公开(公告)号：KR101123705B1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020090023061

申请日：2009-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라켄이치 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시 ,  토시마타카유키 ,  오리이타케히코

IPC: C23C18/54 ,  C23C18/31 ,  H01L21/288

Abstract: 기판면 내에서 균일한 막 두께를 가지는 도금 처리막을 형성하는 것이다. 이 반도체 장치의 제조 장치는, 기판을 회전 가능하게 유지하는 유지 기구와, 기판 상의 피처리면에 도금 처리를 실시하기 위한 처리액을 공급하는 노즐과, 유지 기구에 유지된 기판을 피처리면에 따른 방향으로 회전시키는 기판 회전 기구와, 유지 기구에 유지된 기판 상의 피처리면과 대향하는 위치에서, 노즐을 피처리면에 따른 방향으로 이동시키는 노즐 이동 기구와, 노즐에 의한 처리액의 공급 및 노즐 이동 기구에 의한 노즐의 이동 동작을 제어하는 제어부를 구비한다.

Abstract translation: 由此在衬底表面上形成具有均匀膜厚度的镀膜。 该半导体装置的制造装置包括：保持机构，其用于可旋转地保持基板;喷嘴，其用于供给用于对基板的表面进行电镀处理的处理液;基板，其被保持机构保持; 一种喷嘴移动机构，用于在由保持机构保持的基板上的与待处理表面相对的位置处沿着待处理表面的方向移动喷嘴; 以及用于控制喷嘴的喷嘴移动的控制单元。

公开(公告)号：KR1020090106339A

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：KR1020090023061

申请日：2009-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라켄이치 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시 ,  토시마타카유키 ,  오리이타케히코

IPC: C23C18/54 ,  C23C18/31 ,  H01L21/288

Abstract: PURPOSE: A semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method thereof are provided to suppress effect of by-products generated in the plating reaction and reduce the used amount of the electroless plating solution. CONSTITUTION: A semiconductor manufacturing apparatus comprises a holding mechanism, a nozzle, a board rotation device, a nozzle transfer device, and a controller. The holding mechanism maintains a substrate(W) to be rotated. The nozzle supplies the processing liquid to perform the plating treatment on the processed surface of the substrate. The board rotation device rotates the substrate maintained in the holding mechanism in the direction according to the processed surface. The nozzle transfer device moves a nozzle in the location faced with the processed surface of the substrate maintained in the holding mechanism in the direction according to the processed surface. The controller controls the supply of the processing liquid by the nozzle and the movement of processing liquid by the nozzle transfer device.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体制造装置及其半导体制造方法，以抑制电镀反应中产生的副产物的影响，并减少化学镀溶液的使用量。 构成：半导体制造装置包括保持机构，喷嘴，板旋转装置，喷嘴传送装置和控制器。 保持机构保持要旋转的基板（W）。 喷嘴供给处理液，对基板的被处理面进行电镀处理。 板旋转装置使保持在保持机构中的基板沿着经处理的表面的方向旋转。 喷嘴传送装置在保持在保持机构中的基板的被处理面朝向与处理面相对的方向上移动喷嘴。 控制器通过喷嘴控制处理液的供给和喷嘴传送装置的处理液的移动。