公开(公告)号：KR1020140117290A

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：KR1020140033954

申请日：2014-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카야마노부유키 ,  가자마고이치 ,  우다슈이치로 ,  야마다사토시 ,  후치가미신지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45574

Abstract: Provided is a shower head of a plasma processing apparatus which reduces a difference of the amount of gas injected from gas injection holes connected to the same gas diffusion chamber and reduces time difference until a gas is injected from the gas injection hole of a corresponding region after the gas is supplied to different gas supply paths. In a shower head of an embodiment, gas injection holes are prepared in regions, respectively. A process gas is supplied from each gas supply path in the regions. Each gas supply path includes three gas diffusion chambers between an upper class and a lower class.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置的喷头，其减少了从与相同的气体扩散室连接的气体注入孔喷射的气体的量的差异，并且减少了从相应区域的气体注入孔注入气体直至从其后的相应区域的气体注入孔注入气体 气体供应到不同的气体供应路径。 在一个实施例的喷头中，分别在区域中制备气体注入孔。 从各区域的各气体供给路径供给处理气体。 每个气体供给路径包括上级和下级之间的三个气体扩散室。

公开(公告)号：KR100536313B1

公开(公告)日：2005-12-12

申请号：KR1020007009890

申请日：1999-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마노리카즈 ,  오카야마노부유키 ,  사에구사히데히토 ,  오자와준

IPC: H01L21/3063

Abstract: 본 발명은 기밀한 처리 용기(102)와, 처리 용기(102)내의 가스를 배기하는 배기계(128)와, 대상물에 대하여 소정의 처리가 실시되는 처리 공간(122)과 배기계(128)에 연통하는 배기 경로(124)에 처리 용기(102)내를 구획하는 배플판(120)을 구비한 처리 장치(100)에 있어서, 배플판(120)에는 처리 공간(122)과 배기 경로(124)를 연통시키는 복수의 슬릿(120a)이 형성되고, 각 슬릿(120a)의 처리 공간측의 내면 부위에는 슬릿의 깊이의 1/4 이상에 걸쳐서 테이퍼 면(132)이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020010006005A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019997009083

申请日：1998-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카야마노부유키 ,  사에구사히데히토 ,  오자와준 ,  하야시다이스케 ,  다카야마나오키 ,  가자마고이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32477 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/532 ,  Y10T29/53204

Abstract: 본발명은, 가스토출구멍에착탈및 위치결정이용이하고내플라즈마성이우수한절연부재를끼워장착한처리장치를제공한다. 본발명에있어서, 에칭장치(100)의상부전극(128)에배치된가스토출구멍 (128a)은절연부재(144)의외형형상에대응한형상으로형성된다. 절연부재(144)는폴리에테르에테르케톤이나폴리이미드나폴리에테르이미드로이루어지고, 그외부표면에단부(144a)가형성된다. 절연부재(144)의긴 쪽방향의길이는가스토출구멍(128a)의긴 쪽방향의길이보다짧게형성된다. 절연부재(144)내에는그 긴쪽 방향을따라관통구멍(144d)이설치됨과더불어, 관통구멍(144d)의처리실(102)측개구부부근이처리실(102)측으로향하여직경이확대되는거의테이퍼모양으로형성된다. 절연부재(144)를가스토출구멍(128a)내에가스토출구멍(128a)의취출구측으로부터삽입하고, 단부(144a)와가스토출구멍(128a) 내벽에형성된견부(128b)가맞추어지도록절연부재(144)를밀어넣고끼워장착시킨다. 이때, 절연부재(144)는상부전극의서셉터(110)측의면보다도돌출하여배치된다.

公开(公告)号：KR101324589B1

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：KR1020127010099

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와와타루 ,  모야마카즈키 ,  오카야마노부유키 ,  스도우켄지 ,  오츠카야스히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 랩핑 가공에 의해 접촉면의 평활성을 유지하고, 그리고 접촉면을 대략 오목 형상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 안정적으로 보유지지(holding)할 수 있는 시료대 및 당해 시료대를 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리가 행해질 반도체 웨이퍼(W)를 보유지지하는 시료대(2)에 있어서, 랩핑 가공이 행해져 있고, 반도체 웨이퍼(W)가 면접촉하는 접촉면을 갖고, 당해 접촉면에 면접촉한 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착판과, 당해 흡착판의 비접촉면이 접착된 오목면을 갖는 지지 기판을 구비하고, 상기 오목면의 대략 중앙부의 깊이와, 당해 중앙부로부터 이격된 이격 부위의 깊이와의 차이는, 당해 중앙부에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와, 상기 이격 부위에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와의 차이보다도 크게 구성한다. 또한, 시료대(2)를 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 구비한다.

