公开(公告)号：KR101451716B1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：KR1020090056458

申请日：2009-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시다요시히로 ,  하라다카츠시게 ,  스가와라타쿠야

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31641 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45546

Abstract: (과제) 결정화하고 있고, 그리고 리크 전류도 작은 지르코니아계 막을 성막할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
(해결 수단) 진공 유지 가능한 처리 용기 내에 피(被)처리체를 삽입하여, 처리 용기 내를 진공으로 유지한 상태로 하고, 처리 용기 내에 지르코늄 원료와 산화제를 서로 번갈아 복수회 공급하여 기판상에 ZrO
2 막을 성막하는 공정과, 처리 용기 내에 실리콘 원료와 산화제를 서로 번갈아 1회 또는 복수회 공급하여 기판상에 SiO
2 막을 성막하는 공정을, 막 중의 Si 농도가 1∼4atm%가 되도록 공급 횟수를 조정하여 행하고, 이들 공급 횟수의 ZrO
2 막 성막과 SiO
2 막 성막을 1 사이클로 하여, 이 사이클을 1 이상 행하여 소정 막두께의 지르코니아계 막을 성막한다.
결정화, 성막, 지르코니아계 막

公开(公告)号：KR101095318B1

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：KR1020097026243

申请日：2009-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라타쿠야 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/76886 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76862 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: An alteration method of a titanium nitride film, comprising exposing a titanium nitride film formed on a semiconductor substrate to plasma obtained by exciting a process gas that includes noble gas or nitrogen and excludes oxygen, thereby increasing a specific resistance of the titanium nitride film.

公开(公告)号：KR1020080067970A

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：KR1020080004402

申请日：2008-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까바야시하지메 ,  스가와라타쿠야 ,  고바야시타카시 ,  키타가와쥰이치 ,  타나까요시츠구

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L29/66818

Abstract: A method of manufacturing a fin-type field effect transistor is provided to remove an undercut by etching a sacrificial oxide layer before etching a buried oxide layer. A buried oxide layer(2) made of an insulating material is formed on a Si substrate(1). A single crystalline silicon layer is formed on the buried oxide layer. A fin-shaped protrusion is formed by dry-etching selectively a single crystalline silicon layer until the underlying buried oxide layer is exposed. A sacrificial oxide layer is formed by oxidizing a surface of the protrusion including a damage. A fin(7) having a clean surface is formed by removing the sacrificial oxide layer by performing an etch process. An etching speed of the sacrificial oxide layer is higher than an etching speed of the buried oxide layer during the etch process.

Abstract translation: 提供一种制造鳍式场效应晶体管的方法，以在蚀刻掩埋氧化物层之前蚀刻牺牲氧化物层以去除底切。 在Si衬底（1）上形成由绝缘材料制成的掩埋氧化物层（2）。 在掩埋氧化物层上形成单晶硅层。 通过选择性地干法蚀刻单晶硅层直到下面的掩埋氧化物层露出来形成鳍状突起。 牺牲氧化物层通过氧化包括损伤的突起的表面而形成。 通过执行蚀刻工艺去除牺牲氧化物层，形成具有干净表面的翅片（7）。 牺牲氧化物层的蚀刻速度高于蚀刻工艺期间的掩埋氧化物层的蚀刻速度。

公开(公告)号：KR100967923B1

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：KR1020080003358

申请日：2008-01-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라타쿠야

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: (과제) 절연성 기판의 표면 부분을 간단하고 그리고 효율 좋게 가열하여 소정의 처리를 행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법.
(해결 수단) 기판(10) 표면에 도전박막(20)을 형성하고, 상기 도전박막(20)에 전극(30)을 마련하고, 상기 전극(30)과 전원(60)에 접속되는 전극(40)을 전기적으로 도통 상태로 하고, 스위치(50)를 닫아 도전박막(20)에 통전하고, 그 때의 전열 효과에 의해 도전박막(20)을 직접 발열시켜 소정 온도로 승온시키고, 반응 가스로서 SiH
4 가스 및 B
2 H
6 가스를 박막(20) 표면에 공급하여 Poly-Si을 퇴적시킨다.
기판, 도전박막, 절연성.

