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公开(公告)号：KR102233590B1
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020140111578
申请日：2014-08-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 생산성을향상시키는것이다. 실시예의일태양에따른기판처리방법은, 처리후에분위기관리또는시간관리가필요한전처리가행해진기판에대하여, 휘발성분을포함하고기판상에막을형성하기위한처리액을공급하는처리액공급공정과, 상기휘발성분이휘발함으로써상기처리액이고화또는경화된기판을반송용기에수용하는수용공정을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150024794A
公开(公告)日：2015-03-09
申请号：KR1020140111577
申请日：2014-08-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: B05B12/14 , B05B7/00 , B05B7/2497 , B05B13/0228 , B05B16/20 , H01L21/02063 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715
Abstract: 드라이 에칭 후 또는 애싱 후에 기판 상에 잔존하는 반응 생성물을 기판에의 데미지를 억제하면서 제거하는 것이다. 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 처리액 공급 공정과 제거액 공급 공정을 포함한다. 처리액 공급 공정은, 드라이 에칭 후 또는 애싱 후의 기판에 대하여, 휘발 성분을 포함하고 기판 상에 막을 형성하기 위한 처리액을 공급한다. 제거액 공급 공정은, 휘발 성분이 휘발함으로써 기판 상에서 고화 또는 경화된 처리액에 대하여 처리액을 제거하는 제거액을 공급한다.
Abstract translation: 本发明是在干蚀刻或灰化之后除去留在基板上的反应产物，同时抑制对基板的损伤。 根据实施例的基板处理方法包括处理液供给处理和去除剂供给处理。 处理液供给处理装置含有挥发性成分的处理液，在干蚀刻或灰化之后，在基板上形成薄膜至基板。 去除剂供应过程在挥发性成分挥发时，将除去处理液的去除剂相对于在基材上老化或固化的处理液体去除。
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公开(公告)号：KR1020120117682A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020120038571
申请日：2012-04-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/3105 , H01L21/02164 , H01L21/02359 , H01L21/31111 , H01L21/6708
Abstract: PURPOSE: An etching method, an etching apparatus, and a storage medium are provided to selectively etch a silicon nitride layer with etchants and protect the surface of a silicon oxide layer by a silylation layer. CONSTITUTION: A silicon nitride layer and a silicon oxide layer are exposed to the surface of a substrate. A protection layer composed of a silylation layer is formed on the surface of the silicon oxide layer on the substrate by supplying silylation agents to the substrate with the exposed silicon nitride layer and silicon oxide layer. The silylation layer is removed by supplying a first rinse solution to the substrate. The silicon nitride layer is selectively etched by supplying the etchants to the substrate. [Reference numerals] (AA) Supplying silylation agents; (BB) Supplying IPA; (CC) Supplying a first rinse solution; (DD) Supplying an etchant; (EE) Supplying a second rinse solution; (FF) Drying(IPA for drying); (GG) Removing a silylation film by UV radiation
Abstract translation: 目的：提供蚀刻方法，蚀刻装置和存储介质以选择性地用蚀刻剂蚀刻氮化硅层并通过甲硅烷基层保护氧化硅层的表面。 构成：将氮化硅层和氧化硅层暴露于衬底的表面。 通过向暴露的氮化硅层和氧化硅层的基板供给硅烷化剂，在基板上的氧化硅层的表面上形成由甲硅烷基层构成的保护层。 通过向基底提供第一冲洗溶液来除去甲硅烷基化层。 通过向衬底提供蚀刻剂来选择性地蚀刻氮化硅层。 （AA）供应甲硅烷基化剂; （BB）供应IPA; （CC）提供第一个冲洗液; （DD）提供蚀刻剂; （EE）提供第二冲洗溶液; （FF）干燥（IPA干燥）; （GG）通过紫外线辐射除去甲硅烷基化膜
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公开(公告)号：KR1020090106339A
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：KR1020090023061
申请日：2009-03-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C18/54 , C23C18/31 , H01L21/288
Abstract: PURPOSE: A semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method thereof are provided to suppress effect of by-products generated in the plating reaction and reduce the used amount of the electroless plating solution. CONSTITUTION: A semiconductor manufacturing apparatus comprises a holding mechanism, a nozzle, a board rotation device, a nozzle transfer device, and a controller. The holding mechanism maintains a substrate(W) to be rotated. The nozzle supplies the processing liquid to perform the plating treatment on the processed surface of the substrate. The board rotation device rotates the substrate maintained in the holding mechanism in the direction according to the processed surface. The nozzle transfer device moves a nozzle in the location faced with the processed surface of the substrate maintained in the holding mechanism in the direction according to the processed surface. The controller controls the supply of the processing liquid by the nozzle and the movement of processing liquid by the nozzle transfer device.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体制造装置及其半导体制造方法，以抑制电镀反应中产生的副产物的影响，并减少化学镀溶液的使用量。 构成：半导体制造装置包括保持机构，喷嘴，板旋转装置，喷嘴传送装置和控制器。 保持机构保持要旋转的基板（W）。 喷嘴供给处理液，对基板的被处理面进行电镀处理。 板旋转装置使保持在保持机构中的基板沿着经处理的表面的方向旋转。 喷嘴传送装置在保持在保持机构中的基板的被处理面朝向与处理面相对的方向上移动喷嘴。 控制器通过喷嘴控制处理液的供给和喷嘴传送装置的处理液的移动。
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公开(公告)号：KR100827796B1
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：KR1020020045729
申请日：2002-08-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6708 , B08B3/02
Abstract: 본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 다른 처리유체를 공급하는 복수의 공급수단(61, 62, 63)을 기판(W) 주변부를 따라 상대적으로 이동시켜서, 기판(W)을 처리하는 기판처리장치에 있어서, 복수의 공급수단(61, 62, 63)을 기판(W) 주변에서 안쪽을 향하는 방향으로 늘어세워 배치하고 저속회전으로도 안정된 처리가 가능함과 동시에 레지스트처리의 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데에 있다.
