公开(公告)号：KR102165704B1

公开(公告)日：2020-10-14

申请号：KR1020180136438

申请日：2018-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

公开(公告)号：KR102061415B1

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：KR1020180063973

申请日：2018-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  마치야마와타루 ,  미나미마사토

IPC: H01J37/32

公开(公告)号：KR101850193B1

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：KR1020150178938

申请日：2015-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미마사토 ,  사사키요시히코 ,  헴미아츠시 ,  사이토히토시

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: (과제) 플라즈마처리를행할때에이용되는, 포커스링(6)을구비한탑재대(2)에있어서, 수직방향의전계에기인하는포커스링(6)의깎임을억제하여파티클을저감하는것. (해결수단) 유리기판 G가탑재되는탑재대본체(2)를, 측주면이평탄한기둥형상의구조로하고, 포커스링(6)의아래쪽에서탑재대본체(2)를둘러싸도록또한탑재대본체(2)의측주면에압접되도록측부절연부재(31)를마련하고있다. 따라서, 포커스링(6)의바로밑에는탑재대본체(2)가존재하지않으므로, 포커스링(6)에수직방향의전계가발생하지않게되어, 포커스링(6)의깎임을억제할수 있다. 또한하부전극(20)의측주면에측부절연부재(31)를압접시키고, 보조절연부재(32)를절연스페이서부재(28)에압접시킴과아울러, 측부절연부재(31)와, 보조절연부재(32)의틈을미로구조로하는것에의해, 이상방전을억제할수 있다.

公开(公告)号：KR101563789B1

公开(公告)日：2015-10-27

申请号：KR1020130152992

申请日：2013-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/00

Abstract: 본발명의과제는, 링형상실드부재의구성부품과기판탑재대사이의간극의발생을방지하는동시에, 구성부품의파손을방지할수 있는링 형상실드부재를제공하는것이다. 실드링(15)은 4개의링 구성부품(41 내지 44)으로이루어지고, 각링 구성부품(41 내지 44)의길이방향에관한고정단에는전방위이동규제부(45)가마련되고, 일방향이동허용부(46)가전방위이동규제부(45)로부터이격되어마련되며, 예를들면, 하나의링 구성부품(41)의고정단(41a)의단면이, 인접하는다른링 구성부품(43)의자유단(43b)의측면에접촉하고, 하나의링 구성부품(41)의자유단(41b)의측면이, 인접하는다른링 구성부품(44)의고정단(44a)의단면에접촉하도록, 각링 구성부품(41 내지 44)이조립되어있다.

公开(公告)号：KR101219054B1

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020100032292

申请日：2010-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토 ,  후루야아츠키

IPC: H01L21/687 ,  B23Q3/15 ,  H02N13/00 ,  H01L21/205

Abstract: 내전압 성능의 문제를 발생시키지 않고 절연 피막을 얇게 형성하여 필요한 흡착력을 확보할 수 있고, 정전기 제거가 불필요한 정전 흡착 전극을 제공한다.
글라스 기판(G)을 정전력에 의해 흡착 보지하는 기판 보지면을 구비한 정전 흡착 전극(정전 척)(6)으로서, 기재(5) 상에 설치되며 용사에 의해 형성된 절연 피막(41)과, 상기 절연 피막(41) 중에 설치된 양전압이 인가되는 제 1 전극층(42a) 및 음전압이 인가되는 제 2 전극층(42b)을 구비한다.

公开(公告)号：KR101140489B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020090122623

申请日：2009-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미마사토 ,  사사키요시히코 ,  사사키가즈오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: The present invention provides a vacuum processing apparatus, a vacuum processing system and a processing method, wherein the vacuum processing apparatus is capable of restraining the size of a vacuum processing container to the utmost even though an object to be processed is large, and the vacuum processing system is capable of conveying the objects to be processed to the vacuum processing apparatus without usage of large-sized conveying arms. When a substrage (S) is conveyed to a plasma processing device (100) from a first vacuum conveying device (200a), air is injected to the back face of the substrate to float the substrate through an air injection hole (207) of a conveying station (203), the substrate is held by holding components (203) of a pair of guiding devices (205), such that amovable support body (217) moves toward the plasma processing device on a track (215). The the holding components (213) is released, the substrate is floated stilly by the air injected through the air injection hole (103b) of a carrying station (103), and the substrate is transferred to the plasma processing device.

