公开(公告)号：KR1020090122398A

公开(公告)日：2009-11-27

申请号：KR1020097021981

申请日：2008-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와코유 ,  오노유지

IPC: C23C14/24 ,  C23C16/448 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C16/4481 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10 ,  H01L51/0029

Abstract: [PROBLEMS] To accurately control a film forming speed. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A deposition apparatus (20) is provided with a deposition source unit (100), a transporting mechanism (200) for transporting an evaporated film forming material; and a blow out mechanism (400) for blowing out the transported film forming material. The deposition source unit (100) is provided with a deposition source assembly (As), a housing (Hu) and a water-cooling jacket (150). In the deposition source assembly (As), a gas supply mechanism (105), a gas introducing section (115) and a first material evaporating chamber (U) are integrally formed. Argon gas is introduced from a plurality of gas channels (105p) formed on the gas supply mechanism (105) to the first material evaporating chamber (U). A heater (120) of the housing (Hu) heats the film forming material in the first material evaporating chamber (U) and a carrier gas flowing in the gas channels (105p). The evaporated film forming material is carried by the argon gas. The water-cooling jacket (150) is arranged at a prescribed distance from the outer circumference surface of the housing (Hu) to cool the deposition source unit (100).

Abstract translation: [问题]精确地控制成膜速度。 [解决问题的手段]沉积装置（20）具有沉积源单元（100），输送蒸镀膜材料的输送机构（200） 以及用于吹出传送的成膜材料的吹出机构（400）。 沉积源单元（100）设置有沉积源组件（As），壳体（Hu）和水冷套管（150）。 在沉积源组件（As）中，一体地形成气体供给机构（105），气体导入部（115）和第一材料蒸发室（U）。 从形成在气体供给机构（105）上的多个气体通道（105p）向第一材料蒸发室（U）引入氩气。 壳体（Hu）的加热器（120）加热第一材料蒸发室（U）中的成膜材料和在气体通道（105p）中流动的载气。 蒸发的成膜材料由氩气承载。 水冷套（150）与外壳（Hu）的外周面规定距离配置，以冷却沉积源单元（100）。

公开(公告)号：KR101088828B1

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：KR1020090056318

申请日：2009-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야기야스시 ,  와타나베신고 ,  오노유지 ,  카네코히로시 ,  하세가와코유 ,  코미노미츠아키

IPC: H01L51/56 ,  C23C14/24 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/26 ,  C23C14/243 ,  H01L51/001

Abstract: 피처리체에 증착하는 성막 재료의 증기를 균일하게 가열할 수 있는 유기 EL 성막 장치를 제공한다. 감압된 처리실(30) 내에서 피처리체에 성막 재료를 증착하여 성막 처리하는 성막 장치로서, 성막 재료의 증기를 분출시키는 증기 분출구(80)가 처리실(30)에 배치된 증착 헤드(65)를 구비한다. 증착 헤드(65)의 내부에는 처리실(30) 내에 대하여 봉지(封止)된 히터 수납부(102)가 형성되고, 또한 히터 수납부(102)와 처리실(30)의 외부를 연통시키는 연통로(101)가 설치된다. 히터 수납부(102)에 수납되는 히터(100)의 전력 공급선(104)이 연통로(101) 내에 배치되어 처리실(30)의 외측으로 연장되어 있다.

公开(公告)号：KR1020090045356A

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：KR1020097005687

申请日：2007-10-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베신고 ,  오노유지 ,  하세가와코유 ,  오가와마사히로 ,  혼다코우이치

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/12 ,  C23C14/243 ,  H01L51/5012 ,  F16K1/00 ,  F16K41/10 ,  H01L21/3145

Abstract: 증기 발생부에서 발생시킨 성막 재료의 증기를 온도 저하시키지 않고 증착 헤드에 보낼 수 있는 증착 장치를 제공한다. 증착에 의해 피처리체(G)를 성막 처리하는 증착 장치(13)로서, 피처리체(G)를 성막 처리하는 처리실(30)과, 성막 재료를 증발시키는 증기 발생실(31)을 인접시켜 배치하고, 처리실(30)의 내부와 증기 발생실(31)의 내부를 감압시키는 배기 기구(36, 41)를 설치하고, 처리실(30)에 성막 재료의 증기를 분출시키는 증기 분출구(80)를 배치하고, 증기 발생실(31)에 성막 재료를 증발시키는 증기 발생부(70 ~ 72)와, 성막 재료의 증기의 공급을 제어하는 제어 밸브(75 ~ 77)를 배치하고, 증기 발생부(31)에서 발생시킨 성막 재료의 증기를, 처리실(30)과 증기 발생실(31)의 외부로 내보내지 않고, 증기 분출구(80)에 공급시키는 유로(81~83, 85)를 설치했다.

