公开(公告)号：KR1020030076387A

公开(公告)日：2003-09-26

申请号：KR1020030017229

申请日：2003-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타케쿠마타카시 ,  후루쇼토시노부 ,  오오토타케시 ,  미야모토히로유키 ,  요시하라코우스케 ,  호리신야 ,  하라히로유키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/6715

Abstract: 본 발명은, 처리액 공급기구 및 처리액 공급방법에 관한 것으로, 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급기구는, 처리액을 공급하는 처리액 공급원과, 처리액을 토출하기 위한 처리액 토출노즐과, 처리액 공급원과 처리액 토출노즐을 연결하는 배관과, 이 배관에 설치되고, 상기 처리액 토출노즐에서 처리액을 토출하기 위한 펌프와, 상기 펌프에서 상기 처리액 토출노즐에 이르기까지 사이의 소정위치에서 처리액의 압력을 검출하는 압력센서와, 이 압력센서에 의한 검출치와, 미리 구해져 있는 처리액의 압력 및 처리액의 토출률의 관계에 기초하여, 처리액의 토출률이 소정 수치가 되도록, 펌프의 내압을 제어하는 콘트롤러를 구비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100929526B1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020030017229

申请日：2003-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타케쿠마타카시 ,  후루쇼토시노부 ,  오오토타케시 ,  미야모토히로유키 ,  요시하라코우스케 ,  호리신야 ,  하라히로유키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/6715

Abstract: A process liquid supply mechanism for supplying a process liquid comprises a process liquid supply source for supplying a process liquid, a process liquid discharging nozzle for discharging the process liquid, a pipe connecting the process liquid supply source to the process liquid discharging nozzle, a pump mounted to the pipe for allowing the process liquid to be discharged from the process liquid discharging nozzle, a pressure sensor for detecting the pressure of the process liquid at a prescribed position intermediate between the pump and the process liquid discharging nozzle, and a controller for controlling the inner pressure of the pump based on the pressure value detected by the pressure sensor and the relationship obtained in advance between the pressure and the discharging rate of the process liquid such that the process liquid is discharged at a prescribed discharging rate.

Abstract translation: 用于供应处理液的处理液供应机构包括用于供应处理液的处理液供应源，用于排出处理液的处理液排出喷嘴，用于将处理液供应源连接到处理液排出喷嘴的管，泵 为了使处理液从处理液排出喷嘴排出而安装在配管上的压力传感器，检测泵和处理液排出喷嘴的中间的规定位置的处理液的压力的压力传感器， 基于由压力传感器检测到的压力值和预先获得的在处理液体的压力和排出速率之间的关系，泵的内部压力使得处理液体以预定的排出速率排出。

公开(公告)号：KR100691652B1

公开(公告)日：2007-03-09

申请号：KR1020000058362

申请日：2000-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다잇세이 ,  타케쿠마타카시 ,  오쿠마라켄지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67161 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  Y10T29/41

Abstract: 본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 액처리를 수행하는 제 1 처리유닛군과, 가열처리유닛 및 냉각처리유닛을 갖춘 가열·냉각처리유닛을 갖는 제 2 처리유닛군은, 냉각처리유닛이 제 1 처리유닛군측에 위치하도록 인접하여 배치되어 있음으로써, 상온 부근에서 기판에 대해 액처리를 수행하기 위한 액처리유닛에 있어서의 온도제어를 정밀하게 수행할 수 있는 기술이 제시된다.

Abstract translation: 基板处理装置技术领域本发明涉及一种基板处理装置，包括：用于进行液体处理的第一处理单元组;以及具有具有热处理单元和冷却处理单元的加热冷却处理单元的第二处理单元组， 与第一处理单元组相邻设置，以精确地控制用于在常温附近对基板进行液体处理的液体处理单元中的温度。

