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公开(公告)号：KR1020160115748A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020160033944
申请日：2016-03-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/76874 , C23C18/1653 , C23C18/1893 , C23C18/32 , C23C18/38 , C23C18/50 , H01L21/288 , H01L21/67051 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , C23C18/04 , C23C18/1619 , C23C18/1633
Abstract: 기판표면에박막의밀착층을형성한다. 기판에대하여밀착층을형성하는밀착층형성방법은, 기판(2)을회전시키면서기판(2) 상에커플링제를공급하는공정을구비한다. 기판(2)은 300 rpm 이하의저속으로회전하고, 이상태로 IPA에의해희석된커플링제가기판(2) 상에공급된다.
Abstract translation: 可以在基板的表面上形成由薄膜形成的粘附层。 在基板上形成粘合层的粘合层形成方法包括在将基板2旋转的同时将耦合剂提供到基板2上。基板2以等于或小于300rpm的低速旋转，并且用 IPA被提供到基板2上。
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公开(公告)号：KR1020170069940A
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020160166126
申请日：2016-12-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , C23C18/30 , C23C18/16 , C23C18/18
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1619 , C23C18/1633 , C23C18/1653 , C23C18/1675 , C23C18/1696 , C23C18/1879 , C23C18/40 , C25D7/123 , H01L21/32051 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76898
Abstract: 불순물을고농도로함유하는불순물도프폴리실리콘막을표면에가지는기판에대하여, 실란커플링제에의한실란커플링처리를행하지않아도, 기판의불순물도프폴리실리콘막에팔라듐원자를응집하지않고결합시켜촉매층을형성할수 있는기판처리장치를제공하는것을목적으로한다. 기판처리장치(1)에있어서, 도금처리부(4)는촉매액공급부(43a) 및도금액공급부(45)를구비하고, 불순물을고농도로함유하는불순물도프폴리실리콘막(90)을표면에가지는기판(W1)에대하여, 촉매액공급부(43a)에의해, 헤테로원자로서 1 또는 2 개의질소원자를가지는단환의 5 또는 6 원환의방향족또는지방족의복소환식화합물과팔라듐이온과의착체를포함하는, 알칼리성의촉매액(L1)을공급하여, 기판(W1)의불순물도프폴리실리콘막(90)의표면에촉매층(91)을형성하고, 촉매액(L1)의공급후에, 기판(W2)에대하여도금액공급부(45)에의해도금액(M1)을공급하여, 기판(W2) 상에형성된촉매층(91) 상에무전해도금층(92)을형성한다.
Abstract translation: 相对于具有含有杂质以高浓度，不受的硅烷偶联剂进行硅烷偶联处理，以形成催化剂层中的掺杂有杂质的多晶硅膜表面的衬底，偶联无结块在衬底在掺杂有杂质的多晶硅膜的钯原子 并且提供能够执行这种处理的衬底处理设备。 在基板处理装置1中，电镀处理部4具备催化剂液供给部43a和电镀液供给部45，并且具有含有高浓度杂质的杂质掺杂多晶硅膜90 相对于所述基片（W1）时，它的催化剂与液体供应部（43A），包括一个或两个具有5或6元芳族或脂族服装的回顾式化合物和钯离子作为杂原子的络合物氮源字符单环的， 将催化剂层L1供给至基板W1，在基板W1的杂质掺杂多晶硅膜90的表面形成催化剂层91，供给催化剂液体L1后， 通过将电镀溶液M1供应到量供应部分45，在形成在基板W2上的催化剂层91上形成无电镀层92。
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公开(公告)号：KR1020130093539A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020130012441
申请日：2013-02-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H05K1/056 , H05K3/445 , H05K3/4608 , H05K2203/061 , Y10T29/49155
Abstract: PURPOSE: A wiring board for a semiconductor device inspecting apparatus and a manufacturing method thereof are provided to reduce manufacturing costs by easily manufacturing the wiring board with a low thermal expansion coefficient and high mechanical strength. CONSTITUTION: A through hole (102) is formed on the preset area of a metal plate (101). A metal base (110) is formed by bonding the metal plates through a diffusion and bonding process. A resin layer (111) is formed on the surface of the metal base and the inner wall of the through hole. An insulating resin (112) is filled in the through hole. A conductive pattern is formed when the resin layer is electrically insulated from the metal base.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体器件检查装置的布线板及其制造方法，通过以低热膨胀系数和高机械强度容易地制造布线板来降低制造成本。 构成：在金属板（101）的预设区域上形成通孔（102）。 金属基底（110）是通过扩散和粘结工艺粘结金属板形成的。 在金属基体的表面和通孔的内壁上形成树脂层（111）。 绝缘树脂（112）填充在通孔中。 当树脂层与金属基底电绝缘时形成导电图案。
