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公开(公告)号：KR1020010103659A
公开(公告)日：2001-11-23
申请号：KR1020010024792
申请日：2001-05-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 구리 도금되는 웨이퍼(W)의 연부 근처에 연부 제거기(119)가 마련된다. 상기 웨이퍼(W)의 반경 방향 내측에 마련된 제1 노즐(120)로부터 웨이퍼(W)의 연부로 과산화수소수가 공급된다. 이와 동시에, 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측에 마련된 제2 노즐(121)로부터 웨이퍼(W) 연부에 희석된 불화수소산이 공급된다.
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公开(公告)号：KR1019990029868A
公开(公告)日：1999-04-26
申请号：KR1019980038364
申请日：1998-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 예를 들어 반도체웨이퍼나 LCD용유리기판 등의 피처리체를 건조가스에 접촉시켜 건조하는 건조처리방법 및 건조처리장치에 관한 것이다.
본 발명의 반도체웨이퍼의 세정후에 건조를 행하는 건조처리장치에서는, 건조가스 공급관로(32)를 매개로 건조처리부(30)과 접속되는 건조가스생성기(41)과, 이소프로필알코올(IPA) 탱크(48)과 건조가스생성기(41)을 접속하는 IPA의 공급관로(32)에 설치된 유량조절용의 다이어프램펌프(50)과, 건조가스생성기(41)에 N2가스를 공급하는 N2가스공급원(52)와, 건조가스생성기(41)내에 배치되고 건조가스를 생성하는 히터(44)를 구비한다. 이로써 상기 다이어프램펌프(50)으로 건조가스생성기(41)에 공급되는 IPA의 양을 조절하고, 건조가스중에 포함되는 IPA농도를 3% ~ 80%의 범위내로 유지할 수 있도록 하고, 또한 히터(44)이 가열에 의해 건조가스의 온도를 80℃ ~ 150℃의 범위내로 유지할 수 있도록 한다.
이로써, 반도체웨이퍼의 건조효율을 향상시키고 건조가스의 소비량을 저감할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100787067B1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：KR1020010024792
申请日：2001-05-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 구리 도금되는 웨이퍼(W)의 연부 근처에 연부 제거기(119)가 마련된다. 상기 웨이퍼(W)의 반경 방향 내측에 마련된 제1 노즐(120)로부터 웨이퍼(W)의 연부로 과산화수소수가 공급된다. 이와 동시에, 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측에 마련된 제2 노즐(121)로부터 웨이퍼(W) 연부에 희석된 불화수소산이 공급된다.
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公开(公告)号：KR1019990045451A
公开(公告)日：1999-06-25
申请号：KR1019980049892
申请日：1998-11-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 초음파 세정장치에 관한 것으로, 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판 등의 피처리체를 초음파를 이용해서 세정하는 초음파 세정장치에 관한 것이다.
종래의 초음파 세정장치는 세정조의 하면에 부착하는 기포를 충분히 제거할 수 없었다.
본 발명은 피처리체를 세정하기 위한 세정액을 수용하는 세정조, 서로 대향하는 제 1측 및 제 2측을 갖음과 더불어, 상기 세정조의 저부가 침적되는 진동전파용 액체를 수용하기 위한 중간조에 있어서, 그 제 1측에 상기 진동전파용 액체를 그 중간조 밖으로 유출시키기 위한 유출부가 설치되어 있는 중간조, 상기 중간조에 설치되고, 상기 진동전파용 액체에 초음파 진동을 가하기 위한 수단과, 상기 중간조의 제 2측에 설치되고, 상기 제 1측을 향해서 상기 진동전파용 액체를 흘리는 수단을 구비하여, 진동전파용 액체의 유량을 많게 하지 않으면서도, 세정조의 하면으로의 기포의 부착을 제거함으로써, 세정효율을 향상시킬 수 있는 초음파 세정장치를 제시하고 있다.-
公开(公告)号：KR100629022B1
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：KR1019980049892
申请日：1998-11-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 초음파 세정장치에 관한 것으로, 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판 등의 피처리체를 초음파를 이용해서 세정하는 초음파 세정장치에 관한 것이다.
종래의 초음파 세정장치는 세정조의 하면에 부착하는 기포를 충분히 제거할 수 없었다.
