公开(公告)号：KR101094982B1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：KR1020107019000

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  다카이카즈토 ,  코레이카 ,  오카야마노부유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 플라즈마 에칭 처리 장치(11)는, 그 위에 반도체 기판(W)을 보지하는 보지대(14)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 영역을 가열하는 제 1 히터(18a)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 주변에 위치하는 단부의 영역을 가열하는 제 2 히터(18b)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 영역을 향하여 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부 및 단부의 영역의 온도를 상이하게 하도록 제 1 및 제 2 히터(18a, 18b)를 제어하여 반도체 기판(W)의 플라즈마 에칭 처리를 행하는 제어부(20)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020100105787A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：KR1020107019000

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  다카이카즈토 ,  코레이카 ,  오카야마노부유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 플라즈마 에칭 처리 장치(11)는, 그 위에 반도체 기판(W)을 보지하는 보지대(14)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 영역을 가열하는 제 1 히터(18a)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 주변에 위치하는 단부의 영역을 가열하는 제 2 히터(18b)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 영역을 향하여 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부 및 단부의 영역의 온도를 상이하게 하도록 제 1 및 제 2 히터(18a, 18b)를 제어하여 반도체 기판(W)의 플라즈마 에칭 처리를 행하는 제어부(20)를 구비한다.