公开(公告)号：KR1020170004888A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：KR1020160083250

申请日：2016-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우츠기야스후미 ,  토죠토시히로 ,  야마와쿠쥰 ,  후지나가모토키

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60

Abstract: 배치대에고파워의고주파전력을인가하는경우에, 배기부에대하여플라즈마가침입하는것 및배플판의상방에서방전이불안정해지는것을효과적으로방지한다. 처리실(4) 내에서배치대(23)의배치면에배치된기판(G)에대하여, 배치대(23)에고주파바이어스를인가하면서플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치는, 배기구(30) 부분에마련된제 1 개구배플판(34) 및제 2 개구배플판(35)을가지고, 제 1 개구배플판(34)은배기경로하류측, 제 2 개구배플판(35)은배기경로의상류측에마련되고, 제 1 개구배플판(34)은접지되고, 제 2 개구배플판(35)은전기적으로플로팅상태이며, 제 1 및제 2 개구배플판(34, 35)은이들사이에안정방전이생성가능한간격으로마련되어있다.

公开(公告)号：KR101925972B1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：KR1020160083250

申请日：2016-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우츠기야스후미 ,  토죠토시히로 ,  야마와쿠쥰 ,  후지나가모토키

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60

Abstract: 배치대에 고파워의 고주파 전력을 인가하는 경우에, 배기부에 대하여 플라즈마가 침입하는 것 및 배플판의 상방에서 방전이 불안정해지는 것을 효과적으로 방지한다. 처리실(4) 내에서 배치대(23)의 배치면에 배치된 기판(G)에 대하여, 배치대(23)에 고주파 바이어스를 인가하면서 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치는, 배기구(30) 부분에 마련된 제 1 개구 배플판(34) 및 제 2 개구 배플판(35)을 가지고, 제 1 개구 배플판(34)은 배기 경로 하류측, 제 2 개구 배플판(35)은 배기 경로의 상류측에 마련되고, 제 1 개구 배플판(34)은 접지되고, 제 2 개구 배플판(35)은 전기적으로 플로팅 상태이며, 제 1 및 제 2 개구 배플판(34, 35)은 이들 사이에 안정 방전이 생성 가능한 간격으로 마련되어 있다.