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公开(公告)号：KR100274753B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019940008332
申请日：1994-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이마하시잇세이
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명의 열처리 장치는 열선을 투과하도록 한 프로세스 튜브와, 이 프로세스 튜브내에서 피처리체를 유지하는 유지체와, 이 프로세스 튜브로 웨이퍼를 반입, 반출하는 반송수단과, 이 유지체에 의하여 유지된 피처리체에 근접 대면하여 설치되고, 피처리체에 도달하는 열선양을 조정하는 온도조정판과, 웨이퍼가 상기 반송수단에 의해 프로세스 튜브로 반송되었을때 상기 온도조정판을 가열하는 가열수단과, 이 가열수단에 의하여 가열된 피처리체를 냉각하는 냉각수단과, 상기 온도조정판의 온도를 검출하는 온도검출수단과, 미리 파악되고 저장된 온도조정판과 더미 웨이퍼의 온도 프로파일(시간에 따른 온도의 변화)과 온도 조정판의 검출온도에 따라서 가열단계에서 상기 가열수단을 제어하는 제어수단을 가진다.
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公开(公告)号：KR100246105B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019930016786
申请日：1993-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이마하시잇세이
IPC: H01L21/302
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/4412
Abstract: 반도체 웨이퍼상의 CVD 성막장치는 반응용기를 포함한다. 반응용기에는 다수매의 웨이퍼를 이재 가능한 회전 테이블이 설치된다. 반응용기내에는 방사 형상으로 격벽에 의하여 6개의 구획실로 구분된다. 구획실은 웨이퍼를 로우드 및 언로우드하기 위한 웨이퍼 교환실과, 웨이퍼상에 실리콘막을 형성하기 위한 제1처리실과, 실리콘막을 산화하여 실리콘산화막으로 하기 위한 제2처리실과, 웨이퍼 교환실, 제1 및 제2처리실의 사이에 설치된 3개의 배기실로 된다. 웨이퍼는 테이블이 연속적으로 회전한 상태에서 처리된다. 테이블의 회전에 따라 웨이퍼는 제1 및 제2처리실에서 처리를 받고, 이들에서 발생한 불필요한 생성물은 배기실에서 순차 제거시킨다.
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公开(公告)号：KR100290749B1
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：KR1019940008916
申请日：1994-04-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 엘렉트로 사이클로트론 공명(ECR)에 의하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 피처리체(W)를 수납하는 수납부(11)와, 이 처리부에 이어진 플라즈마 발생부(12)를 가지는 처리용기(10)와, 이 처리용기(10)의 플라즈마 발생부(12) 내에 전자파를 발생하는 슬로트 안테너(20)와, 상기 플라즈마 발생부(12) 내에 자계를 인가하여 상기 전자파와 공동하여 플라즈마를 발생시키는 전자 인가 수단을 구비한다.
따라서, 플라즈마 발생실(12) 내에서 프로세스 가스(G)에 대하여 엘렉트로 사이클로트론 공명에 의한 플라즈마를 발생시키도록 하였기 때문에, 14 가우스라고 하는 낮은 자장에서도 반도체 웨이퍼(W)를 에칭할 수 있으며, 플라즈마 발생실(12) 내에서 자장이 편재하고 있어도 저자장 때문에 플라즈마 밀도의 불균일을 완화할 수 있고, 또 반도체 웨이퍼(W)에서의 챠지업을 억제할 수 있으며, 반도체 웨이퍼(W)에 고정도의 에칭을 할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100276736B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019940026833
申请日：1994-10-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/30
Abstract: 플라즈마 처리장치는, 가스도입 포트 및 가스 배기 포트를 가지는 처리실과, 피처리면을 가지는 웨이퍼를 지지하기 위하여 처리실내에 배치되는 얹어놓는 대와, 처리실로 고주파 에너지를 공급하고 처리실내에 유도 플라즈마를 발생하기 위한 고주파 안테나 및, 고주파 전압을 고주파 안테나로 인가하기 위한 고주파 전압원을 포함한다. 처리실내의 압력 및/또는 광변화는 측정시스템에 의하여 플라즈마의 발생시에 측정되며, 고주파 전압원은 측정시스템으로부터의 신호에 근거하여 제어되므로, 안테나에 인가되는 전압이 처리실내의 압력 및/또는 광에 따라 제어된다.
