公开(公告)号：KR101760982B1

公开(公告)日：2017-07-24

申请号：KR1020140065599

申请日：2014-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지나가모토키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/60

Abstract: 전열가스를사용해서기판의온도제어를행하는프로세스에있어서, 기판면내에서의처리의균일성을유지하는것을과제로한다. 기판처리방법은, 처리용기내를진공상태인압력 P0으로조절하는단계와, 리프터핀(85)에의해서기판(S)을탑재대(5)의상면으로부터이격시킨상태에서, 처리용기(1) 내에압력조절가스를도입하여, 처리용기(1) 내를압력 P0보다높은압력 P1으로조절하는단계와, 리프터핀(85)을하강시켜서탑재대(5)에기판을탑재하는단계와, 처리용기(1) 내에서압력조절가스를배기하는단계와, 전열공간의압력을 P2을유지하면서, 처리용기내에처리가스를도입하고, 기판(S)을처리하는단계를포함한다.

Abstract translation: 在使用传热气体控制基板的温度的过程中，需要保持基板表面的处理的均匀性。 的基板处理方法，在从步骤隔开的状态下的处理容器的内部，并且，通过向升降销85被安装到调节至真空压力P0在基板（S）5服装表面，该处理容器（1） 在引入压力控制气体，在安装基板的阶段的步骤中的处理容器（1），和一个升降销通过支架85，用于在较高的压力P1比压力P0调节（5）下降，和一个处理容器 （1）在压力控制排出气体和，另一方面，如果P2 eulyu传热空间的压力，和将处理气体向处理容器的步骤，以及处理基板（S）的步骤。

公开(公告)号：KR1020100087247A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：KR1020100003020

申请日：2010-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카세이지 ,  후지나가모토키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01L21/67276

Abstract: PURPOSE: A plasma processing device is provided to control the degradation of productivity by including a device controller in case of an abnormal process. CONSTITUTION: A memory unit memorizes a plurality of reprocessing conditions different from a process condition. A control system comprises a monitoring function for monitoring the failure of a plasma process and a determination function for determining the kind of the generated failure. If the failure of the plasma process occurs, the control system selects one of reprocessing conditions among the plurality of reprocessing conditions according to the kind of the determined failure and reprocesses an object.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，通过在异常处理的情况下包括装置控制器来控制生产率的降低。 构成：存储单元存储与处理条件不同的多个再处理条件。 控制系统包括用于监视等离子体处理的故障的监视功能和用于确定所产生的故障的种类的确定功能。 如果发生等离子体处理的故障，则控制系统根据确定的故障的种类来选择多个再处理条件中的一个再处理条件，并重新处理对象。

公开(公告)号：KR102049146B1

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：KR1020170088761

申请日：2017-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토 ,  후지나가모토키 ,  감베다카후미 ,  야마와쿠쥰 ,  우가진하지메

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

公开(公告)号：KR101925972B1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：KR1020160083250

申请日：2016-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우츠기야스후미 ,  토죠토시히로 ,  야마와쿠쥰 ,  후지나가모토키

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60

Abstract: 배치대에 고파워의 고주파 전력을 인가하는 경우에, 배기부에 대하여 플라즈마가 침입하는 것 및 배플판의 상방에서 방전이 불안정해지는 것을 효과적으로 방지한다. 처리실(4) 내에서 배치대(23)의 배치면에 배치된 기판(G)에 대하여, 배치대(23)에 고주파 바이어스를 인가하면서 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치는, 배기구(30) 부분에 마련된 제 1 개구 배플판(34) 및 제 2 개구 배플판(35)을 가지고, 제 1 개구 배플판(34)은 배기 경로 하류측, 제 2 개구 배플판(35)은 배기 경로의 상류측에 마련되고, 제 1 개구 배플판(34)은 접지되고, 제 2 개구 배플판(35)은 전기적으로 플로팅 상태이며, 제 1 및 제 2 개구 배플판(34, 35)은 이들 사이에 안정 방전이 생성 가능한 간격으로 마련되어 있다.

