公开(公告)号：KR100283853B1

公开(公告)日：2001-02-15

申请号：KR1020000025795

申请日：2000-05-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마기이치 ,  하타지로 ,  혼고도시아키

IPC: H01L21/302

Abstract: LCD기판 상에 실리콘막을 형성하는 플라즈마 CVD장치는 석영제의 칸막이판에 의해 처리실과 상부실로 구획된 콘테이너를 구비한다. 처리실 내에는 기판을 얹어놓기 위한 재치대가 설치되고, 재치대에는 고주파 전위가 인가되는 하부전극이 내장된다. 칸막이판과 재치대의 사이에는 아래쪽의 제 1 공급헤드와 위쪽의 제 2 공급헤드가 설치된다. 제 1 및 제 2 공급헤드에서는 각각 SiH
4 가스와 He가스가 공급된다. He가스는 플라즈마로 변화되고, SiH
4 가스가 플라즈마에 의해 여기되어 분해된다. 상부실 내에는 He가스의 플라즈마에서의 변화를 촉진하는 전자계를 형성하기 때문에, 고주파 전압이 인가되는 2개의 코일이 설치된다. 2개의 코일에 인가되는 고주파 전압은 동일 위상으로 2개의 인접하는 부분에서 전류의 방향이 일치한다.

公开(公告)号：KR1019980032475A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019970050789

申请日：1997-10-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마기이치

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 플라스마처리장치에 관한 것으로, 특히 고주파안테나에 고주파전력을 인가함으로써 처리실내에 유도플라스마를 여기하는 유도결합플라스마처리장치에 관한 것으로서,
LCD기판용의 고주파유도결합플라스마에칭장치는 기밀한 처리실(102a)을 규정하는 처리용기(102)를 갖고, 처리실(102a)내에는 LCD기판(L)을 지지하기 위한 재치대(106)가 설치되며, 처리실(102a)내를 배기하는 동시에 진공으로 설정하기 위한 진공펌프(136a)가 설치되고, 재치대(106)와 대향하도록 복수의 유전체층을 갖는 안테나블록(118)이 설치되며, 안테나블록(118)의 한 개의 층(118c)내에는 전계를 형성하기 위한 고주파안테나(120)가 매립되고, 고주파안테나(120)에는 고주파전압을 인가하기 위한 전원(126)이 접속되며, 안테나블록(118)의 가장 아래층(202)은 샤워헤드로서 형성되고 고주파안테나(120)와 재치대(106)사이의 위치에서 처리실(102a)내에 처리가스가 공급되고, 처리가스의 적어도 일부가 전계에 재촉되어 플라스마에 연화되며, 샤워헤드의 층(202)에 있어서 가� �유통로(212)는 재치대(106)의 재치면의 평면외부윤곽내에 있어서의 투영면적비가 15%∼25%로 되도록 설정되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100196196B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019930004900

申请日：1993-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마하시잇세이 ,  하마기이치 ,  하타지로오

IPC: G02F1/1337

Abstract: LCD 제조 프로세서에 있어서의 폴리 크리스탈 실리콘막의 형성 방법에 있어서, 먼저, LCD의 화소부 및 드라이버부로 되는 영역에 걸쳐 유리기판상에 플라즈마 CVD에 의하여 수소화 비정질 실리콘막이 형성된다. 다음에 상기 드라이버로 되는 영역상의 상기 막이 선택되는 영역에 레이저광 빔이 조사된다. 레이저 광 빔의 에너지는 최초 상기 막이 결정화되지 않고, 상기 막을 파괴하는 일없이 상기 막내에 수소가 방출 되도록 설정된다. 레이저광 빔의 에너지는 최종적으로 상기 막이 폴리 크리스탈 실리콘으로 변화되는 강도로 설정된다. 이에 의하여 수소의 방출에 의하여 막의 손상을 주는 일없이 수소화 비정질 실리콘막을 다결정화할 수가 있다.

公开(公告)号：KR1019950021176A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019940034797

申请日：1994-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마기이치 ,  하타지로 ,  혼고도시아키

IPC: H01L21/302

Abstract: LCD기판상에 실리콘막을 형성하는 플라즈마 CVD 장치는 석영제의 칸막이판에 의하여 처리실과 상부실로 구획된 코테이너를 구비한다. 처리실내에는 기판을 재치하기 위한 재치대가 설치되고, 재치대에는 고주파 전위가 인가되는 하부전극이 내장된다. 칸막이판과 재치대와의 사이에는 아래쪽의 제1 공급헤드와 위쪽의 제2 공급헤드가 설치된다. 제1 및 제2 공급헤드로부터는 각각 SiH
4 가스와 He 가스가 공급된다. He가스는 플라즈마로 변화되고, SiH
4 가스가 플라즈마에 의하여 여기되어 분해된다. 상부실내에는 He 가스의 플라즈마에서의 변화를 촉진하는 전자계를 형성하기 때문에 고주파 전압이 인가되는 2개의 코일이 설치된다. 2개의 코일에 인가되는 고주파 전압은 동일 위상으로 2개의 인접하는 부분에서 전류의 방향이 일치한다.

