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公开(公告)号：KR1020170069940A
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020160166126
申请日：2016-12-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , C23C18/30 , C23C18/16 , C23C18/18
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1619 , C23C18/1633 , C23C18/1653 , C23C18/1675 , C23C18/1696 , C23C18/1879 , C23C18/40 , C25D7/123 , H01L21/32051 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76898
Abstract: 불순물을고농도로함유하는불순물도프폴리실리콘막을표면에가지는기판에대하여, 실란커플링제에의한실란커플링처리를행하지않아도, 기판의불순물도프폴리실리콘막에팔라듐원자를응집하지않고결합시켜촉매층을형성할수 있는기판처리장치를제공하는것을목적으로한다. 기판처리장치(1)에있어서, 도금처리부(4)는촉매액공급부(43a) 및도금액공급부(45)를구비하고, 불순물을고농도로함유하는불순물도프폴리실리콘막(90)을표면에가지는기판(W1)에대하여, 촉매액공급부(43a)에의해, 헤테로원자로서 1 또는 2 개의질소원자를가지는단환의 5 또는 6 원환의방향족또는지방족의복소환식화합물과팔라듐이온과의착체를포함하는, 알칼리성의촉매액(L1)을공급하여, 기판(W1)의불순물도프폴리실리콘막(90)의표면에촉매층(91)을형성하고, 촉매액(L1)의공급후에, 기판(W2)에대하여도금액공급부(45)에의해도금액(M1)을공급하여, 기판(W2) 상에형성된촉매층(91) 상에무전해도금층(92)을형성한다.
Abstract translation: 相对于具有含有杂质以高浓度，不受的硅烷偶联剂进行硅烷偶联处理，以形成催化剂层中的掺杂有杂质的多晶硅膜表面的衬底，偶联无结块在衬底在掺杂有杂质的多晶硅膜的钯原子 并且提供能够执行这种处理的衬底处理设备。 在基板处理装置1中，电镀处理部4具备催化剂液供给部43a和电镀液供给部45，并且具有含有高浓度杂质的杂质掺杂多晶硅膜90 相对于所述基片（W1）时，它的催化剂与液体供应部（43A），包括一个或两个具有5或6元芳族或脂族服装的回顾式化合物和钯离子作为杂原子的络合物氮源字符单环的， 将催化剂层L1供给至基板W1，在基板W1的杂质掺杂多晶硅膜90的表面形成催化剂层91，供给催化剂液体L1后， 通过将电镀溶液M1供应到量供应部分45，在形成在基板W2上的催化剂层91上形成无电镀层92。
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公开(公告)号：KR1020170069938A
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020160166021
申请日：2016-12-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , C23C18/30
CPC classification number: C23C18/40 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/1675 , C23C18/1879 , C23C18/1882 , C23C18/34 , H05K3/00
Abstract: 기판에대하여실란커플링제에의한실란커플링처리를행하지않아도, 기판의표면에팔라듐원자를결합시킬수 있는기판처리장치를제공하는것을목적으로한다. 기판처리장치(1)에있어서, 도금처리부(4)는, 촉매액공급부(43a) 및도금액공급부(45)를구비하고, 기판(W1)에대하여, 촉매액공급부(43a)에의해, 헤테로원자로서 1 또는 2 개의질소원자를가지는단환의 5 또는 6 원환의방향족또는지방족의복소환식화합물과팔라듐이온과의착체를포함하는촉매액(L1)을공급하여, 기판(W1)의표면에촉매층(91)을형성하고, 촉매액(L1)의공급후에, 기판(W2)에대하여, 도금액공급부(45)에의해도금액(M1)을공급하여, 기판(W2) 상에형성된촉매층(91) 상에무전해도금층(92)을형성한다.
Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够不在基板上进行硅烷偶联剂的硅烷偶联处理而将钯原子结合到基板的表面。 基板处理装置1的电镀处理部4具有催化剂液供给部43a和血小板供给部45.基板W1被供给催化剂液供给部43a， （L1），其含有具有一个或两个氮原子作为原子的单环的五元或六元芳族或脂族环状化合物，并且将钯离子配合物供应至基板W1的表面以形成催化剂层 91形成在基板W2上，供应到电镀液供应单元45的电镀液M1在供应催化剂溶液L1之后供应到基板W2，以在形成在基板W2上的催化剂层91上形成电镀液M1 形成无电镀层92。
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公开(公告)号：KR1020170065443A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020160156275
申请日：2016-11-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C25D17/007 , C25D3/38 , C25D5/18 , C25D17/00 , C25D17/10 , C25D21/12 , H02J7/0063 , H02J7/345 , H02J2007/0067
Abstract: 처리액중의피처리이온을이용하여, 피처리체에대한미리정해진처리를효율적으로또한적절하게행한다. 도금처리장치(1)는, 도금액(M)을사이에두도록배치된공통전극(20)과대향전극(21)을갖는다. 공통전극(20)에는제1 배선(31)과제2 배선(32)이접속되고, 또한제1 배선(31)에는캐패시터(33)가마련된다. 제1 배선(31)과제2 배선(32)을접속하지않고캐패시터(33)의충전을행함으로써, 공통전극(20)은도금액(M)에전계를형성하여, 도금액(M) 중의구리이온을대향전극(21)측으로이동시키고, 제1 배선(31)과제2 배선(32)을접속하여캐패시터(33)의방전을행함으로써, 공통전극(20)은대향전극(21)과의사이에전압을인가하여, 대향전극(21)측으로이동한구리이온을환원한다.
Abstract translation: 利用处理液中的被处理离子高效且适当地对被处理物进行规定的处理。 电镀设备1具有公共电极20和布置成在其上放置电镀液M的反电极21。 第一布线31的第二布线32连接到公共电极20，并且电容器33连接到第一布线31。 公共电极20在电镀液M中形成电场并在电镀液M中形成电场，使得电镀液M中的铜离子 通过向对电极（21）和所述第一布线的放电移动通过连接第二布线32，电容器33，公共电极20 eundae面电极21之间的电压（31）的项目 由此减少向对电极21迁移的铜离子。
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公开(公告)号：KR1020160115748A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020160033944
申请日：2016-03-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/76874 , C23C18/1653 , C23C18/1893 , C23C18/32 , C23C18/38 , C23C18/50 , H01L21/288 , H01L21/67051 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , C23C18/04 , C23C18/1619 , C23C18/1633
Abstract: 기판표면에박막의밀착층을형성한다. 기판에대하여밀착층을형성하는밀착층형성방법은, 기판(2)을회전시키면서기판(2) 상에커플링제를공급하는공정을구비한다. 기판(2)은 300 rpm 이하의저속으로회전하고, 이상태로 IPA에의해희석된커플링제가기판(2) 상에공급된다.
Abstract translation: 可以在基板的表面上形成由薄膜形成的粘附层。 在基板上形成粘合层的粘合层形成方法包括在将基板2旋转的同时将耦合剂提供到基板2上。基板2以等于或小于300rpm的低速旋转，并且用 IPA被提供到基板2上。
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