公开(公告)号：KR1020020073261A

公开(公告)日：2002-09-23

申请号：KR1020020012824

申请日：2002-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 코니시노부오 ,  이와시타미쯔아키 ,  오오노히로키 ,  카와무라시게루 ,  스기우라마사히토

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76837 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

Abstract: PURPOSE: A film forming method and a film forming device are provided to enhance an adhering property between films such as layer-to-layer insulating films having a low dielectric constant or between the layer-to-layer insulating films and other adjacent films. CONSTITUTION: A film forming method comprises a step for applying a reforming treatment onto a surface of a porous or non-porous low dielectric constant insulating layer(46) formed on a substrate; and a step for forming the insulating layer(47), as an etching mask or a CMP stopper, on the surface of the porous or non-porous low dielectric constant insulation layer(46) applied with the reforming treatment. A surface roughness of the porous or non-porous low dielectric constant insulating layer(46) is increased by irradiating plasma as the reforming treatment.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法和成膜装置，以提高诸如具有低介电常数的层间绝缘膜之间或层间绝缘膜与其它相邻膜之间的膜之间的粘合性能。 构成：成膜方法包括将重整处理施加到形成在基板上的多孔或非多孔低介电常数绝缘层（46）的表面上的步骤; 以及在施加了重整处理的多孔或无孔低介电常数绝缘层（46）的表面上形成作为蚀刻掩模或CMP阻挡层的绝缘层（47）的步骤。 通过照射等离子体作为重整处理来增加多孔或无孔低介电常数绝缘层（46）的表面粗糙度。

公开(公告)号：KR1020080063730A

公开(公告)日：2008-07-07

申请号：KR1020080049193

申请日：2008-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 코시니노부오 ,  이와시타미쯔아키 ,  오오노히로키 ,  카와무라시게루 ,  스기우라마사히토

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76837 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

Abstract: A method and an apparatus for forming films are provided to enhance productivity and reduce the number of ultraviolet lamps by radiating ultraviolet rays while carrying wafers. An apparatus for forming films includes a rotation unit, a supply unit, and a radiation unit(50). The rotation unit supports and rotates a substrate. The supply unit supplies insulation film materials on the substrate while rotating the substrate by the rotation unit. The radiation unit radiates plasma on a surface of an insulation film formed on the substrates by the supply unit while rotating the substrate by the rotation unit. The radiation unit is a plasma generator using inductively coupled plasma.

Abstract translation: 提供了一种用于形成膜的方法和装置，以便在携带晶片的同时通过辐射紫外线来提高生产率并减少紫外线灯的数量。 一种用于形成膜的设备包括旋转单元，供应单元和辐射单元（50）。 旋转单元支撑并旋转衬底。 供给单元在通过旋转单元旋转基板的同时在基板上提供绝缘膜材料。 辐射单元在通过旋转单元旋转基板的同时通过供给单元在形成在基板上的绝缘膜的表面上辐射等离子体。 辐射单元是使用电感耦合等离子体的等离子体发生器。

公开(公告)号：KR100897779B1

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：KR1020080049193

申请日：2008-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 코시니노부오 ,  이와시타미쯔아키 ,  오오노히로키 ,  카와무라시게루 ,  스기우라마사히토

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76837 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

Abstract: 본 발명은 기판상에 형성된 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면에 개질처리를 실시하는 공정과, 상기 개질처리가 실시된 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면에 에칭 마스크 또한, CMP 스토퍼로서 절연막을 형성하는 공정을 구비한다. 상기 개질처리로서, 예를 들면 플라즈마를 조사함으로써 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면 거칠기가 증가하여, 소위 앵커 효과에 의하여 막 상호간 또한, 층간 절연막과 인접하는 다른 막 상호간의 접착성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100897771B1

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：KR1020020012824

申请日：2002-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 코니시노부오 ,  이와시타미쯔아키 ,  오오노히로키 ,  카와무라시게루 ,  스기우라마사히토

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76837 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

Abstract: 본 발명은 기판상에 형성된 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면에 개질처리를 실시하는 공정과, 상기 개질처리가 실시된 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면에 에칭 마스크 또한, CMP 스토퍼로서 절연막을 형성하는 공정을 구비한다. 상기 개질처리로서, 예를 들면 플라즈마를 조사함으로써 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면 거칠기가 증가하여, 소위 앵커 효과에 의하여 막 상호간 또한, 층간 절연막과 인접하는 다른 막 상호간의 접착성을 향상시킬 수 있다.

Abstract translation: 本发明还提供了一种制造半导体器件的方法，包括：对形成在衬底上的多孔非多孔低介电常数绝缘膜的表面进行改性处理的步骤; 并且形成绝缘膜作为挡块的步骤。 作为改性处理，例如通过照射等离子体，多孔低介电常数介电膜的表面粗糙度增加，并且通过所谓的等离子体改善了与层间介电膜相邻的膜之间的粘附性， 可以。