公开(公告)号：KR1020100032305A

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：KR1020090078562

申请日：2009-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라타쿠야 ,  야마시타코지

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31155 ,  C23C14/5833 ,  C23C14/584 ,  C23C14/5853 ,  C23C16/56

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method is provided to introduce an introduction material with low density or thin thickness by irradiating a gas cluster ion beam. CONSTITUTION: A thin film(2) is formed on a substrate(1). A gas cluster of the introduction material is ionized and accelerated. A gas cluster ion beam(3) is irradiated to the thin film. The introduction material is introduced to the thin film. The thickness of the thin film is below 10nm. The density of the introduction material is below 10%.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理方法，通过照射气体簇离子束来引入具有低密度或薄的厚度的引入材料。 构成：在基板（1）上形成薄膜（2）。 导入材料的气体簇被电离并加速。 气体簇离子束（3）被照射到薄膜上。 导入材料被引入到薄膜中。 薄膜的厚度低于10nm。 导入材料的密度低于10％。

公开(公告)号：KR1020080067965A

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：KR1020080003358

申请日：2008-01-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라타쿠야

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67017

Abstract: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to form easily a polysilicon layer by heating directly a conductive layer through a feeding electrode. A conductive layer(20) is formed on a surface of an insulating substrate(10). The insulating substrate having the conductive layer is loaded on a substrate holding unit. A feeding electrode is connected to the conductive layer to heat the conductive layer by applying electric power to the conductive layer. A power supply unit applies the electric power to the conductive layer through the feeding electrode. A gas supply unit supplies a reaction gas to the conductive layer to form a layer on the surface of the conductive layer.

Abstract translation: 提供基板处理装置和基板处理方法，通过直接通过馈电电极加热导电层来容易地形成多晶硅层。 在绝缘基板（10）的表面上形成导电层（20）。 具有导电层的绝缘基板被装载在基板保持单元上。 馈电电极连接到导电层，以通过向导电层施加电力来加热导电层。 电源单元通过馈电电极将电力施加到导电层。 气体供给单元向导电层供给反应气体，以在导电层的表面形成层。

公开(公告)号：KR100957820B1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：KR1020080004402

申请日：2008-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까바야시하지메 ,  스가와라타쿠야 ,  고바야시타카시 ,  키타가와쥰이치 ,  타나까요시츠구

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L29/66818

Abstract: SOI 웨이퍼를 이용하여 언더컷(Under Cut)의 형성이 억제된 핀(fin)형 전계 효과 트랜지스터를 간단하고 확실하게 제조할 수 있는 방법을 제공한다.
SOI 웨이퍼를 이용하여 단결정 실리콘층(3)을 하지(下地)의 매립 산화물층(2)이 노출될 때까지 선택적으로 건식 에칭하여 핀 형상의 돌기부(5)를 형성하고, 돌기부(5)에 발생된 데미지를 포함하는 표면을 산화하여 희생 산화막(6)을 형성하고, 이 희생 산화막(6)을 에칭에 의해 제거하여 깨끗한 표면을 갖는 핀을 형성하고, 핀형 전계 효과 트랜지스터를 제조함에 있어서, 에칭 시에 희생 산화막(6)의 에칭 속도(r
1 )가 매립 산화물층(2)의 에칭 속도(r
2 )보다도 높아지도록 한다.

公开(公告)号：KR1020100036249A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：KR1020097026243

申请日：2009-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라타쿠야 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/76886 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76862 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: Disclosed is a method for modifying a titanium nitride film wherein the specific resistance of a titanium nitride film is increased by irradiating the titanium nitride film formed on a semiconductor substrate with a plasma which is obtained by changing a process gas containing a rare gas or nitrogen but not containing oxygen into a plasma.

Abstract translation: 本发明公开了一种氮化钛膜的修饰方法，其中通过用等离子体照射形成在半导体衬底上的氮化钛膜来提高氮化钛膜的电阻率，该等离子体是通过改变含有稀有气体或氮气的处理气体而获得的， 不含氧进入等离子体。

公开(公告)号：KR1020100019952A

公开(公告)日：2010-02-19

申请号：KR1020090056458

申请日：2009-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시다요시히로 ,  하라다카츠시게 ,  스가와라타쿠야

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31641 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45546

Abstract: PURPOSE: Film forming method and apparatus are provided to suppress grain boundary leak in a state that keeps zirconia crystallization by depositing by depositing a zirconia type film including silicon of 1~4atm% and zirconia through an ALD method. CONSTITUTION: A processed article is inserted inside a treatment basin keeping a vacuum condition. The in-vacuum state of the treatment basin is maintained. The zirconium raw material and oxidizer are alternated inside the treatment basin and it is supplied multiple times. ZrO2 layer is formed on the upper of the substrate. A silicon material and oxidizer is supplied inside the treatment basin. The SiO2 protection substrate is formed on the upper part.

Abstract translation: 目的：通过ALD法沉积包含1〜4atm的硅和氧化锆的氧化锆型膜，通过沉积来保持氧化锆结晶的状态，提供成膜方法和装置来抑制晶界泄漏。 构成：将处理过的物品插入处理池内，保持真空状态。 处理池的真空状态得以维持。 锆原料和氧化剂在处理池内交替，并提供多次。 ZrO 2层形成在基板的上部。 在处理池内提供硅材料和氧化剂。 SiO2保护基板形成在上部。