公开(公告)号：KR100985953B1

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：KR1020070048124

申请日：2007-05-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼고도시아키 ,  오사와테츠

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: A plasma processing apparatus can apply a high-quality process to an object to be processed by removing impurities from a gas-introducing part of a process chamber. The gas-introducing part connected to the process chamber so as to introduce a reactant gas into the process chamber. A first vacuum pump is connected to the process chamber so as to evacuate gas from the process chamber so that the process chamber is maintained at a negative pressure. A gas-evacuating arrangement is connected to the gas-introducing part so as to exclusively evacuate the reactant gas from the gas-introducing part. The gas-evacuating arrangement includes a second vacuum pump directly connected to the gas introducing part or a bypass passage connecting the gas-introducing par to the first vacuum pump by bypassing the process chamber.

公开(公告)号：KR100272189B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019940034797

申请日：1994-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마기이치 ,  하타지로 ,  혼고도시아키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/466 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: LCD기판 상에 실리콘막을 형성하는 플라즈마 CVD장치는 석영제의 칸막이판에 의해 처리실과 상부실로 구획된 콘테이너를 구비한다. 처리실 내에는 기판을 얹어놓기 위한 재치대가 설치되고, 재치대에는 고주파 전위가 인가되는 하부전극이 내장된다. 칸막이판과 재치대의 사이에는 아래쪽의 제1공급헤드와 위쪽의 제2공급헤드가 설치된다. 제1 및 제2공급헤드에서는 각각 SiH
4 가스와 He가스가 공급된다. He가스는 플라즈마로 변화되고, SiH
4 가스가 플라즈마에 의해 여기되어 분해된다. 상부실 내에는 He가스의 플라즈마에서의 변화를 촉진하는 전자계를 형성하기 때문에, 고주파 전압이 인가되는 2개의 코일이 설치된다. 2개의 코일에 인가되는 고주파 전압은 동일 위상으로 2개의 인접하는 부분에서 전류의 방향이 일치한다.

公开(公告)号：KR101116056B1

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：KR1020110003105

申请日：2011-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼고도시아키 ,  오사와테츠

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 처리실의 가스 도입부로부터 불순물을 제거함으로써 피처리체를 고품질 플라즈마 처리한다. 가스 도입부가 처리실에 접속되어 반응 가스가 처리실로 도입되게 한다. 제 1 진공 펌프는 상기 처리실이 감압 환경으로 유지되도록 처리실을 배기하기 위해서 처리실에 접속된다. 배기 장치는 가스 도입부로부터 반응 가스만을 배기하도록 가스 도입부에 접속된다. 배기 장치는 처리실을 우회함으로써 가스 도입부를 제 1 진공 펌프에 직접 접속하는 제 2 진공 펌프를 구비한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置可以通过从处理室的气体引入部分去除杂质来将高质量处理应用于待处理对象。 连接到处理室的气体引入部分将反应气体引入处理室。 第一真空泵连接到处理室以从处理室排出气体，使得处理室保持负压。 抽气装置连接到气体引入部分，以便专门地从气体引入部分抽空反应物气体。 抽气装置包括直接连接到气体引入部件的第二真空泵或旁路通道，旁路通道绕过处理室将气体引入部件连接到第一真空泵。

公开(公告)号：KR100693695B1

公开(公告)日：2007-03-09

申请号：KR1020010014798

申请日：2001-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼고도시아키 ,  오사와테츠

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/511

Abstract: 본 발명은 유전판을 투과하는 마이크로파로 인해 불순물이 발생하는 것을 방지함으로써 피처리체에 고품질의 플라즈마 처리를 실시하는 것을 목적으로 한다. 유전판은 플라즈마 처리 장치의 처리실과, 플라즈마 처리에 필요한 마이크로파를 안내하는 슬롯 전극 사이에 배치 가능한다. 상기 유전판의 상기 두께(H)는 상기 유전판내의 상기 마이크로파의 파장(λ)과 마이크로판의 투과로 인한 유전판의 유리가 최소화되도록 하는 사전설정된 관계를 가진다. 상기 파장(λ)은 λ=λ
O n의 관계를 가지며, 여기서 λ
O 는 진공중의 상기 마이크로파의 파장이며, n은 상기 유전판의 파장 단축율 n=1/(ε
t )
l/2 을 이용하여 얻으며, ε
t 는 진공에서 유전판의 비유전율이다.

公开(公告)号：KR100565131B1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：KR1020030046711

申请日：2003-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼고도시아키 ,  마츠모토나오키 ,  고시미즈치시오

IPC: H05H1/16

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/507 ,  H01J37/32091

Abstract: 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 고주파 유도 안테나와 진공 챔버를 분리하는 플레이트를 포함한다. 이 플레이트는 개구가 마련된 비자성 금속 플레이트와 상기 개구를 밀봉하는 유전성 재료 부재를 포함한다. 상기 비자성 금속 플레이트의 영역은 유전성 재료 부재의 영역보다 크다.

Abstract translation: 根据本发明的等离子体处理装置包括用于分离高频感应天线和真空室的板。 该板包括设置有开口的非磁性金属板和密封开口的介电材料构件。 非磁性金属板的面积大于电介质材料的面积。

公开(公告)号：KR1020050035883A

公开(公告)日：2005-04-19

申请号：KR1020057002438

申请日：2003-08-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼고도시아키

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L21/31654

Abstract: A method of obtaining in a short time an insulation film capable of being obtained from an LCD-use TFT and having a large dielectric strength and a small interface-level density. A silicon substrate (101) is subjected to plasma oxidizing to form a first insulation film (102), and a second insulation film (103) is deposited on the first insulation film (102) by using plasma CVD to thereby form an insulation film.

