公开(公告)号：KR1020100019952A

公开(公告)日：2010-02-19

申请号：KR1020090056458

申请日：2009-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시다요시히로 ,  하라다카츠시게 ,  스가와라타쿠야

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31641 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45546

Abstract: PURPOSE: Film forming method and apparatus are provided to suppress grain boundary leak in a state that keeps zirconia crystallization by depositing by depositing a zirconia type film including silicon of 1~4atm% and zirconia through an ALD method. CONSTITUTION: A processed article is inserted inside a treatment basin keeping a vacuum condition. The in-vacuum state of the treatment basin is maintained. The zirconium raw material and oxidizer are alternated inside the treatment basin and it is supplied multiple times. ZrO2 layer is formed on the upper of the substrate. A silicon material and oxidizer is supplied inside the treatment basin. The SiO2 protection substrate is formed on the upper part.

Abstract translation: 目的：通过ALD法沉积包含1〜4atm的硅和氧化锆的氧化锆型膜，通过沉积来保持氧化锆结晶的状态，提供成膜方法和装置来抑制晶界泄漏。 构成：将处理过的物品插入处理池内，保持真空状态。 处理池的真空状态得以维持。 锆原料和氧化剂在处理池内交替，并提供多次。 ZrO 2层形成在基板的上部。 在处理池内提供硅材料和氧化剂。 SiO2保护基板形成在上部。

公开(公告)号：KR101451716B1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：KR1020090056458

申请日：2009-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시다요시히로 ,  하라다카츠시게 ,  스가와라타쿠야

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31641 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45546

Abstract: (과제) 결정화하고 있고, 그리고 리크 전류도 작은 지르코니아계 막을 성막할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
(해결 수단) 진공 유지 가능한 처리 용기 내에 피(被)처리체를 삽입하여, 처리 용기 내를 진공으로 유지한 상태로 하고, 처리 용기 내에 지르코늄 원료와 산화제를 서로 번갈아 복수회 공급하여 기판상에 ZrO
2 막을 성막하는 공정과, 처리 용기 내에 실리콘 원료와 산화제를 서로 번갈아 1회 또는 복수회 공급하여 기판상에 SiO
2 막을 성막하는 공정을, 막 중의 Si 농도가 1∼4atm%가 되도록 공급 횟수를 조정하여 행하고, 이들 공급 횟수의 ZrO
2 막 성막과 SiO
2 막 성막을 1 사이클로 하여, 이 사이클을 1 이상 행하여 소정 막두께의 지르코니아계 막을 성막한다.
결정화, 성막, 지르코니아계 막

公开(公告)号：KR101131645B1

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：KR1020070089845

申请日：2007-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  이시다요시히로 ,  후지따다께히꼬 ,  오가와쥰 ,  나까지마시게루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544

Abstract: 막 소스 원소를 포함하고 또한 아미노기를 포함하지 않은 소스 가스를 구비하는 제1 처리 가스와 산화 가스를 구비하는 제2 처리 가스와 예비 처리 가스를 구비하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서, 피처리 기판 상에 CVD에 의해 산화막을 형성한다. 제1 공정은, 제3 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 공급하는 여기 기간을 구비하고, 이에 따라 생성된 예비 처리 가스의 라디칼에 의해 피처리 기판의 표면을 예비 처리한다. 제2 공정은, 제1 처리 가스의 공급을 행하고, 이에 의해, 피처리 기판의 표면에 막 소스 원소를 흡착시킨다. 제3 공정은, 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 공급하는 여기 기간을 구비하고, 이에 따라 생성된 산화 가스의 라디칼에 의해, 피처리 기판의 표면에 흡착된 막 소스 원소를 산화한다.
막 소스 원소, 소스 가스, 처리 가스, 피처리 기판, 산화막

公开(公告)号：KR1020100087248A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：KR1020100003508

申请日：2010-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시이카츠토시 ,  이시다요시히로 ,  하라다카츠시게 ,  후루야하루히코

IPC: H01L21/324

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A vertical heat treating device for forming a high dielectric layer, components thereof and a heat-insulating cylinder are provided to reduce stress from the high dielectric layer accumulated on the surface by selecting materials with a linear thermal expansion coefficient close to the linear thermal expansion coefficient of the high dielectric layer. CONSTITUTION: A reaction container(2) stores a plurality of substrates which are laminated with a vertical space. A supporting member supports the processed substrate in the reaction container. A heater(3) heats the processed substrate in the reaction chamber. An exhaust system exhausts the reaction container. A gas supply system supplies metal source gas and oxide gas to the reaction container and includes a gas nozzle installed in the reaction container.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成高电介质层的垂直热处理装置，其部件和绝热筒，以通过选择线性热膨胀系数接近于线性热的材料来减少来自积聚在表面上的高介电层的应力 高介电层的膨胀系数。 构成：反应容器（2）存储层叠有垂直空间的多个基板。 支撑构件在反应容器中支撑经处理的基板。 加热器（3）加热反应室中的经处理的基板。 排气系统排出反应容器。 气体供给系统向反应容器提供金属源气体和氧化物气体，并且包括安装在反应容器中的气体喷嘴。