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公开(公告)号：KR1020060061364A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：KR1020067004060
申请日：2005-02-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 호시노토모히사
CPC classification number: G01L9/0073 , G01D5/24 , G01F1/28 , G01L9/0016 , G01L9/0019
Abstract: A capacitive sensor (10) in which a parasitic capacitance does not function as a capacitor and its effect on the detected capacitance can be eliminated apparently because a guard electrode (4) is arranged between a first electrode (1) and a second electrode (2), potentials of the first electrode (1) and the guard electrode (4) are equalized by bringing the AC potential difference thereof substantially to zero through a capacitive sensor detecting circuit (64), and a variation in impedance is detected between the first electrode (1) and the second electrode (2), so that the potential difference across a parasitic capacitance between first electrode (1) and the guard electrode (4) is decreased apparently or brought substantially to zero. Thus, only a capacitance variation of the capacitive sensor (10) can be detected by means of the capacitive sensor detecting circuit (64).
Abstract translation: 一种电容传感器（10），其中寄生电容不用作电容器，并且其对检测电容的影响可以被明显消除，因为保护电极（4）布置在第一电极（1）和第二电极（2）之间 ），通过使电容式传感器检测电路（64）将交流电位差基本上变为零来使第一电极（1）和保护电极（4）的电位相等，并且在第一电极 （1）和第二电极（2），使得第一电极（1）和保护电极（4）之间的寄生电容之间的电位差明显降低或使其基本为零。 因此，只能通过电容传感器检测电路（64）检测电容传感器（10）的电容变化。
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公开(公告)号：KR100894660B1
公开(公告)日：2009-04-24
申请号：KR1020067004060
申请日：2005-02-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 호시노토모히사
CPC classification number: G01L9/0073 , G01D5/24 , G01F1/28 , G01L9/0016 , G01L9/0019
Abstract: 제1 전극(1)과 제2 전극(2) 사이에 가드 전극(4)을 배치하고, 검출 회로(64)에 의해 제1 전극(1)과 가드 전극(4)의 교류의 전위차를 거의 0에 가깝게 하여 동전위로 하며, 또한 제1 전극(1) 및 제2 전극(2) 사이의 임피던스 변화를 검출하도록 하였기 때문에, 제1 전극(1)과 가드 전극(4) 사이에 생기는 기생 용량의 양단의 전위차를 외관상 작게 하거나 또는 거의 0으로 함으로써 기생 용량은 콘덴서로서 기능하지 않기 때문에, 검출 용량에 대한 영향을 외관상 없앨 수 있다. 이에 따라, 검출 회로(64)에 의해 용량형 센서(10)의 용량 변화량만을 검출할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100786166B1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：KR1020077014093
申请日：2005-07-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L23/32
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 인터포저의 제조 방법에 있어서는, 기판(10)의 이면(12)측의 관통 구멍(13)의 개구부에 시드층(14)을 형성하고, 그 시드층(14)을 기초로 도금용 전극층(15)을 형성하며, 그곳으로부터 기판(10)의 표면(11)측으로 도금층(16)을 형성하여 관통 구멍(13)을 매립한다. 그 결과, 제조 공정이 간단하고, 또한 관통 구멍의 내부에 블로우홀이 생기지 않는 인터포저의 제조 방법을 제공할 수 있다.
인터포저, 시드층, 도금층, 블로우홀-
公开(公告)号：KR1020070086502A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020077014093
申请日：2005-07-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L23/32
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: An interposer producing method comprises the steps of forming a seed layer (14) in the opening in a through-hole (13) on the back (12) side of a base plate (10), forming a plating electrode layer (15) on the basis of the seed layer (14), and forming a plated layer (16) on the face (11) side of the base plate (10) to fill the through-hole (13). As a result, it is possible to provide an interposer producing method in which the production process is easy and no blowhole is produced in the through-hole.
