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公开(公告)号：KR101828862B1
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：KR1020160084682
申请日：2016-07-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 플라즈마에의한부식에대한내구성이뛰어난샤워헤드를제공한다. 플라즈마처리장치(11)에구비되는샤워헤드(22)는챔버(20) 내에처리가스를토출하는가스토출홀(40)과가스토출홀(40)의가스토출구측에형성된오목부를가지는기재(60)와, 세라믹스또는스테인리스로이루어지고, 기재(60)의오목부에고정된원통형상의슬리브를가지고, 슬리브의표면과기재(60)에있어서슬리브가배치된면이내플라즈마피막(63)으로덮인구조로한다. 세라믹스슬리브(61)를이용하는경우에는기재(60)의플라즈마생성공간(S)측의면과내플라즈마피막(63)과의사이에하지피막(62)을마련한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101850193B1
公开(公告)日：2018-04-18
申请号：KR1020150178938
申请日：2015-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: (과제) 플라즈마처리를행할때에이용되는, 포커스링(6)을구비한탑재대(2)에있어서, 수직방향의전계에기인하는포커스링(6)의깎임을억제하여파티클을저감하는것. (해결수단) 유리기판 G가탑재되는탑재대본체(2)를, 측주면이평탄한기둥형상의구조로하고, 포커스링(6)의아래쪽에서탑재대본체(2)를둘러싸도록또한탑재대본체(2)의측주면에압접되도록측부절연부재(31)를마련하고있다. 따라서, 포커스링(6)의바로밑에는탑재대본체(2)가존재하지않으므로, 포커스링(6)에수직방향의전계가발생하지않게되어, 포커스링(6)의깎임을억제할수 있다. 또한하부전극(20)의측주면에측부절연부재(31)를압접시키고, 보조절연부재(32)를절연스페이서부재(28)에압접시킴과아울러, 측부절연부재(31)와, 보조절연부재(32)의틈을미로구조로하는것에의해, 이상방전을억제할수 있다.
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公开(公告)号：KR101885416B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020150184048
申请日：2015-12-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/687
Abstract: 절연재로이루어지는링 부재가그 주위에배치된탑재대에있어서, 파티클이나이상방전의발생을억제하는것이가능한기술을제공하는것. 플라즈마처리장치에마련되는탑재대(3)는, 각기둥형상의금속제의탑재대본체와, 탑재대본체의측부에형성된결합부를이루는오목부(61)와, 오목부(61)에결합하여상기탑재대본체에장착된위치결정부재(7)를구비한다. 위치결정부재(7) 위에는돌기부(72, 73)가마련되고, 이돌기부(72, 73)에링 부재(5)의하면에형성된오목부(55, 56)를감합하도록링 부재(5)를탑재하여마련한다. 따라서링 부재(5) 상면은상하방향의관통구멍이마련되지않은평탄면으로서구성되고, 파티클의발생원인이되는간극이나, 링부재의상면으로부터나사로탑재대에고정하는경우와같은이상방전으로이어지는간극이형성되지않기때문에, 파티클이나이상방전의발생을억제할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160079689A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：KR1020150184048
申请日：2015-12-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/687
