公开(公告)号：KR101366947B1

公开(公告)日：2014-02-24

申请号：KR1020120071114

申请日：2012-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  다나카미츠오 ,  사토고이치 ,  아이바야스시 ,  우라노도모나리 ,  이시카와마유코 ,  호리코시도코

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205

Abstract: 공정이 번잡하게 되는 일없이, 매립 부분의 공극(void)이나 심(seam)을 해소할 수 있는 텅스텐 막의 성막 방법을 제공하는 것이다.
처리 용기 내에서, 홀을 갖는 기판에 CVD에 의해 텅스텐 막을 성막하여 홀 내에 텅스텐의 매립부를 형성하는 공정과, 동일한 처리 용기 내에 에칭 가스로서 ClF
3 가스 또는 F
2 가스를 공급하고 매립부의 상부를 에칭하여, 개구를 형성하는 공정과, 개구가 형성된 매립부를 갖는 기판에 대하여 동일한 처리 용기 내에서, CVD에 의해 텅스텐 막을 성막하는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020130006314A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：KR1020120071114

申请日：2012-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  다나카미츠오 ,  사토고이치 ,  아이바야스시 ,  우라노도모나리 ,  이시카와마유코 ,  호리코시도코

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A method for forming a tungsten film is provided to prevent an air gap or seam in a buried part by forming the tungsten film two or more times with a CIF3 gas or F2 gas etching process. CONSTITUTION: A buried part of tungsten is formed in a hole by forming a tungsten film on a substrate with the hole with CVD. The upper side of the buried part is etched by supplying CIF3 gas or F2 gas to a processing container. A tungsten film is formed in the processing container with CVD. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1) Forming a buried part by burying a hole with tungsten; (S2) Etching an upper side of a buried part by forming an opening hole on the upper side through CIF_3(or F_2); (S3) Forming a tungsten film for burying a hole with tungsten from an opening hole after etching

Abstract translation: 目的：提供一种形成钨膜的方法，以通过用CIF3气体或F2气体蚀刻工艺形成钨膜两次或更多次来防止掩埋部分中的气隙或接缝。 构成：通过在具有CVD的孔的基板上形成钨膜，在孔中形成钨的埋入部分。 通过向处理容器提供CIF3气体或F2气体来蚀刻掩埋部分的上侧。 在CVD处理容器中形成钨膜。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1）通过用钨掩埋孔形成埋藏部分; （S2）通过在上侧通过CIF_3（或F_2）形成开孔来蚀刻埋藏部的上侧; （S3）在蚀刻后，形成用于从开口孔埋入钨的钨膜