公开(公告)号：KR101148605B1

公开(公告)日：2012-05-21

申请号：KR1020100003020

申请日：2010-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카세이지 ,  후지나가모토키

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은, 프로세스 이상 등이 발생한 경우에도 생산성 저하를 억제할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것으로, 피처리체 G에 대하여, 처리 조건에 따라 플라즈마 처리를 행하는 처리실을 구비한 플라즈마 처리 장치로서, 처리 조건과는 다른 복수의 재처리 조건을 기억한 기억부와, 플라즈마 처리중의 이상 발생의 유무를 감시하는 감시 기능과, 발생한 이상의 종류를 판정하는 판정 기능을 구비한 제어계(50)를 구비하고, 플라즈마 처리중에 이상이 발생한 경우, 제어계(50)는, 판정한 이상 종류에 따라, 복수의 재처리 조건 중에서 하나의 재처리 조건을 선택하여, 피처리체 G에 대하여 재처리를 행한다.

Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置，用于在异常过程中通过包括装置控制器来控制生产率的降低。 结构：存储单元存储多个与过程条件不同的再处理条件。 控制系统包括用于监视等离子体过程的故障的监视功能和用于确定所产生的故障的种类的确定功能。 如果发生等离子体处理的故障，则控制系统根据所确定的故障的种类从多个再处理条件中选择一个再处理条件并重新处理对象。

公开(公告)号：KR1020150106359A

公开(公告)日：2015-09-21

申请号：KR1020150032889

申请日：2015-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지나가모토키 ,  다카토데츠야 ,  사토요시츠토무

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/7869 ,  H05H1/46

Abstract: 산화물 반도체의 특성의 저하를 억제하면서 박막 트랜지스터를 제조하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치 등을 제공한다.
플라즈마 처리 장치(2)는, 박막 트랜지스터(8)가 형성되는 기판 F에 대해서 플라즈마 처리를 실행하고, 상기 플라즈마 처리가 행해지는 처리 용기(31)는, 상층측의 금속막이 에칭 처리되어 산화물 반도체층(84)이 노출한 상태의 기판 F가 탑재되는 탑재대(331)를 구비한다. 진공 배기부(314)는 처리 용기(31)내의 진공 배기를 행하고, 가스 공급부(360)로부터 플라즈마 발생용의 가스인 수증기, 또는 불소를 포함하는 가스와 산소 가스의 혼합 가스가 공급된다. 플라즈마 발생부(34)는 상기 플라즈마 발생용의 가스를 플라즈마화하여, 산화물 반도체층(84)을 수증기에서 유래하거나, 또는 불소를 포함하는 가스와 산소 가스의 혼합 가스에서 유래하는 플라즈마에 노출하는 플라즈마 처리를 실행한다.

Abstract translation: 提供了能够制造薄膜晶体管并抑制氧化物半导体的特征劣化的等离子体处理装置。 等离子体处理装置（2）对其上形成有薄膜晶体管（8）的基板F进行等离子体处理。 执行等离子体处理的处理容器（31）包括：安装台（331），其安装基板F以通过蚀刻上层的金属层来暴露氧化物半导体层（84）。 真空排气单元（314）将处理容器（31）排出真空。 气体供给单元（360）供给氧气和包含作为用于产生等离子体的气体的氟或蒸气的气体的混合气体。 等离子体发生单元（34）通过将用于产生等离子体的气体改变为由氧气和包含氟的气体的混合气体产生的等离子体，进行等离子体处理以将氧化物半导体层（54）暴露于等离子体 蒸汽。

公开(公告)号：KR1020150106353A

公开(公告)日：2015-09-21

申请号：KR1020150032546

申请日：2015-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지나가모토키 ,  우가진하지메

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L29/786

Abstract: 박막 트랜지스터의 제조 공정에 있어서, 코로젼의 발생을 억제하면서, 알루미늄을 포함하는 전극을 패터닝하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치 등을 제공한다. 플라즈마 처리 장치(2)는, 박막 트랜지스터(4a, 4b)가 형성되는 기판(F)에 대하여 플라즈마 처리를 실행하고, 상기 플라즈마 처리가 실행되는 처리 용기(21)는 기판(F)이 탑재되는 탑재대(231)를 구비한다. 진공 배기부(214)는 처리 용기(21) 내의 진공 배기를 실행하고, 수소 가스 공급부(262)로부터 플라즈마 발생용의 가스인 수소 가스가 공급된다. 플라즈마 발생부(24)는 상기 플라즈마 발생용의 가스를 플라즈마화하고, 알루미늄을 포함하는 금속막의 상층측에, 패터닝된 레지스트막이 형성되며, 염소를 포함하는 에칭 가스에 의해서 상기 금속막이 에칭 처리된 기판의 처리를 실행한다.