Abstract translation: 在短时间内获得能够从LCD用TFT获得并具有大的介电强度和小的界面层密度的绝缘膜的方法。 对硅基板（101）进行等离子体氧化以形成第一绝缘膜（102），并且通过使用等离子体CVD沉积在第一绝缘膜（102）上的第二绝缘膜（103），从而形成绝缘膜。

公开(公告)号：KR1019950021176A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019940034797

申请日：1994-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마기이치 ,  하타지로 ,  혼고도시아키

IPC: H01L21/302

Abstract: LCD기판상에 실리콘막을 형성하는 플라즈마 CVD 장치는 석영제의 칸막이판에 의하여 처리실과 상부실로 구획된 코테이너를 구비한다. 처리실내에는 기판을 재치하기 위한 재치대가 설치되고, 재치대에는 고주파 전위가 인가되는 하부전극이 내장된다. 칸막이판과 재치대와의 사이에는 아래쪽의 제1 공급헤드와 위쪽의 제2 공급헤드가 설치된다. 제1 및 제2 공급헤드로부터는 각각 SiH
4 가스와 He 가스가 공급된다. He가스는 플라즈마로 변화되고, SiH
4 가스가 플라즈마에 의하여 여기되어 분해된다. 상부실내에는 He 가스의 플라즈마에서의 변화를 촉진하는 전자계를 형성하기 때문에 고주파 전압이 인가되는 2개의 코일이 설치된다. 2개의 코일에 인가되는 고주파 전압은 동일 위상으로 2개의 인접하는 부분에서 전류의 방향이 일치한다.

公开(公告)号：KR1020110010660A

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：KR1020110003105

申请日：2011-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼고도시아키 ,  오사와테츠

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to process a target with high quality plasma by removing foreign material from a gas inlet. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus generates microwave plasma through an antenna member(120) having a plurality of slits in a process chamber. A dielectric substrate is installed in the plasma processing apparatus and has thickness which is 0.3-0.4 times of microwave wavelength or 0.5-0.75 times of microwave wavelength The dielectric substrate is made of AlN or quartz. A temperature control plate(122) is arranged in the peripheral part of the dielectric substrate. A shower plate is arranged in the bottom of the dielectric substrate. A gas flow path for supplying a process gas is formed in boundary of the dielectric substrate and the shower plate.

Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置，通过从气体入口去除异物来处理具有高质量等离子体的靶。 构成：等离子体处理装置通过处理室中具有多个狭缝的天线构件（120）产生微波等离子体。 电介质基板安装在等离子体处理装置中，其厚度为微波波长的0.3-0.4倍或微波波长的0.5-0.75倍。电介质基板由AlN或石英制成。 温度控制板（122）布置在电介质基板的周边部分中。 电介质基板的底部布置有喷淋板。 在电介质基板和喷淋板的边界形成用于供给处理气体的气体流路。

公开(公告)号：KR1020100122894A

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：KR1020107007491

申请日：2009-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다아츠시 ,  아다치히카루 ,  티안카이종 ,  후쿠다요시노리 ,  혼고도시아키 ,  요시오카마사오

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 전자파 발생원에서 발생한 전자파를 도입하는 평면 안테나 부재로서, 도전성 재료로 이루어지는 평판형 기재와, 상기 평판형 기재에 형성된, 전자파를 방사하는 복수의 관통구를 구비하고, 상기 관통구는, 상기 평면 안테나 부재의 중심에 그 중심이 겹쳐지는 원의 둘레 상에 배열된 복수의 제1 관통구와, 상기 제1 관통구의 외측에 상기 원과 동심원 형상으로 배열된 복수의 제2 관통구를 포함하고 있으며, 상기 평면 안테나 부재의 중심으로부터 상기 제1 관통구의 중심까지의 거리(L1)와, 상기 평면 안테나 부재의 반경(r)의 비(L1/r)가, 0.35 ∼ 0.5의 범위이고, 상기 평면 안테나 부재의 중심으로부터 상기 제2 관통구의 중심까지의 거리(L2)와, 상기 평면 안테나 부재의 반경(r)의 비(L2/r)가, 0.7 ∼ 0.85의 범위인 � �을 특징으로 하는 평면 안테나 부재이다.

公开(公告)号：KR100960410B1

公开(公告)日：2010-05-28

申请号：KR1020090120493

申请日：2009-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼고도시아키 ,  오사와테츠

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: A plasma processing apparatus can apply a high-quality process to an object to be processed by removing impurities from a gas-introducing part of a process chamber. The gas-introducing part connected to the process chamber so as to introduce a reactant gas into the process chamber. A first vacuum pump is connected to the process chamber so as to evacuate gas from the process chamber so that the process chamber is maintained at a negative pressure. A gas-evacuating arrangement is connected to the gas-introducing part so as to exclusively evacuate the reactant gas from the gas-introducing part. The gas-evacuating arrangement includes a second vacuum pump directly connected to the gas introducing part or a bypass passage connecting the gas-introducing par to the first vacuum pump by bypassing the process chamber.

Abstract translation: 等离子体处理装置可以通过从处理室的气体引入部分去除杂质来将高质量处理应用于待处理对象。 连接到处理室的气体引入部分将反应气体引入处理室。 第一真空泵连接到处理室以从处理室排出气体，使得处理室保持负压。 抽气装置连接到气体引入部分，以便专门地从气体引入部分抽空反应物气体。 抽气装置包括直接连接到气体引入部件的第二真空泵或旁路通道，旁路通道绕过处理室将气体引入部件连接到第一真空泵。