Abstract translation: 本发明中，由多个供应的相对移动的基板处理装置装置，用于沿着所述设备中的衬底（W）的外围，处理基板（W）供给不同的处理流体（61，62,63） 衬底，其方法，可以直立放置拉伸朝向基板（W）周围的内侧的方向上的多个供给手段（61，62，63）以及可能的，并在同一时间提高了抗蚀剂工艺稳定处理的吞吐量以低速旋转 并提供一种处理装置。
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公开(公告)号：KR101822950B1
公开(公告)日：2018-01-29
申请号：KR1020130106582
申请日：2013-09-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/04 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/0209 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: 패턴손상또는하지막의침식을억제하면서, 기판에부착한파티클을제거하는것이다. 실시예에따른기판세정방법은, 제 1 공급공정과타면처리공정과제 2 공급공정을포함한다. 제 1 공급공정에서는, 휘발성분을포함하고기판의주면전면에막을형성하기위한처리액을기판으로공급한다. 타면처리공정에서는, 처리액으로부터휘발성분이휘발함으로써고화또는경화하여형성된막으로기판의주면전면이덮인상태에서, 기판의타면을처리한다. 제 2 공급공정에서는, 타면처리공정후에, 막의전부를제거하는제거액을기판으로공급한다.
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公开(公告)号：KR1020150024795A
公开(公告)日：2015-03-09
申请号：KR1020140111578
申请日：2014-08-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/6715
Abstract: 생산성을 향상시키는 것이다. 실시예의 일태양에 따른 기판 처리 방법은, 처리 후에 분위기 관리 또는 시간 관리가 필요한 전처리가 행해진 기판에 대하여, 휘발 성분을 포함하고 기판 상에 막을 형성하기 위한 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과, 상기 휘발 성분이 휘발함으로써 상기 처리액이 고화 또는 경화된 기판을 반송 용기에 수용하는 수용 공정을 포함한다.
Abstract translation: 本发明是为了提高生产率。 根据实施方式的基板处理方法包括：处理液供给工序，其供给含有挥发成分的处理液，在基板上形成膜，所述基板在进行了预处理的情况下进行，所述预处理需要气氛管理或处理后的时间管理; 以及当挥发性成分挥发时，容纳处理液老化或硬化的基板的容纳工序。
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公开(公告)号：KR1020140067892A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：KR1020130105428
申请日：2013-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/6715 , H01L21/68728 , H01L21/68792
Abstract: An objective of the present invention is to remove particles attached to a substrate while preventing damage to a pattern and erosion of an under layer. A substrate cleaning system according to an embodiment includes a first processor and a second processor. The first processor includes a first holder to hold a substrate, and a first supply part to supply, to a substrate, a treatment solution which includes a volatile component and forms a film on an entire portion of a front surface of the substrate. The second processor includes a second holder to hold the substrate and a second supply part to supply, to the substrate, a removal solution which removes the film formed on the substrate by volatilizing volatile components of the treatment solution supplied by the first supply part to be solidified or cured.
Abstract translation: 本发明的目的是除去附着在基板上的颗粒，同时防止图案的损伤和下层的侵蚀。 根据实施例的基板清洁系统包括第一处理器和第二处理器。 第一处理器包括用于保持基板的第一保持器和用于向基板提供包括挥发性成分并且在基板的前表面的整个部分上形成膜的处理溶液的第一供给部。 第二处理器包括用于保持基板的第二保持器和第二供应部件，以向基板提供去除溶液，该去除溶液通过使由第一供应部件供应的处理溶液的挥发性成分挥发而除去形成在基板上的膜， 凝固或固化。
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公开(公告)号：KR100772469B1
公开(公告)日：2007-11-02
申请号：KR1020057021359
申请日：2004-11-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , G02F2001/1316 , G11B23/505 , H01L21/67034
Abstract: 본 발명은 웨이퍼(W)를 거의 수평 자세로 소정의 회전수로 회전시키면서 그 표면에 소정 유량으로 순수를 공급하여 웨이퍼(W)를 린스 처리한 후에, 웨이퍼(W)로의 순수 공급 유량을 줄이고, 또한 순수 공급점을 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외측으로 이동시킨다. 이렇게 해서 순수 공급점의 거의 외측에서 액막을 형성하면서 웨이퍼(W)를 스핀 건조 처리한다.
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公开(公告)号：KR1020060034640A
公开(公告)日：2006-04-24
申请号：KR1020057021359
申请日：2004-11-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , G02F2001/1316 , G11B23/505 , H01L21/67034
Abstract: After rinsing a wafer (W) by rotating the wafer generally horizontally at a certain revolution speed and supplying purified water to the surface thereof at a certain flow rate, the supplying rate of purified water to the wafer (W) is decreased and the supplying point of purified water is moved from the center to the circumferential part of the wafer (W). Consequently, the wafer (W) is spin-dried, while forming a liquid film in a position generally outside the purified water supplying point.
Abstract translation: 通过以一定的转速大致水平旋转晶片冲洗晶片（W）并以一定的流量向其表面供给净化水，净化水对晶片（W）的供给速率降低，供给点 的净化水从晶片（W）的中心移动到周向部分。 因此，将晶片（W）旋转干燥，同时在纯化水供给点的大致外侧形成液膜。
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