Abstract: 절연재로이루어지는링 부재가그 주위에배치된탑재대에있어서, 파티클이나이상방전의발생을억제하는것이가능한기술을제공하는것. 플라즈마처리장치에마련되는탑재대(3)는, 각기둥형상의금속제의탑재대본체와, 탑재대본체의측부에형성된결합부를이루는오목부(61)와, 오목부(61)에결합하여상기탑재대본체에장착된위치결정부재(7)를구비한다. 위치결정부재(7) 위에는돌기부(72, 73)가마련되고, 이돌기부(72, 73)에링 부재(5)의하면에형성된오목부(55, 56)를감합하도록링 부재(5)를탑재하여마련한다. 따라서링 부재(5) 상면은상하방향의관통구멍이마련되지않은평탄면으로서구성되고, 파티클의발생원인이되는간극이나, 링부재의상면으로부터나사로탑재대에고정하는경우와같은이상방전으로이어지는간극이형성되지않기때문에, 파티클이나이상방전의발생을억제할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种能够抑制在由绝缘材料形成的环构件设置在其中的基底台中的颗粒的产生或异常放电的技术。 设置在等离子体处理装置中的基板台（3）具有：具有棱柱形状的基板台主体，由金属材料形成; 形成在所述基板台主体的侧面部上的连结部的凹部（61） 以及联接到所述凹部（61）以安装在所述基板载物台上的定位构件（7）。 突出部分（72,73）设置在定位构件（7）的上部。 环形构件（5）安装在定位构件（7）上，使得形成在环形构件（5）的下表面中的凹部（55,56）与突出部分（72,73）互锁。 因此，环状构件（5）的上表面被构造成在垂直方向上没有穿过其中的孔的平坦表面，以及通过将环构件固定而产生颗粒或产生异常放电的间隙的间隙 不会形成具有来自环状构件的上表面的螺钉的基板台，从而抑制颗粒的产生或异常放电。
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公开(公告)号：KR1020170007137A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020160084682
申请日：2016-07-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 플라즈마에의한부식에대한내구성이뛰어난샤워헤드를제공한다. 플라즈마처리장치(11)에구비되는샤워헤드(22)는챔버(20) 내에처리가스를토출하는가스토출홀(40)과가스토출홀(40)의가스토출구측에형성된오목부를가지는기재(60)와, 세라믹스또는스테인리스로이루어지고, 기재(60)의오목부에고정된원통형상의슬리브를가지고, 슬리브의표면과기재(60)에있어서슬리브가배치된면이내플라즈마피막(63)으로덮인구조로한다. 세라믹스슬리브(61)를이용하는경우에는기재(60)의플라즈마생성공간(S)측의면과내플라즈마피막(63)과의사이에하지피막(62)을마련한다.
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公开(公告)号：KR1020160079662A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：KR1020150178938
申请日：2015-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: (과제) 플라즈마처리를행할때에이용되는, 포커스링(6)을구비한탑재대(2)에있어서, 수직방향의전계에기인하는포커스링(6)의깎임을억제하여파티클을저감하는것. (해결수단) 유리기판 G가탑재되는탑재대본체(2)를, 측주면이평탄한기둥형상의구조로하고, 포커스링(6)의아래쪽에서탑재대본체(2)를둘러싸도록또한탑재대본체(2)의측주면에압접되도록측부절연부재(31)를마련하고있다. 따라서, 포커스링(6)의바로밑에는탑재대본체(2)가존재하지않으므로, 포커스링(6)에수직방향의전계가발생하지않게되어, 포커스링(6)의깎임을억제할수 있다. 또한하부전극(20)의측주면에측부절연부재(31)를압접시키고, 보조절연부재(32)를절연스페이서부재(28)에압접시킴과아울러, 측부절연부재(31)와, 보조절연부재(32)의틈을미로구조로하는것에의해, 이상방전을억제할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括用于等离子体处理的聚焦环（6）的装载台（2），能够通过抑制由于垂直电场引起的聚焦环（6）的截止来减少颗粒。 装载有玻璃基板G的装载台体（2）具有平坦的柱状结构的侧面。 制备侧绝缘构件（31）与主体（2）的侧表面焊接以围绕聚焦环（6）下方的主体（2）。 因此，由于装载体（2）不存在于聚焦环（6）正下方，因此在聚焦环（6）中产生垂直电场以抑制聚焦环（6）的截止。 此外，侧绝缘构件（31）与下电极（20）的侧面焊接，用绝缘间隔构件（28）焊接副绝缘构件（32），并且侧绝缘构件 31），并且副绝缘构件（32）形成为迷宫结构。 因此，本发明能够防止异常放电。
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