公开(公告)号：KR101133880B1

公开(公告)日：2012-04-09

申请号：KR1020090117851

申请日：2009-12-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미마사토 ,  사사키요시히코

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리시에 생성되는 부착물의 감아올림을 억제하고, 피처리체의 오염을 저감하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 본 발명에 따르면, 애노드 전극-캐소드 전극 사이에서 처리 가스를 플라즈마화하고, 피처리체(S)에의 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상측 정류벽(51)과 하측 정류벽(52)은 한 쪽의 전극을 이루는 탑재대(3) 상에 상하로 쌓아 올려지고, 해당 탑재대(3) 상에 탑재된 피처리체(S)의 주연을 둘러싸며, 승강 기구는 하측 정류벽(52) 상의 탑재 위치와 해당 하측 정류벽(52)으로부터 상방측으로 이격된 위치의 사이에서 상측 정류벽(51)을 승강시킨다.

公开(公告)号：KR1020110069748A

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：KR1020110041595

申请日：2011-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6719

Abstract: PURPOSE: A chamber and processing device are provided to detachably connect a main body and a side plate, thereby transferring the main body and the side plate which are separated each other from a processing chamber manufacturing factory to an FPD(Flat Panel Display) producing factory. CONSTITUTION: A processing chamber(1a) comprises a rectangular parallelepiped main body(2) and side plates(3a,3b). At least one side of the rectangular parallelepiped main body is opened. The side plates are detachably mounted on the opened side of the main body by using a sealing member(11). A top board(8) is arranged on the main body. An opening is formed on the top board. The lower part of the main body is configured by a bottom plate(10). A mounting stand on which a substrate is mounted is placed on the bottom plate.

Abstract translation: 目的：提供一个室和处理装置，用于可拆卸地连接主体和侧板，从而将分离的主体和侧板从处理室制造厂转移到FPD（平板显示）生产工厂 。 构成：处理室（1a）包括长方体主体（2）和侧板（3a，3b）。 长方体主体的至少一侧打开。 侧板通过使用密封构件（11）可拆卸地安装在主体的开口侧上。 顶板（8）布置在主体上。 在顶板上形成一个开口。 主体的下部由底板（10）构成。 将安装基板的安装台放置在底板上。

公开(公告)号：KR1020110061506A

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：KR1020100121520

申请日：2010-12-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미마사토 ,  오쿠야마고이치

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H02N13/00

Abstract: PURPOSE: A substrate mounting table, manufacturing method thereof, and substrate processing device are provided to suppress changes in thermal conduction efficiency and conduction efficiency, thereby eliminating irregularity such an etching blur. CONSTITUTION: A mounting table(5A) includes a conductive material and an insulating film(8). The insulating film is placed on a base material. A glass substrate for an FPD is mounted on a substrate mounting surface. The substrate mounting surface includes a roughening part(51) and a smoothing part(53). The roughness of the surface of the roughening part is larger than 2 micro meters and smaller than 6 micro meters. The roughness of the surface of the smoothing part is smaller than 2 micro meters.

Abstract translation: 目的：提供一种基板安装台及其制造方法和基板处理装置，以抑制导热效率和导通效率的变化，从而消除诸如蚀刻模糊的不规则性。 构成：安装台（5A）包括导电材料和绝缘膜（8）。 将绝缘膜放置在基材上。 用于FPD的玻璃基板安装在基板安装表面上。 基板安装面包括粗糙部（51）和平滑部（53）。 粗糙部分的表面粗糙度大于2微米，小于6微米。 平滑部分的表面粗糙度小于2微米。

公开(公告)号：KR1020110056465A

公开(公告)日：2011-05-30

申请号：KR1020110042968

申请日：2011-05-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미마사토 ,  사사키요시히코

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01L21/67069

Abstract: PURPOSE: A focus ring is provided to implement a high plasma processing apparatus having high shield to resistant plasma and high frequency field. CONSTITUTION: In a focus ring, a multi-layered focus ring(6) is attached on the flange part(5b) and an isolation ring(7). A multi-layered focus ring is formed into a two-layer structure by laminating an upper dielectric and a lower dielectric. The isolation ring is comprised of an inner ring(7a) and an outer ring(7b). A low dielectric substance(6a) is arranged in a base member(5). A plasma-resistance dielectric(6b) is arranged in the process space of the process chamber.

Abstract translation: 目的：提供聚焦环以实现具有高屏蔽抗电等离子体和高频场的高等离子体处理装置。 构成：在聚焦环中，多层聚焦环（6）附接在凸缘部分（5b）和隔离环（7）上。 通过层叠上电介质和下电介质，将多层聚焦环形成为双层结构。 隔离环由内圈（7a）和外圈（7b）组成。 低介电物质（6a）布置在基底（5）中。 等离子体电阻介质（6b）布置在处理室的处理空间中。