公开(公告)号：KR101238793B1

公开(公告)日：2013-03-04

申请号：KR1020097021981

申请日：2008-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와코유 ,  오노유지

IPC: C23C14/24 ,  C23C16/448 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C16/4481 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10

Abstract: 성막 속도를 정밀도 높게 제어한다. 증착 장치(20)는 증착원 유닛(100), 기화된 성막 재료를 수송하는 수송 기구(200) 및 수송된 성막 재료를 분출하는 분출 기구(400)를 가진다. 증착원 유닛(100)은 증착원 어셈블리(As), 하우징(Hu) 및 수냉 자켓(150)을 가진다. 증착원 어셈블리(As)는 가스 공급 기구(105), 가스 도입부(115) 및 제 1 재료 기화실(U)을 일체 형성한다. 아르곤 가스는 가스 공급 기구(105)에 형성된 복수의 가스 유로(105p)로부터 제 1 재료 기화실(U)로 도입된다. 하우징(Hu)의 히터(120)는 제 1 재료 기화실(U)의 성막 재료 및 복수의 가스 유로(105p)를 흐르는 캐리어 가스를 가열한다. 기화된 성막 재료는 아르곤 가스에 의해 운반된다. 수냉 자켓(150)은 하우징(Hu)의 외주면으로부터 소정의 거리를 두고 설치되고 증착원 유닛(100)을 냉각한다.

公开(公告)号：KR101075130B1

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：KR1020097005687

申请日：2007-10-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베신고 ,  오노유지 ,  하세가와코유 ,  오가와마사히로 ,  혼다코우이치

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/12 ,  C23C14/243

Abstract: 증기발생부에서발생시킨성막재료의증기를온도저하시키지않고증착헤드에보낼수 있는증착장치를제공한다. 증착에의해피처리체(G)를성막처리하는증착장치(13)로서, 피처리체(G)를성막처리하는처리실(30)과, 성막재료를증발시키는증기발생실(31)을인접시켜배치하고, 처리실(30)의내부와증기발생실(31)의내부를감압시키는배기기구(36, 41)를설치하고, 처리실(30)에성막재료의증기를분출시키는증기분출구(80)를배치하고, 증기발생실(31)에성막재료를증발시키는증기발생부(70 ~ 72)와, 성막재료의증기의공급을제어하는제어밸브(75 ~ 77)를배치하고, 증기발생부(70 ~ 72)에서발생시킨성막재료의증기를, 처리실(30)과증기발생실(31)의외부로내보내지않고, 증기분출구(80)에공급시키는유로(81~83, 85)를설치했다.

公开(公告)号：KR1020100003697A

公开(公告)日：2010-01-11

申请号：KR1020090056318

申请日：2009-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야기야스시 ,  와타나베신고 ,  오노유지 ,  카네코히로시 ,  하세가와코유 ,  코미노미츠아키

IPC: H01L51/56 ,  C23C14/24 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/26 ,  C23C14/243 ,  H01L51/001

Abstract: PURPOSE: A film forming device and a depositing device for an organic EL are provided to uniformly maintain a temperature of a vapor and evaporation quantity of a film material exhausted to a process chamber by transmitting the heat of a heater to the film material. CONSTITUTION: A vapor exhaust nozzle(80) exhausts the vapor of a film material. The vapor exhaust nozzle includes a deposition head(65) arranged in a process chamber. A heater receiver(102) is arranged inside the deposition head. A connection path(101) connects the heater receiver to the outside of the process chamber. A power supply line(104) of the heater received in the heater receiver is arranged in the connection path and is extended to the outside of the process chamber. The heater is arranged to surround the vapor path of the film material. A disk spring pressurizes the heater by interposing a pressing plate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于有机EL的成膜装置和沉积装置，通过将加热器的热量传递到膜材料来均匀地保持蒸气的温度和排出到处理室的膜材料的蒸发量。 构成：蒸汽排气喷嘴（80）排出薄膜材料的蒸气。 蒸汽排气喷嘴包括布置在处理室中的沉积头（65）。 加热器接收器（102）布置在沉积头内部。 连接路径（101）将加热器接收器连接到处理室的外部。 接收在加热器接收器中的加热器的电源线（104）布置在连接路径中并且延伸到处理室的外部。 加热器布置成围绕膜材料的蒸气路径。 盘簧通过插入压板来加压加热器。