Abstract translation: 提供了能够在制造薄膜晶体管的过程中抑制腐蚀的发生的同时对包括铝的电极进行图案化的等离子体处理装置等。 等离子体处理装置（2）相对于形成薄膜晶体管（4a，4b）的基板（F）进行等离子体处理，并且用于进行等离子体处理的处理容器（21）包括：安装台 其安装有基板（F）。 真空排气部214在处理容器21内进行真空排气，从氢气供给部262接收作为等离子体生成用的气体的氢气。 等离子体产生部件（24）允许用于等离子体产生的气体是等离子体，在包括铝的金属膜的上层上形成图案化的抗蚀剂膜，以及衬底的处理，其中通过蚀刻气体蚀刻金属膜，包括 氯。

公开(公告)号：KR100880746B1

公开(公告)日：2009-02-02

申请号：KR1020070030488

申请日：2007-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지나가모토키

IPC: H01L21/3065

Abstract: 고융점 금속막의 하지막이 거칠어지는 것을 종래에 비해 억제할 수 있는 플라즈마 에칭 방법, 플라즈마 에칭 장치, 컴퓨터 기억 매체 및 처리 레시피가 기억된 기억 매체를 제공한다.
피처리 기판(10)의 고융점 금속막(102)을, 마스크층(103)을 거쳐서 플라즈마 에칭하는 방법으로서, 그레인의 에칭 속도보다 그레인 경계부의 에칭 속도가 빠른 플라즈마 에칭을 행하는 제 1 에칭 공정과, 제 1 에칭 공정보다 절연막에 대한 고융점 금속막의 선택비가 높은 플라즈마 에칭을 행하는 제 2 에칭 공정을 구비하며, 그레인 경계부의 절연막(101)이 노출되기 전에, 제 1 에칭 공정으로부터 제 2 에칭 공정으로 전환한다.

公开(公告)号：KR102217171B1

公开(公告)日：2021-02-17

申请号：KR1020190089985

申请日：2019-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카토데츠야 ,  후지나가모토키 ,  와타나베사치오

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: [해결수단] 성막방법은, 산소함유가스와 SiF4 가스와 SiCl4 가스를포함하고또한 SiF4 가스에대한 SiCl4 가스의유량비가제1 유량비가되는혼합가스의플라스마를제1 고주파전력을사용하여생성하고, 산화물반도체상에제1 산화실리콘막을성막하는제1 성막공정과, 산소함유가스와 SiF4 가스와 SiCl4 가스를포함하고또한 SiF4 가스에대한 SiCl4 가스의유량비가제2 유량비가되는혼합가스의플라스마를제2 고주파전력을사용하여생성하고, 제1 산화실리콘막상에제2 산화실리콘막을성막하는제2 성막공정을포함하고, 제1 고주파전력은, 제2 고주파전력보다도낮고, 제1 유량비는, 제2 유량비보다도작다.

公开(公告)号：KR101870491B1

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：KR1020150032889

申请日：2015-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지나가모토키 ,  다카토데츠야 ,  사토요시츠토무

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

Abstract: 산화물반도체의특성의저하를억제하면서박막트랜지스터를제조하는것이가능한플라즈마처리장치등을제공한다. 플라즈마처리장치(2)는, 박막트랜지스터(8)가형성되는기판 F에대해서플라즈마처리를실행하고, 상기플라즈마처리가행해지는처리용기(31)는, 상층측의금속막이에칭처리되어산화물반도체층(84)이노출한상태의기판 F가탑재되는탑재대(331)를구비한다. 진공배기부(314)는처리용기(31)내의진공배기를행하고, 가스공급부(360)로부터플라즈마발생용의가스인수증기, 또는불소를포함하는가스와산소가스의혼합가스가공급된다. 플라즈마발생부(34)는상기플라즈마발생용의가스를플라즈마화하여, 산화물반도체층(84)을수증기에서유래하거나, 또는불소를포함하는가스와산소가스의혼합가스에서유래하는플라즈마에노출하는플라즈마처리를실행한다.