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公开(公告)号：KR1019940024935A
公开(公告)日：1994-11-19
申请号：KR1019940008332
申请日：1994-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이마하시잇세이
IPC: H01L21/324
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100156011B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019920014511
申请日：1992-08-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01J37/32238 , H01J37/32192 , H01J37/32678 , H01J37/32706
Abstract: 플라즈마 발생 쳄버의 상부의 투과창의 위에 마이크로파 도입구가 배치된다. 마이크로파 도입구로부터 웨이퍼 지지대의 재치면까지의 거리는 마이크로파의 파장의 ½의 정수배로 설정된다. 쳄버(1)의 위편 및 아래편에는 각각 자극이 서로 대향하듯이 배설되고, 쳄버 내에 똑같은 강도의 자장이 형성된다. 자장의 강도는, 마이크로파의 주파수가 2.45GHz일때에 전자 사이클로트론 공명 이상조건을 만족시키는 875가우스보다도 약간 어긋난 값 예컨대 875 가우스로 설정된다. 이에 의하여 전자의 에너지가 억제되고, 플라즈마를 사용하여 웨이퍼의 표면처리를 함에 있어 웨이퍼 표면의 손상이 억제된다.
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公开(公告)号：KR100138752B1
公开(公告)日：1998-06-15
申请号：KR1019910015124
申请日：1991-08-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G01R1/67
CPC classification number: G01R1/0735
Abstract: 피검사체의 전극배열에 대응하는 다수의 프로우브를 가지는 복수의 프로우브부와, 프로우브부에 각각 연이어 접속되는 리이드 패턴부와, 모든 리이드 패턴부를 지지하는 지지부로 구성되고, 수정판의 결정축(Z)과 직교하는 (Z)면을 에칭함으로써 프로우브의 긴쪽방향이 수정판의 X축 또는 Y축에 대하여 기운 방향으로 되도록 형성된 수정 프로우브 본체와, 수정 프로우브 본체상에 형성된 금속 패턴층과 수정 프로우브를 어댑터를 개재하여 부착되는 테스트기를 구비하는 프로우브 장치.
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公开(公告)号：KR1019950012608A
公开(公告)日：1995-05-16
申请号：KR1019940026833
申请日：1994-10-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/30
Abstract: 플라즈마 처리장치는, 가스도입포트 및 가스 배기포트를 가지는 처리실과, 피처리면을 가지는 웨이퍼를 지지하기 위하여 처리실내에 배치되는 얹어놓는대와, 처리실로 고주파 에너지를 공급하고 처리실내에 유도플라즈마를 발생하기 위한 고주파 안테나 및, 고주파 전압을 고주파 안테나로 인가하기 위한 고주파 전압원을 포함한다. 처리실내의 압력 및/또는 광변화는 측정시스템에 의하여 플라즈마의 발생시에 측정되며, 고주파 전압원은 측정시스템으로부터의 신호에 근거하여 제어되므로, 안테나에 인가되는 전압이 처리실내의 압력 및/또는 광에 따라 제어된다.
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公开(公告)号：KR1019940004735A
公开(公告)日：1994-03-15
申请号：KR1019930016786
申请日：1993-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이마하시잇세이
IPC: H01L21/302
Abstract: 반도체 웨이퍼상의 CVD 성막장치는 반응용기를 포함한다. 반응용기에는 다수매의 웨이퍼를 이재 가능한 회전테이블이 설치된다. 반응용기내에는 방사 형상으로 격벽에 의하여 6개의 구획실로 구분된다. 구획실은 웨이퍼를 오우드 및 언로우드하기 워한 웨이퍼 교환실과, 웨이퍼상에 실리콘막을 형성하기 위한 제1처리실과, 실리콘막을 산화하여 실리콘산화막으로 하기 위한 제2처리실과, 웨이퍼 교환실, 제1 및 제2처리실의 사이에 설치된 3개의 배기실로 된다. 웨이퍼는 테이블이 연속적으로 회전한 상태에서 처리된다. 테이블의 회전에 따라 웨이퍼는 제1 및 제2처리실에서 처리를 받고, 이들에서 발생한 불필요한 생성물은 배기실에서 순차 제거시킨다.
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公开(公告)号：KR100196196B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019930004900
申请日：1993-03-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G02F1/1337
Abstract: LCD 제조 프로세서에 있어서의 폴리 크리스탈 실리콘막의 형성 방법에 있어서, 먼저, LCD의 화소부 및 드라이버부로 되는 영역에 걸쳐 유리기판상에 플라즈마 CVD에 의하여 수소화 비정질 실리콘막이 형성된다. 다음에 상기 드라이버로 되는 영역상의 상기 막이 선택되는 영역에 레이저광 빔이 조사된다. 레이저 광 빔의 에너지는 최초 상기 막이 결정화되지 않고, 상기 막을 파괴하는 일없이 상기 막내에 수소가 방출 되도록 설정된다. 레이저광 빔의 에너지는 최종적으로 상기 막이 폴리 크리스탈 실리콘으로 변화되는 강도로 설정된다. 이에 의하여 수소의 방출에 의하여 막의 손상을 주는 일없이 수소화 비정질 실리콘막을 다결정화할 수가 있다.
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