公开(公告)号：KR100272189B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019940034797

申请日：1994-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마기이치 ,  하타지로 ,  혼고도시아키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/466 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: LCD기판 상에 실리콘막을 형성하는 플라즈마 CVD장치는 석영제의 칸막이판에 의해 처리실과 상부실로 구획된 콘테이너를 구비한다. 처리실 내에는 기판을 얹어놓기 위한 재치대가 설치되고, 재치대에는 고주파 전위가 인가되는 하부전극이 내장된다. 칸막이판과 재치대의 사이에는 아래쪽의 제1공급헤드와 위쪽의 제2공급헤드가 설치된다. 제1 및 제2공급헤드에서는 각각 SiH
4 가스와 He가스가 공급된다. He가스는 플라즈마로 변화되고, SiH
4 가스가 플라즈마에 의해 여기되어 분해된다. 상부실 내에는 He가스의 플라즈마에서의 변화를 촉진하는 전자계를 형성하기 때문에, 고주파 전압이 인가되는 2개의 코일이 설치된다. 2개의 코일에 인가되는 고주파 전압은 동일 위상으로 2개의 인접하는 부분에서 전류의 방향이 일치한다.

公开(公告)号：KR100276736B1

公开(公告)日：2001-03-02

申请号：KR1019940026833

申请日：1994-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하타지로 ,  이시이노부오 ,  고시미즈지시오 ,  다하라요시후미 ,  니시카와히로시 ,  이마하시잇세이

IPC: H01L21/30

Abstract: 플라즈마 처리장치는, 가스도입 포트 및 가스 배기 포트를 가지는 처리실과, 피처리면을 가지는 웨이퍼를 지지하기 위하여 처리실내에 배치되는 얹어놓는 대와, 처리실로 고주파 에너지를 공급하고 처리실내에 유도 플라즈마를 발생하기 위한 고주파 안테나 및, 고주파 전압을 고주파 안테나로 인가하기 위한 고주파 전압원을 포함한다. 처리실내의 압력 및/또는 광변화는 측정시스템에 의하여 플라즈마의 발생시에 측정되며, 고주파 전압원은 측정시스템으로부터의 신호에 근거하여 제어되므로, 안테나에 인가되는 전압이 처리실내의 압력 및/또는 광에 따라 제어된다.

公开(公告)号：KR100283853B1

公开(公告)日：2001-02-15

申请号：KR1020000025795

申请日：2000-05-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마기이치 ,  하타지로 ,  혼고도시아키

IPC: H01L21/302

Abstract: LCD기판 상에 실리콘막을 형성하는 플라즈마 CVD장치는 석영제의 칸막이판에 의해 처리실과 상부실로 구획된 콘테이너를 구비한다. 처리실 내에는 기판을 얹어놓기 위한 재치대가 설치되고, 재치대에는 고주파 전위가 인가되는 하부전극이 내장된다. 칸막이판과 재치대의 사이에는 아래쪽의 제 1 공급헤드와 위쪽의 제 2 공급헤드가 설치된다. 제 1 및 제 2 공급헤드에서는 각각 SiH
4 가스와 He가스가 공급된다. He가스는 플라즈마로 변화되고, SiH
4 가스가 플라즈마에 의해 여기되어 분해된다. 상부실 내에는 He가스의 플라즈마에서의 변화를 촉진하는 전자계를 형성하기 때문에, 고주파 전압이 인가되는 2개의 코일이 설치된다. 2개의 코일에 인가되는 고주파 전압은 동일 위상으로 2개의 인접하는 부분에서 전류의 방향이 일치한다.

公开(公告)号：KR1019960015721A

公开(公告)日：1996-05-22

申请号：KR1019940016829

申请日：1994-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시츠카슈우이치 ,  가와무라고헤이 ,  하타지로 ,  스즈키아키라

IPC: H01L21/26

Abstract: 플라즈마 막형성장치는, 처리실내에 처리가스를 공급하는 가스공급수단과, 처리실내의 피처리물에 대향된 제1전극과, 피처리물을 사이에 두고 제1전극에 대향되고, 평면형상의 코일로 이루어진 제2전극과, 처리실내의 압력을 0.1Torr 이하로 유지하는 압력조정수단과, 피처리물을 소정온도로 가열하는 가열수단과, 제1 및 제2전극간에 고주파전력을 인가하고, 그 결과, 처리가스가 플라즈마화되어서 플라즈마의 이온 또는 활성종의 반응에 의하여 피처리물의 표면에 박막이 형성되는 인가수단을 구비하고 있다. 한쌍의 전극간에 고주파전력을 인가하면 고주파 전계가 형성되는데, 전국의 한편이 평면형상의 코일이기 때문에, 자장이 형성된다. 그 결과, 처리가스는 전기에너지와 자기에너지에 의하여 플라즈마화한다. 따라서, 처리가스는 낮은 압력에서 플라즈마화하고, 그 압력이 0.1Torr 이하로 되어 있어도, 코일도의 플라즈마가 생성된다. 그 때문에, 피처리물 표면에 있어서의 이온 조사효율이 높고, 불순물의 제거효과가 높다.

公开(公告)号：KR1019950034531A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019950009915

申请日：1995-04-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키아키라 ,  가와무라고헤이 ,  이시즈카슈이치 ,  하타지로

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리장치는 처리용기내에서 피처리기면을 가지는 피처리물을 지지하기 위한 서셉터와, 처리용기내로 피처리물 처리가스를 공급하기 위한 다수개의 처리가스 공급노즐과, 처리가스의 플라즈마를 발생하기 위하여 처리용기내에 전자파를 발생시키는 고주파 코일을 포함하여 구성된다. 공급노즐은 처리용기내의 피처리체의 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 다수개의 높이로 형성된 처리가스 분출구멍을 가지며, 높은곳에 위치하는 가스 분출구멍들을 낮은 곳의 가스 분출구멍의 표면보다 더 중심에 가까이 위치한다.

