals] (210) Step of arranging a substrate including an aluminum layer in a plasma processing system; (220) Step of generating plasma from a process composition containing halogen; (230) Step of etching the aluminum layer by exposing the substrate to the plasma; (240) Step of exposing the substrate to an Oxygen-containing environment
Abstract translation: 目的：提供一种干法蚀刻方法来蚀刻形成在基底上的铝，铝合金和氧化铝。 构成：将包括铝层的基板放置在等离子体处理系统（210）中。 等离子体由含有卤素（220）的工艺组合物产生。 通过等离子体（230）蚀刻铝层。 铝层的表面在氧气氛（240）下被氧化。 通过氧化工艺控制铝层的蚀刻速率。 （附图标记）（210）在等离子体处理系统中配置包括铝层的基板的工序; （220）从含有卤素的工艺组合物产生等离子体的步骤; （230）通过将衬底暴露于等离子体来蚀刻铝层的步骤; （240）将基板暴露于含氧环境的步骤
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150068327A
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020140177525
申请日：2014-12-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01L21/02057 , H01L21/31116
Abstract: 실리콘층및 이실리콘층상에설치된마스크를갖는피처리체의표면에형성된산화막을제거하여, 상기실리콘층을에칭하는방법이제공된다. 이방법은, 피처리체를수용한처리용기내에서, 수소, 질소및 불소를함유하는제1 처리가스의플라즈마를생성하고, 산화막을변질시켜, 변질영역을형성하는공정(a), 처리용기내에서희가스의플라즈마를생성하여, 변질영역을제거하는공정(b1)과, 처리용기내에서제2 처리가스의플라즈마를생성하여, 실리콘층을에칭하는공정(c)을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种通过去除形成在具有硅层的待处理物体的表面上的氧化膜和安装在硅层上的掩模来蚀刻硅层的方法，包括：（a）形成退化的 通过使氧化膜退化并在容纳待处理物体的处理容器内产生含有氢，氮和氟的第一工艺气体的等离子体; （b1）通过在处理容器内产生稀有气体的等离子体来除去退化区的工序; 和（c）通过在处理容器内产生第二工艺气体的等离子体来蚀刻硅层的步骤。
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公开(公告)号：KR102054017B1
公开(公告)日：2019-12-09
申请号：KR1020120100351
申请日：2012-09-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
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公开(公告)号：KR101950548B1
公开(公告)日：2019-04-22
申请号：KR1020157006156
申请日：2013-07-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01J37/32 , H01L27/11524
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公开(公告)号：KR101755077B1
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：KR1020140113923
申请日：2014-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H05H1/46
CPC classification number: H01L29/66795 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J37/32862 , H01J37/32926 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 산화실리콘으로구성된제1 영역과실리콘으로구성된제2 영역을갖는피처리체로부터제1 영역을선택적으로제거하는방법이제공된다. 이방법은복수회의시퀀스를실시한다. 각시퀀스는, 피처리체를수용한처리용기내에서, 수소, 질소및 불소를함유하는처리가스의플라즈마를생성하여, 제1 영역의일부를변질시켜, 변질영역을형성하는공정(a)과, 처리용기내에서변질영역을제거하는공정(b)을포함한다. 또한, 복수회의시퀀스중 첫회보다나중의정해진횟수이후의시퀀스가, 변질영역을형성하는공정(a) 전에, 처리용기내에서발생시킨환원성가스의플라즈마에피처리체를노출하는공정(c)을더 포함한다.
Abstract translation: 提供了从具有由氧化硅构成的第一区域和由硅构成的第二区域的待加工物体选择性地去除第一区域的方法。 该方法执行多个序列。 每个序列是在一个处理容器容纳的目标对象，并且生成所述含有处理气体的氢，氮和氟的等离子体，从而劣化第一区域的一部分，所述步骤（a）以形成改变的区域中， 和（b）去除处理容器中的改变区域。 此外，工件暴露于它是在处理容器中产生后序列的给定数量后的序列的多次的多个第一时间的还原气体的等离子体，所述步骤之前的步骤（a），以形成退化区域（c）包括euldeo 的。
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公开(公告)号：KR1020150026962A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020140113923
申请日：2014-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H05H1/46
CPC classification number: H01L29/66795 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J37/32862 , H01J37/32926 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 산화실리콘으로 구성된 제1 영역과 실리콘으로 구성된 제2 영역을 갖는 피처리체로부터 제1 영역을 선택적으로 제거하는 방법이 제공된다. 이 방법은 복수 회의 시퀀스를 실시한다. 각 시퀀스는, 피처리체를 수용한 처리 용기 내에서, 수소, 질소 및 불소를 함유하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하여, 제1 영역의 일부를 변질시켜, 변질 영역을 형성하는 공정(a)과, 처리 용기 내에서 변질 영역을 제거하는 공정(b)을 포함한다. 또한, 복수 회의 시퀀스 중 첫회보다 나중의 정해진 횟수 이후의 시퀀스가, 변질 영역을 형성하는 공정(a) 전에, 처리 용기 내에서 발생시킨 환원성 가스의 플라즈마에 피처리체를 노출하는 공정(c)을 더 포함한다.
Abstract translation: 在本发明中提供了一种用于从具有由硅氧化物构成的第一区域和由硅组成的第二区域的被处理物体中选择性地去除第一区域的方法。 该方法执行多个序列。 每个序列包括（a）通过在容纳待处理物体的处理容器内产生含有氢，氮和氟的处理气体的等离子体来形成劣化区域的过程，并使第一区域的一部分劣化; 和（b）除去加工容器内的劣化区域的处理。 此外，在多个序列之后的比第一序列晚的确定序列之后的序列还包括（c）在成形处理（a）之前将待处理物体暴露于在处理容器内产生的还原气体的等离子体的处理 恶化地区。
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