본 발명은 피처리체를 세정하기 위한 세정액을 수용하는 세정조, 서로 대향하는 제 1측 및 제 2측을 갖음과 더불어, 상기 세정조의 저부가 침적되는 진동전파용 액체를 수용하기 위한 중간조에 있어서, 그 제 1측에 상기 진동전파용 액체를 그 중간조 밖으로 유출시키기 위한 유출부가 설치되어 있는 중간조, 상기 중간조에 설치되고, 상기 진동전파용 액체에 초음파 진동을 가하기 위한 수단과, 상기 중간조의 제 2측에 설치되고, 상기 제 1측을 향해서 상기 진동전파용 액체를 흘리는 수단을 구비하여, 진동전파용 액체의 유량을 많게 하지 않으면서도, 세정조의 하면으로의 기포의 부착을 제거함으로써, 세정효율을 향상시킬 수 있는 초음파 세정장치를 제시하고 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100417271B1
公开(公告)日：2004-03-19
申请号：KR1019980038364
申请日：1998-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: A drying treatment apparatus for drying cleaned semiconductor wafers comprises drying gas producing means (41) connected to a drying treating unit (30) through a drying gas supplying pipe line (32). A flowrate controlling diaphragm pump (50) is provided in an isopropyl alcohol (IPA) supplying pipe line (32) that connects an IPA tank (48) and the drying gas producing means (41). An N2 gas supply source (52) is provided for supplying nitrogen gas into the drying gas producing means (41), and a heater (44) is disposed within the drying gas producing means to produce a drying gas. As a result of this, the amount of the IPA supplied to the drying gas producing means (41) by the diaphragm pump (50) is controllable, thus enabling the concentration of the IPA contained in the drying gas to be maintained at a value within a range of from 3% to 80%, inclusive, and enabling the temperature of the drying gas to be maintained at a value within a range of from 80 DEG to 150 DEG , inclusive, due to the heating by the heater (44). The above feature enables improvement of the drying efficiency and reduction in the amount of consumption of the drying gas.
Abstract translation: 用于干燥已清洁的半导体晶片的干燥处理装置包括通过干燥气体供应管线（32）连接到干燥处理单元（30）的干燥气体生成装置（41）。 在连接IPA罐（48）和干燥气体生成装置（41）的异丙醇（IPA）供应管路（32）中设置有流量控制隔膜泵（50）。 为了向干燥气体生成装置（41）供给氮气而设置N2气体供给源（52），在干燥气体生成装置内配置加热器（44），生成干燥气体。 其结果是，由隔膜泵50向干燥气体生成装置41供给的IPA的量可以控制，因此能够将干燥气体中含有的IPA的浓度维持在 由于加热器（44）的加热，使得干燥气体的温度保持在80-150℃的范围内，该范围为3％至80％（包括端值）。 上述特征可以提高干燥效率并减少干燥气体的消耗量。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1019990029867A
公开(公告)日：1999-04-26
申请号：KR1019980038363
申请日：1998-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 예를 들어 반도체웨이퍼나 LCD용유리기판 등의 피처리체를 세정 또는 건조하는 처리장치에 관한 것이다.
본 발명의 처리장치에서는 세정액을 저장함과 동시에 저장된 세정액중에 반도체웨이퍼(W)를 침적하여 그 표면을 세정하는 세정조(30)과, 상기 세정조(30)과 순수공급원(31)을 접속하는 세정액공급관(33)과, 약액을 저장하기 위한 액약저장용기(34)와, 상기 세정액공급관(33)과 상기 약액저장용기(34)를 접속하는 약액공급관(36)과, 상기 약액공급관(36)에 설치된 주입개폐절환밸브(35)와, 상기 약액공급관(36)에 약액공급수단으로서 왕복구동식 펌프 예를 들어 다이어프램 펌프(37)이 설치되어 이루어지는 처리장치가 제공된다.
따라서, 본 발명에 관계하는 처리장치에서는 왕복구동식 펌프에 의한 약액의 반송에 의해, 순수나 건조가스용 반송가스의 유량 또는 압력의 변동에 영향받는 일 없이 소정량의 약액을 순수중 또는 건조가스생성부에 주입하여 소정농도의 약액을 얻고, 이것을 세정 또는 건조에 제공할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100483313B1
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：KR1019980038363
申请日：1998-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 예를 들어 반도체웨이퍼나 LCD용유리기판 등의 피처리체를 세정 또는 건조하는 처리장치에 관한 것이다.