Abstract translation: 一种中介层的制造方法，其特征在于，在基板（10）的背面（12）侧的贯通孔（13）的开口部形成种子层（14），形成电镀电极层（15） 种子层（14）的基础，在基板（10）的面（11）侧形成镀层（16）以填充通孔（13）。 结果，可以提供一种中间体制造方法，其中生产过程容易，并且在通孔中不产生气孔。
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公开(公告)号：KR1020170069938A
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020160166021
申请日：2016-12-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , C23C18/30
CPC classification number: C23C18/40 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/1675 , C23C18/1879 , C23C18/1882 , C23C18/34 , H05K3/00
Abstract: 기판에대하여실란커플링제에의한실란커플링처리를행하지않아도, 기판의표면에팔라듐원자를결합시킬수 있는기판처리장치를제공하는것을목적으로한다. 기판처리장치(1)에있어서, 도금처리부(4)는, 촉매액공급부(43a) 및도금액공급부(45)를구비하고, 기판(W1)에대하여, 촉매액공급부(43a)에의해, 헤테로원자로서 1 또는 2 개의질소원자를가지는단환의 5 또는 6 원환의방향족또는지방족의복소환식화합물과팔라듐이온과의착체를포함하는촉매액(L1)을공급하여, 기판(W1)의표면에촉매층(91)을형성하고, 촉매액(L1)의공급후에, 기판(W2)에대하여, 도금액공급부(45)에의해도금액(M1)을공급하여, 기판(W2) 상에형성된촉매층(91) 상에무전해도금층(92)을형성한다.
Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够不在基板上进行硅烷偶联剂的硅烷偶联处理而将钯原子结合到基板的表面。 基板处理装置1的电镀处理部4具有催化剂液供给部43a和血小板供给部45.基板W1被供给催化剂液供给部43a， （L1），其含有具有一个或两个氮原子作为原子的单环的五元或六元芳族或脂族环状化合物，并且将钯离子配合物供应至基板W1的表面以形成催化剂层 91形成在基板W2上，供应到电镀液供应单元45的电镀液M1在供应催化剂溶液L1之后供应到基板W2，以在形成在基板W2上的催化剂层91上形成电镀液M1 形成无电镀层92。
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公开(公告)号：KR100786156B1
公开(公告)日：2007-12-18
申请号：KR1020067004600
申请日：2005-07-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L23/32
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 인터포저의 제조 방법에 있어서는, 기판(10)의 이면(12)측의 관통 구멍(13)의 개구부에 시드층(14)을 형성하고, 그 시드층(14)을 기초로 도금용 전극층(15)을 형성하며, 그곳으로부터 기판(10)의 표면(11)측으로 도금층(16)을 형성하여 관통 구멍(13)을 매립한다. 그 결과, 제조 공정이 간단하고, 또한 관통 구멍의 내부에 블로우홀이 생기지 않는 인터포저의 제조 방법을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 在内插器制造方法中，在基板10的背面12侧的贯通孔13的开口部形成晶种层14，镀敷电极层15 并且从其形成朝向衬底10的表面11侧以填充通孔13的镀层16。 结果，可以提供一种制造过程简单并且在通孔中不形成气孔的内插板的制造方法。
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公开(公告)号：KR1020060060722A
公开(公告)日：2006-06-05
申请号：KR1020067004600
申请日：2005-07-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L23/32
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: An interposer producing method comprises the steps of forming a seed layer (14) in the opening in a through-hole (13) on the back (12) side of a base plate (10), forming a plating electrode layer (15) on the basis of the seed layer (14), and forming a plated layer (16) on the face (11) side of the base plate (10) to fill the through-hole (13). As a result, it is possible to provide an interposer producing method in which the production process is easy and no blowhole is produced in the through-hole.
Abstract translation: 一种中介层的制造方法，其特征在于，在基板（10）的背面（12）侧的贯通孔（13）的开口部形成种子层（14），形成电镀电极层（15） 种子层（14）的基础，在基板（10）的面（11）侧形成镀层（16）以填充通孔（13）。 结果，可以提供一种中间体制造方法，其中生产过程容易，并且在通孔中不产生气孔。
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