公开(公告)号：KR100300097B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019950009915

申请日：1995-04-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키아키라 ,  가와무라고헤이 ,  이시즈카슈이치 ,  하타지로

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리장치는 처리용기내에서 피처리면을 가지는 피처리물을 지지하기 위한 서셉터와, 처리응기내로 피처리물 처리가스를 공급하기 위한 다수개의 처리가스 공급노즐과, 처리가스의 플라즈마를 발생하기 위하여 처리용기내에 전자파를 발생시키는 고주파 코일을 포함하여 구성된다. 공급노즐은 처리용기내의 피처리체의 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 다수개의 높이로 형성된 처리가스 분출구멍을 가지며, 높은 곳에 위치하는 가스 분출구멍들은 낮은 곳의 가스분출구멍의 표면보다 더 중심에 가까이 위치한다.

公开(公告)号：KR100238627B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019940000420

申请日：1994-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시이노부오 ,  하타지로

IPC: H05H1/18

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/321

Abstract: 반도체 웨이퍼가 삽입되는 챔버와, 챔버내에 처리가스를 도입하는 처리가스 도입관과, 절연체를 통하여 상기 챔버의 바깥쪽 상기 피처리체에 대향하는 부분에 설치되고, 고주파전력이 공급되므로써 피처리체 근처에 유도전계를 형성하기 위한 안테나와, 적어도 그 일부가 안테나에 겹치도록 배치된 상자성체 금속으로 되는 판재를 구비하는 플라즈마 처리장치가 개시된다.

公开(公告)号：KR1019950012608A

公开(公告)日：1995-05-16

申请号：KR1019940026833

申请日：1994-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하타지로 ,  이시이노부오 ,  고시미즈지시오 ,  다하라요시후미 ,  니시카와히로시 ,  이마하시잇세이

IPC: H01L21/30

Abstract: 플라즈마 처리장치는, 가스도입포트 및 가스 배기포트를 가지는 처리실과, 피처리면을 가지는 웨이퍼를 지지하기 위하여 처리실내에 배치되는 얹어놓는대와, 처리실로 고주파 에너지를 공급하고 처리실내에 유도플라즈마를 발생하기 위한 고주파 안테나 및, 고주파 전압을 고주파 안테나로 인가하기 위한 고주파 전압원을 포함한다. 처리실내의 압력 및/또는 광변화는 측정시스템에 의하여 플라즈마의 발생시에 측정되며, 고주파 전압원은 측정시스템으로부터의 신호에 근거하여 제어되므로, 안테나에 인가되는 전압이 처리실내의 압력 및/또는 광에 따라 제어된다.

公开(公告)号：KR100274307B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019940016829

申请日：1994-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시츠카슈우이치 ,  가와무라고헤이 ,  하타지로 ,  스즈키아키라

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/509 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/31051

Abstract: 플라즈마 막형성장치는, 처리실내에 처리가스를 공급하는 가스공급수단과, 처리실내의 피처리물에 대향된 제 1 전극과, 피처리물을 사이에 두고 제 1 전극에 대향되고, 평면형상의 코일로 이루어진 제 2 전극과, 처리실내의 압력을 0.1Torr 이하로 유지하는 압력조정수단과, 피처리물을 소정온도로 가열하는 가열수단과, 제 1 및 제 2 전극간에 고주파전력을 인가하고, 그 결과, 처리가스가 플라즈마화되어서 플라즈마의 이온 또는 활성종의 반응에 의하여 피처물의 표면에 박막이 형성되는 인가수단을 구비하고 있다. 한쌍의 전극간에 고주파전력을 인가하면 고주파전계가 형성되는데, 전극의 한편이 평면형상의 코일이기 때문에, 자장이 형성된다.
그 결과, 처리가스는 전기에너지와 자기에너지에 의하여 플라즈마화 한다. 따라서, 처리가스는 낮은 압력으로 플라즈마화하고, 그 압력이 0.1Torr이하로 되어 있어도, 고밀도의 플라즈마가 생성된다. 그 때문에, 피처리물 표면에 있어서의 이오 조사효율이 높고, 불순물의 제거효과가 높다.

公开(公告)号：KR1019950021176A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019940034797

申请日：1994-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마기이치 ,  하타지로 ,  혼고도시아키

IPC: H01L21/302

Abstract: LCD기판상에 실리콘막을 형성하는 플라즈마 CVD 장치는 석영제의 칸막이판에 의하여 처리실과 상부실로 구획된 코테이너를 구비한다. 처리실내에는 기판을 재치하기 위한 재치대가 설치되고, 재치대에는 고주파 전위가 인가되는 하부전극이 내장된다. 칸막이판과 재치대와의 사이에는 아래쪽의 제1 공급헤드와 위쪽의 제2 공급헤드가 설치된다. 제1 및 제2 공급헤드로부터는 각각 SiH
4 가스와 He 가스가 공급된다. He가스는 플라즈마로 변화되고, SiH
4 가스가 플라즈마에 의하여 여기되어 분해된다. 상부실내에는 He 가스의 플라즈마에서의 변화를 촉진하는 전자계를 형성하기 때문에 고주파 전압이 인가되는 2개의 코일이 설치된다. 2개의 코일에 인가되는 고주파 전압은 동일 위상으로 2개의 인접하는 부분에서 전류의 방향이 일치한다.