公开(公告)号：KR1020010103659A

公开(公告)日：2001-11-23

申请号：KR1020010024792

申请日：2001-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타니야마히로키 ,  키타하라시게노리 ,  미야자키타카노리 ,  니시히로노부 ,  카토요시노리

IPC: H01L21/00

Abstract: 구리 도금되는 웨이퍼(W)의 연부 근처에 연부 제거기(119)가 마련된다. 상기 웨이퍼(W)의 반경 방향 내측에 마련된 제1 노즐(120)로부터 웨이퍼(W)의 연부로 과산화수소수가 공급된다. 이와 동시에, 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측에 마련된 제2 노즐(121)로부터 웨이퍼(W) 연부에 희석된 불화수소산이 공급된다.

公开(公告)号：KR1020010062026A

公开(公告)日：2001-07-07

申请号：KR1020000072038

申请日：2000-11-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카모리미츠노리 ,  타니야마히로키 ,  미야자키타카노리

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02052

Abstract: PURPOSE: To provide a substrate treatment apparatus wherein treatment liquid can be suitable used again and the amount of exhaust gas can be reduced. CONSTITUTION: A wafer cleaning device 5 cleaning a wafer W comprises a supply nozzle 34 supplying AMP and pure water, a spin chuck 31 holding the wafer W, and a vessel 30 accommodating the spin chuck 31. The vessel 30 comprises an inner treatment chamber 42 and an outer treatment chamber 43 and is constituted so as to be freely elevated to the spin chuck 31. A first exhausting circuit 50 exhausting AMP and atmosphere in the chamber is connected with the inner treatment chamber 42, a second exhausting circuit 51 exhausting pure water and atmosphere in the chamber is connected with the outer treatment chamber 43, and AMP is supplied from the supply nozzle 34 to the surface of the wafer W again.

Abstract translation: 目的：提供一种可以再次使用处理液的基板处理装置，能够减少排气量。 构成：清洗晶片W的晶片清洁装置5包括供给AMP和纯水的供应喷嘴34，保持晶片W的旋转卡盘31和容纳旋转卡盘31的容器30.容器30包括内部处理室42 外部处理室43构成为能够自由地升高到旋转卡盘31.将室内排出AMP和气氛的第一排气回路50与内部处理室42连接，排出纯水的第二排气回路51 并且室内的气氛与外部处理室43连接，并且AMP从供给喷嘴34再次供给到晶片W的表面。

公开(公告)号：KR100787067B1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：KR1020010024792

申请日：2001-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타니야마히로키 ,  키타하라시게노리 ,  미야자키타카노리 ,  니시히로노부 ,  카토요시노리

IPC: H01L21/00

Abstract: 구리 도금되는 웨이퍼(W)의 연부 근처에 연부 제거기(119)가 마련된다. 상기 웨이퍼(W)의 반경 방향 내측에 마련된 제1 노즐(120)로부터 웨이퍼(W)의 연부로 과산화수소수가 공급된다. 이와 동시에, 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측에 마련된 제2 노즐(121)로부터 웨이퍼(W) 연부에 희석된 불화수소산이 공급된다.

公开(公告)号：KR100582208B1

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：KR1020000072038

申请日：2000-11-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카모리미츠노리 ,  타니야마히로키 ,  미야자키타카노리

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02052

Abstract: 본 발명은 기판처리장치로서 웨이퍼(W)의 표면에 복수의 처리액을 공급하는 공급노즐(34)와 웨이퍼를 지지하는 스핀척(31)과 상기 스핀척의 주위에 설치되어진 용기(30)을 구비하고 상기 용기는 복수의 처리실(42, 43)을 구비하고 상기 각 처리실의 개구부(44, 45)를 다단으로 설치하고 스핀척에 지지되어진 웨이퍼의 주위에 상기 각 처리실의 개구부의 각각을 이동시키는 상기 스핀척과 상기 용기를 상대적으로 이동자유롭게 구성하고 각 처리실의 저면에 처리액의 배액이 실시되어지는 회로(50, 51)을 각각 접속하고 상기 회로가운데 적어도 1개를 상기 노즐에 접속하고 배출된 처리액을 상기 노즐에서 다시 웨이퍼의 표면에 공급하는 리사이클회로로서 구성하고 따라서 처리액의 재이용을 적절하게 실시하는 것이 가능하며 또한 배기량을 저감시키는 것이 가능한 기술이 제시된다.

Abstract translation: 本发明包括一供给喷嘴34和旋转卡盘31和容器30被围绕在旋转卡盘，用于支撑晶片作为基板处理装置对晶片（W）的表面供给的多个处理液提供 并且其中移动每个处理室中的相应室的各个开口部分与晶片的周边，其中所述容器设置有多个处理室（42，43）和被支承在多级安装，并且在一个开口的旋转卡盘（44,45） 旋转卡盘和容器被构造成可相对移动，用于排出处理液的回路（50,51）连接到每个处理室的底部表面，至少一个回路连接到喷嘴， 再次从喷嘴供应到晶片表面，从而可以适当地重复使用处理液并且可以减少废气量 该技术呈现。