본 발명의 처리장치에서는 세정액을 저장함과 동시에 저장된 세정액중에 반도체웨이퍼(W)를 침적하여 그 표면을 세정하는 세정조(30)과, 상기 세정조(30)과 순수공급원(31)을 접속하는 세정액공급관(33)과, 약액을 저장하기 위한 액약저장용기(34)와, 상기 세정액공급관(33)과 상기 약액저장용기(34)를 접속하는 약액공급관(36)과, 상기 약액공급관(36)에 설치된 주입개폐절환밸브(35)와, 상기 약액공급관(36)에 약액공급수단으로서 왕복구동식 펌프 예를 들어 다이어프램 펌프(37)이 설치되어 이루어지는 처리장치가 제공된다.
따라서, 본 발명에 관계하는 처리장치에서는 왕복구동식 펌프에 의한 약액의 반송에 의해, 순수나 건조가스용 반송가스의 유량 또는 압력의 변동에 영향받는 일 없이 소정량의 약액을 순수중 또는 건조가스생성부에 주입하여 소정농도의 약액을 얻고, 이것을 세정 또는 건조에 제공할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100455904B1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：KR1019980037119
申请日：1998-09-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/08 , B24B37/013 , H01L21/67057 , H01L22/26 , Y10S134/902
Abstract: A cleaning equipment generally comprises: a cleaning bath 30 for storing therein a cleaning solution to allow a semiconductor wafer W to be dipped in the cleaning solution to clean the surface of the wafer W; a cleaning solution supply pipe 33 for connecting the cleaning bath 30 to a pure water supply source 31; a chemical storing container 34 for storing therein a chemical; a chemical supply pipe 36 for connecting the cleaning solution supply pipe 33 to the chemical storing container 34 via an injection shut-off valve 35; and a diaphragm pump 37 for injecting a predetermined amount of chemical from the chemical storing container 34 into pure water flowing through the cleaning solution supply pipe 33. The temperature of the cleaning solution in the cleaning bath 30 is detected by, e.g., a temperature sensor 44. On the basis of a detection signal outputted from the temperature sensor 44, the amount of the chemical injected by the diaphragm pump 37 is controlled so that the concentration of the chemical is a predetermined concentration. Thus, a predetermined amount of chemical can be injected so as to clean the wafer W with a predetermined concentration of chemical.
Abstract translation: 清洁设备通常包括：清洁槽30，用于在其中存储清洁溶液以允许半导体晶片W浸入清洁溶液中以清洁晶片W的表面; 用于将清洁槽30连接到纯水供应源31的清洁溶液供应管33; 化学品储存容器34，用于在其中储存化学品; 将清洗液供给管33经由注入切断阀35与化学品收容容器34连接的药液供给管36， 以及隔膜泵37，用于将来自化学品存储容器34的预定量的化学品注入流过清洁溶液供应管33的纯水中。清洁槽30中的清洁溶液的温度由例如温度传感器 基于从温度传感器44输出的检测信号，控制由隔膜泵37注入的化学药品的量，使得化学品的浓度为预定浓度。 因此，可以注入预定量的化学制品，以便用预定浓度的化学制品清洁晶片W.
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公开(公告)号：KR1019990029657A
公开(公告)日：1999-04-26
申请号：KR1019980037119
申请日：1998-09-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 또는 LCD용 유리 기판과 같은 처리용 대상을 약액 또는 순수와 같은 세정액에 침적하여 세정하기 위한 세정처리방법 및 세정처리장치에 관한 것이다. 본 발명은 피처리체를 세정하기 위해 순수에 침적하는 공정과, 그리고 상기 순수에 약액을 주입해서 되는 세정액에서 상기 약액의 농도를 제어하며, 상기 피처리체를 세정하기 위해 상기 세정액에 침적하는 공정을 포함하여, 상기 피처리체가 순수에 침적되어 세정된 후, 약액이 순수에 주입해서 되는 세정액에 상기 피처리체가 침적되어 세정되는 때, 상기 세정액에서의 약액의 농도가 단시간내에 소정농도로 변화될 수 있고, 상기 피처리체에 대한 약액세정효율을 향상시킬 수 있으며, 전 세정에 대한 처리량을 향상시킬 수 있는 세정처리방법 및 그 장치를 제시하고 있다.
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