公开(公告)号：KR100914589B1

公开(公告)日：2009-08-31

申请号：KR1020070104008

申请日：2007-10-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마히데키 ,  오카야마노부유키 ,  나가야마노부유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32559 ,  H01J2237/2007 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68757

Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 가동 비용을 감소시키고 장치의 가동률을 향상시키는 것이 가능한 기판 탑재대에 관한 것이다. 기판 탑재대로서의 하부 전극이 장치의 챔버 내에 배치되고, 하부전극 내에 정전 척이 통합되어 있다. 정전 척의 측벽 상에 용사 피막으로서 1000 내지 2000㎛ 범위의 막 두께를 갖는 예컨대 산화이트륨 막 등의 주기율표의 3A족 원소의 산화막이 형성된다.

公开(公告)号：KR100743277B1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：KR1020037015325

申请日：2002-05-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무토신지 ,  다구치치히로 ,  오카야마노부유키

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C4/02 ,  C23C4/18 ,  H01L21/6833 ,  Y10T279/23

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 서셉터(10), 즉 기판 테이블의 정전 척(12)이 세라믹 용사에 의해 형성된다. 세라믹 용사층(12A)은 메타크릴 수지(12D)에 의해 봉공된다. 메크릴산메틸을 주 성분으로 하는 수지 원료액을 세라믹 용사층에 도포 함침시켜, 그것을 경화시킴으로써, 세라믹 용사층의 세라믹 입자간의 기공을 메타크릴 수지에 의해 충전시킨다. 메타크릴 수지 원료액은 경화시에 기공을 발생시키지 않는 완전한 봉공 처리를 실행할 수 있다.
플라즈마 처리 장치, 기판 테이블, 봉공

公开(公告)号：KR100585436B1

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：KR1020047004313

申请日：2002-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마노리카즈 ,  사에구사히데히토 ,  오카야마노부유키 ,  이무로슌이치 ,  이마후쿠고스케 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고지 ,  나카야마히로유키 ,  후앙야후이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C03C15/02 ,  C03B29/025 ,  C03C19/00 ,  Y02P40/57

Abstract: A member of processing a quartz member for a plasma processing device capable of suppressing the production of particles at the beginning of the use thereof and the production of chips thereafter, the quartz member for the plasma processing device, and the plasma processing device having the quartz member mounted thereon, the method comprising the steps of removing a large number of cracks 155 produced, after a diamond grinding, in the quartz member 151 for the plasma processing device used for a shield ring and a focus ring by performing a surface processing with abrasive grains of, for example, #320 to 400 in grain size, and performing the surface processing by using abrasive grains of smaller grain size to remove ruptured layers 163 while maintaining irregularities capable of adhering and holding deposit thereto.

公开(公告)号：KR101341371B1

公开(公告)日：2013-12-13

申请号：KR1020127019599

申请日：2009-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카야마노부유키 ,  마츠모토나오키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32192

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는 처리 용기(12) 내로 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)를 구비한다. 반응 가스 공급부(13)는 유전체판(16)의 중앙부에 설치되어 있으며 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)의 중앙 영역을 향하여 직하 방향으로 반응 가스를 공급하는 제 1 반응 가스 공급부(61)와, 보지대(14) 상에 보지된 피처리 기판(W)의 직상 영역을 피한 위치이고 보지대(14)의 직상 영역에 설치되어 있으며 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)을 향하여 경사 방향으로 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급부(62)를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120098931A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：KR1020127019599

申请日：2009-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카야마노부유키 ,  마츠모토나오키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32192

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는 처리 용기(12) 내로 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)를 구비한다. 반응 가스 공급부(13)는 유전체판(16)의 중앙부에 설치되어 있으며 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)의 중앙 영역을 향하여 직하 방향으로 반응 가스를 공급하는 제 1 반응 가스 공급부(61)와, 보지대(14) 상에 보지된 피처리 기판(W)의 직상 영역을 피한 위치이고 보지대(14)의 직상 영역에 설치되어 있으며 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)을 향하여 경사 방향으로 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급부(62)를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120060889A

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：KR1020127010099

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와와타루 ,  모야마카즈키 ,  오카야마노부유키 ,  스도우켄지 ,  오츠카야스히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 랩핑 가공에 의해 접촉면의 평활성을 유지하고, 그리고 접촉면을 대략 오목 형상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 안정적으로 보유지지(holding)할 수 있는 시료대 및 당해 시료대를 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리가 행해질 반도체 웨이퍼(W)를 보유지지하는 시료대(2)에 있어서, 랩핑 가공이 행해져 있고, 반도체 웨이퍼(W)가 면접촉하는 접촉면을 갖고, 당해 접촉면에 면접촉한 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착판과, 당해 흡착판의 비접촉면이 접착된 오목면을 갖는 지지 기판을 구비하고, 상기 오목면의 대략 중앙부의 깊이와, 당해 중앙부로부터 이격된 이격 부위의 깊이와의 차이는, 당해 중앙부에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와, 상기 이격 부위에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와의 차이보다도 크게 구성한다. 또한, 시료대(2)를 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 구비한다.