公开(公告)号：KR1019940012565A

公开(公告)日：1994-06-23

申请号：KR1019930024290

申请日：1993-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마기이치 ,  이마하시잇세이 ,  하타지로

IPC: H01L21/66

公开(公告)号：KR100371676B1

公开(公告)日：2003-03-28

申请号：KR1019970050789

申请日：1997-10-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마기이치

IPC: H01L21/31

Abstract: A plasma etching apparatus of the high-frequency induction coupling type for processing an LCD substrate has a process container forming an airtight process room 102a. A work table 106 is arranged in the process room102a for supporting the LCD substrate L. A vacuum pump 136a is arranged for exhausting and setting the process room 102a into a vacuum state. An antenna block 118 having a plurality of dielectric layers is arranged to face the work table. A RF antenna 120 is embedded in one layer 118c of the antenna block 118 for forming an electric field. A power supply 126 is connected to the RF antenna 120 for applying an RF power. The lowermost layer 202 of the antenna block 118 is formed as a shower head for supplying a process gas into the process room 102a from a position between the RF antenna 120 and the work table 106. At least part of the process gas is turned into plasma by the electric field. In the layer 202 formed as the shower head, the gas passage has such a projected area ratio from 15% to 25% on a planar outer-contour of the mount surface of the work table 106.

Abstract translation: 用于处理LCD基板的高频感应耦合型等离子蚀刻装置具有形成气密处理室102a的处理容器。 工作台106布置在处理室102a中以支撑LCD基板L.布置真空泵136a用于将处理室102a排气和设置为真空状态。 具有多个介电层的天线块118被布置为面向工作台。 RF天线120嵌入天线块118的一个层118c中以形成电场。 电源126连接到RF天线120以施加RF功率。 天线块118的最下层202形成为喷头，用于从RF天线120和工作台106之间的位置向处理室102a中供应处理气体。至少部分处理气体变成等离子体 由电场。 在形成为喷头的层202中，气体通道在工作台106的安装表面的平面外轮廓上具有从15％至25％的投影面积比。

公开(公告)号：KR100272189B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019940034797

申请日：1994-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마기이치 ,  하타지로 ,  혼고도시아키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/466 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: LCD기판 상에 실리콘막을 형성하는 플라즈마 CVD장치는 석영제의 칸막이판에 의해 처리실과 상부실로 구획된 콘테이너를 구비한다. 처리실 내에는 기판을 얹어놓기 위한 재치대가 설치되고, 재치대에는 고주파 전위가 인가되는 하부전극이 내장된다. 칸막이판과 재치대의 사이에는 아래쪽의 제1공급헤드와 위쪽의 제2공급헤드가 설치된다. 제1 및 제2공급헤드에서는 각각 SiH
4 가스와 He가스가 공급된다. He가스는 플라즈마로 변화되고, SiH
4 가스가 플라즈마에 의해 여기되어 분해된다. 상부실 내에는 He가스의 플라즈마에서의 변화를 촉진하는 전자계를 형성하기 때문에, 고주파 전압이 인가되는 2개의 코일이 설치된다. 2개의 코일에 인가되는 고주파 전압은 동일 위상으로 2개의 인접하는 부분에서 전류의 방향이 일치한다.

公开(公告)号：KR1019930020203A

公开(公告)日：1993-10-19

申请号：KR1019930004900

申请日：1993-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마하시잇세이 ,  하마기이치 ,  하타지로오

IPC: G02F1/1337

Abstract: LCD제조 프로세서에 있어서의 폴리 크리스탈 실린콘막의 형성 방법에 있어서, 먼저, LCD의 화소부 및 드라이버부로 되는 영역에 걸쳐 유리기판상에 플라즈마 CVD에 의하여 수소화 어멀퍼스 실리콘막이 형성된다.
다음에 상기 드라이버로 되는 영역상의 상기 막이 선택되는 영역에 레이저광 빔이 조사된다. 레이저광 빔의 에너지 최초 상기 막을 결정화되지 않고, 상기 막을 파괴하는 일없이 상기 막내에 수소가 방출되도록 설정된다. 레이저광 빔의 에너지는 최종적으로 상기 막이 폴리 크리스탈 실리콘으로 변화되는 강도로 설정된다. 이에 의하여 수소의 방출에 의하여 막의 손상을 주는 일없이 수소화 어멀퍼스 실리콘막을 다결정화 할수가 있다.