公开(公告)号：KR1020080029846A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020070097409

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  이시다요시히로 ,  후지따다께히꼬 ,  오가와쥰 ,  나까지마시게루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: A method and an apparatus for forming a silicon oxide film are provided to maintain a film formation rate and to form a silicon oxide layer of high quality at low temperature. A first process is performed to supply a first processing gas to a processing region, to stop a second processing gas supplied to the processing region, and to form an absorbing layer including silicon on a surface of a target substrate. A second process is performed to supply a second processing gas to the processing region, to stop the first processing gas supplied to the processing region, and to oxidize the absorbing layer formed on the surface of the target substrate. The first and second processes are performed repeatedly, in order to form an oxide layer having a predetermined thickness. The process temperature is lowered by using a univalent or bivalent aminosilane gas as the silicon source gas in comparison with a trivalent aminosilane gas.

Abstract translation: 提供一种形成氧化硅膜的方法和装置，以保持成膜速率并在低温下形成高品质的氧化硅层。 执行第一处理以向处理区域提供第一处理气体，以停止供应到处理区域的第二处理气体，并且在目标基板的表面上形成包括硅的吸收层。 执行第二处理以向处理区域供应第二处理气体，以停止供应到处理区域的第一处理气体，并且氧化形成在目标基板表面上的吸收层。 为了形成具有预定厚度的氧化物层，重复执行第一和第二工序。 与三价氨基硅烷气体相比，使用一价或二价氨基硅烷气体作为硅源气体，降低了工艺温度。

公开(公告)号：KR101264786B1

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：KR1020100003508

申请日：2010-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시이카츠토시 ,  이시다요시히로 ,  하라다카츠시게 ,  후루야하루히코

IPC: H01L21/324

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67109

Abstract: 금속산화물로이루어지는고(高)유전체막을퇴적에의해형성하기위한종형(vertical) 열처리장치는, 복수의피처리기판을상하로간격을형성하여적층한상태에서수납하도록구성된반응용기와, 반응용기내에서피처리기판을지지하는지지부재와, 반응용기내의피처리기판을가열하는히터와, 반응용기내를배기하는배기계와, 반응용기내로금속소스가스및 산화가스를공급하는가스공급계를구비하고, 가스공급계는, 반응용기내에설치된가스노즐을포함하고, 가스노즐은, 티탄을주성분으로하는금속으로이루어진다.

公开(公告)号：KR1020080022518A

公开(公告)日：2008-03-11

申请号：KR1020070089845

申请日：2007-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  이시다요시히로 ,  후지따다께히꼬 ,  오가와쥰 ,  나까지마시게루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544

Abstract: A film formation method and apparatus for a semiconductor process are provided to form a silicon oxide layer with good thickness uniformity by repeating a series of cycles of preliminary process step, an absorption step and an oxidation step. In a process region in which a first process gas comprising a film source element and not an amino group, a second process gas comprising an oxidation gas, and a third process gas comprising a preliminary process gas are selectively supplied, an oxide layer is formed on a substrate through chemical vapor deposition. A first process includes an excitation period in which the third process gas excited by an excitation device is supplied. In a second process, the first process gas is supplied, and thus the film source element is absorbed on a surface of the substrate. A third process includes an excitation period in which the second process gas excited by the excitation device is supplied, and thus the film source element absorbed on the surface of the substrate is oxidized by a radical of the generated oxidation gas.

Abstract translation: 提供半导体工艺的成膜方法和装置，通过重复一系列预处理步骤，吸收步骤和氧化步骤的循环来形成具有良好厚度均匀性的氧化硅层。 在其中选择性地提供包含膜源元件而不是氨基的第一处理气体，包括氧化气体的第二处理气体和包括预处理气体的第三处理气体的处理区域中，在 通过化学气相沉积的衬底。 第一工序包括供给由励磁装置激励的第三工艺气体的励磁时段。 在第二工序中，供给第一工艺气体，因此膜源元件被吸收在衬底的表面上。 第三工艺包括激发周期，其中由激发装置激发的第二工艺气体被供应，因此吸收在衬底表面上的膜源元件被产生的氧化气体的基团氧化。