公开(公告)号：KR101118885B1

公开(公告)日：2012-03-19

申请号：KR1020050129756

申请日：2005-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타케쿠마타카시

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 처리장치 및 처리방법에 관한 것으로서 제 1 린스 처리부(164)에서는 기판(G)상에서 현상 반응을 정지시키기 위하여 즉 현상액(R)을 린스액(순수,S으로 치환하기 위해서 이중 노즐 유니트(168)의 흡인 노즐(170)과 토출 노즐(172)이 반송 방향(X방향)과 역방향으로 기판(G) 위를 기판의 전단으로부터 후단까지 일정 속도로 주사한다. 이 주사중 앞 부분의 흡인 노즐(170)은 기판(G)상의 현상액(R)을 소정의 흡인력으로 흡취하고 후부의 토출 노즐(172)은 린스액(S)을 소정의 압력 또는 유량으로 토출 하는 것으로 이중 노즐 유니트(168)의 바로 밑에서 현상액(R)이 흡취되고 동시 또는 그 직후에 린스액(S)이 공급되는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020060076227A

公开(公告)日：2006-07-04

申请号：KR1020050129756

申请日：2005-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타케쿠마타카시

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 처리장치 및 처리방법에 관한 것으로서 제 1 린스 처리부(164)에서는 기판(G)상에서 현상 반응을 정지시키기 위하여 즉 현상액(R)을 린스액(순수,S으로 치환하기 위해서 이중 노즐 유니트(168)의 흡인 노즐(170)과 토출 노즐(172)이 반송 방향(X방향)과 역방향으로 기판(G) 위를 기판의 전단으로부터 후단까지 일정 속도로 주사한다. 이 주사중 앞 부분의 흡인 노즐(170)은 기판(G)상의 현상액(R)을 소정의 흡인력으로 흡취하고 후부의 토출 노즐(172)은 린스액(S)을 소정의 압력 또는 유량으로 토출 하는 것으로 이중 노즐 유니트(168)의 바로 밑에서 현상액(R)이 흡취되고 동시 또는 그 직후에 린스액(S)이 공급되는 기술을 제공한다.

Abstract translation: 为了本发明的双喷嘴单元以替换第一冲洗处理单元164在该基板（G）a表示的是，为了阻止在显影反应冲洗液中显影剂（R）（纯，S涉及一种处理装置及处理方法（ 吸嘴168的吸嘴170和排出嘴172在与输送方向（X方向）相反的方向上从基板G上的基板的前端到后端以恒定速度被扫描， 后喷嘴170以预定吸力在基板G上排出显影溶液R，并且后排出喷嘴172以预定压力或流量排出漂洗液S， 冲洗液S同时或立即供应。

公开(公告)号：KR1020010050849A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000058362

申请日：2000-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다잇세이 ,  타케쿠마타카시 ,  오쿠마라켄지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67161 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  Y10T29/41

Abstract: PURPOSE: A substrate treatment device is provided to arrange the layout which can shorten the pipe of treatment liquid in the case of piling up liquid treatment units in a plurality of stages. CONSTITUTION: In a treatment station(S22) performing coating of resist or the like, a first treatment part group containing a reflection preventing film forming unit, a coating unit and a cooling part is arranged in parallel to the arrangement direction of a cassette(222) of a cassette station(S21) delivering the cassette(222) and adjacently to the station(S21). Neighboring the first treatment part group, a third treatment part group containing a shelf unit and a second treatment part group containing a developing unit are arranged in this order oppositely to the first treatment part group. Wafer carrying means(MA21, MA22) are arranged between the first and second treatment part groups and between the second and third treatment part groups, respectively. As a result, delivery of a wafer is enabled to the first treatment part group by using a delivering arm(223) of the cassette station(S21), and the load of the wafer carrying means can be reduced.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，用于布置在多个阶段堆积液体处理单元的情况下可缩短处理液管道的布局。 构成：在进行抗蚀剂等的涂布的处理台（S22）中，包含防反射膜形成单元，涂布单元和冷却部的第一处理部分组与盒（222）的排列方向平行地布置 ）传送盒（222）并且邻近于站（S21）的盒式电台（S21）。 相邻的第一处理部分组，包含搁板单元的第三处理部分组和包含显影单元的第二处理部分组以与第一处理部分组相反的顺序排列。 晶片承载装置（MA21，MA22）分别布置在第一和第二处理部件组之间以及第二和第三处理部件组之间。 结果，通过使用盒式电台的传送臂（223），使第一处理部分组能够传送晶片，并且可以减小晶片传送装置的负载。