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公开(公告)号：KR1020080063730A
公开(公告)日：2008-07-07
申请号：KR1020080049193
申请日：2008-05-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/76837 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76829
Abstract: A method and an apparatus for forming films are provided to enhance productivity and reduce the number of ultraviolet lamps by radiating ultraviolet rays while carrying wafers. An apparatus for forming films includes a rotation unit, a supply unit, and a radiation unit(50). The rotation unit supports and rotates a substrate. The supply unit supplies insulation film materials on the substrate while rotating the substrate by the rotation unit. The radiation unit radiates plasma on a surface of an insulation film formed on the substrates by the supply unit while rotating the substrate by the rotation unit. The radiation unit is a plasma generator using inductively coupled plasma.
Abstract translation: 提供了一种用于形成膜的方法和装置，以便在携带晶片的同时通过辐射紫外线来提高生产率并减少紫外线灯的数量。 一种用于形成膜的设备包括旋转单元，供应单元和辐射单元（50）。 旋转单元支撑并旋转衬底。 供给单元在通过旋转单元旋转基板的同时在基板上提供绝缘膜材料。 辐射单元在通过旋转单元旋转基板的同时通过供给单元在形成在基板上的绝缘膜的表面上辐射等离子体。 辐射单元是使用电感耦合等离子体的等离子体发生器。
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公开(公告)号：KR100677965B1
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020000063957
申请日：2000-10-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02071 , G03F7/405 , H01L21/6708 , H01L21/76814
Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로써, 금속층을 가지는 기판에 부착한 폴리머층과 금속부착물을 제거하는 방법에 관한 것이다. 우선 불활성가스 분위기 속에서 약제로 폴리머층을 제거한다. 이후 불활성가스 분위기 속으로 미량의 산소를 도입하여 금속부착물을 산화시키고, 산화된 금속부착물을 약제로 제거하는 기술이 제시된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020073261A
公开(公告)日：2002-09-23
申请号：KR1020020012824
申请日：2002-03-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76837 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76829
Abstract: PURPOSE: A film forming method and a film forming device are provided to enhance an adhering property between films such as layer-to-layer insulating films having a low dielectric constant or between the layer-to-layer insulating films and other adjacent films. CONSTITUTION: A film forming method comprises a step for applying a reforming treatment onto a surface of a porous or non-porous low dielectric constant insulating layer(46) formed on a substrate; and a step for forming the insulating layer(47), as an etching mask or a CMP stopper, on the surface of the porous or non-porous low dielectric constant insulation layer(46) applied with the reforming treatment. A surface roughness of the porous or non-porous low dielectric constant insulating layer(46) is increased by irradiating plasma as the reforming treatment.
Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法和成膜装置，以提高诸如具有低介电常数的层间绝缘膜之间或层间绝缘膜与其它相邻膜之间的膜之间的粘合性能。 构成：成膜方法包括将重整处理施加到形成在基板上的多孔或非多孔低介电常数绝缘层（46）的表面上的步骤; 以及在施加了重整处理的多孔或无孔低介电常数绝缘层（46）的表面上形成作为蚀刻掩模或CMP阻挡层的绝缘层（47）的步骤。 通过照射等离子体作为重整处理来增加多孔或无孔低介电常数绝缘层（46）的表面粗糙度。
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公开(公告)号：KR1020010051335A
公开(公告)日：2001-06-25
申请号：KR1020000063957
申请日：2000-10-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02071 , G03F7/405 , H01L21/6708 , H01L21/76814
Abstract: PURPOSE: A substrate treating method and a substrate treating equipment is provided to eliminate metal sticking to a substrate, without damaging the metal layer. CONSTITUTION: When metal deposit adhering to a substrate(W) having a metal layer is eliminated by using treatment liquid, the substrate(W) is inserted in a chamber(8), a prescribed amount of inert gas and oxygen containing gas are introduced in the chamber(8), oxygen atmosphere having a prescribed concentration is formed in the chamber(8), the treatment liquid is supplied to the chamber, and the deposit which is oxidized by oxygen in the atmosphere in the chamber is dissolved and removed.
Abstract translation: 目的：提供基板处理方法和基板处理设备，以消除金属粘附到基板上而不损坏金属层。 构成：通过使用处理液除去附着在具有金属层的基板（W）上的金属沉积物时，将基板（W）插入室（8）中，将规定量的惰性气体和含氧气体引入 在室（8）中形成具有规定浓度的氧气氛，将处理液供给到室内，并将溶解并除去室内的气氛中的氧被氧化的沉积物。
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公开(公告)号：KR100897779B1
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020080049193
申请日：2008-05-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/76837 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76829
Abstract: 본 발명은 기판상에 형성된 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면에 개질처리를 실시하는 공정과, 상기 개질처리가 실시된 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면에 에칭 마스크 또한, CMP 스토퍼로서 절연막을 형성하는 공정을 구비한다. 상기 개질처리로서, 예를 들면 플라즈마를 조사함으로써 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면 거칠기가 증가하여, 소위 앵커 효과에 의하여 막 상호간 또한, 층간 절연막과 인접하는 다른 막 상호간의 접착성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100897771B1
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020020012824
申请日：2002-03-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76837 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76829
Abstract: 본 발명은 기판상에 형성된 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면에 개질처리를 실시하는 공정과, 상기 개질처리가 실시된 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면에 에칭 마스크 또한, CMP 스토퍼로서 절연막을 형성하는 공정을 구비한다. 상기 개질처리로서, 예를 들면 플라즈마를 조사함으로써 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면 거칠기가 증가하여, 소위 앵커 효과에 의하여 막 상호간 또한, 층간 절연막과 인접하는 다른 막 상호간의 접착성을 향상시킬 수 있다.
Abstract translation: 本发明还提供了一种制造半导体器件的方法，包括：对形成在衬底上的多孔非多孔低介电常数绝缘膜的表面进行改性处理的步骤; 并且形成绝缘膜作为挡块的步骤。 作为改性处理，例如通过照射等离子体，多孔低介电常数介电膜的表面粗糙度增加，并且通过所谓的等离子体改善了与层间介电膜相邻的膜之间的粘附性， 可以。
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公开(公告)号：KR1020010039694A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1020000036288
申请日：2000-06-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B01J19/1887 , B05C11/08 , H01L21/31133
Abstract: PURPOSE: Provided is a substrate treatment method without damages, when manufacturing a metal wiring, especially copper wiring. CONSTITUTION: In the water treatment method, a photoresist film(104) is formed on a wafer(W) where a copper film(101), an SiN film(102), and a low-k film(103) are formed successively, dry etching is made with the photoresist film(104) as an etching mask, a contact hole(105) is formed, and the photoresist film(104) and a sidewall protective film(polymer film,106) are eliminated(wet-treated) by a resist polymer removing liquid in an inner treatment chamber.
Abstract translation: 目的：制造金属布线，特别是铜布线时，不需要损坏的基板处理方法。 构成：在水处理方法中，在连续形成铜膜（101），SiN膜（102）和低k膜（103）的晶片（W）上形成光致抗蚀剂膜（104） 用光致抗蚀剂膜（104）作为蚀刻掩模进行干蚀刻，形成接触孔（105），并且去除（湿处理）光致抗蚀剂膜（104）和侧壁保护膜（聚合物膜106） 通过在内部处理室中的抗蚀剂聚合物去除液体。
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