公开(公告)号：KR101941766B1

公开(公告)日：2019-01-23

申请号：KR1020170024037

申请日：2017-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우라노도모나리 ,  노구치교헤이 ,  요코야마오사무 ,  고바야시다카시 ,  와카바야시사토시 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205

公开(公告)号：KR1020130006314A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：KR1020120071114

申请日：2012-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  다나카미츠오 ,  사토고이치 ,  아이바야스시 ,  우라노도모나리 ,  이시카와마유코 ,  호리코시도코

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A method for forming a tungsten film is provided to prevent an air gap or seam in a buried part by forming the tungsten film two or more times with a CIF3 gas or F2 gas etching process. CONSTITUTION: A buried part of tungsten is formed in a hole by forming a tungsten film on a substrate with the hole with CVD. The upper side of the buried part is etched by supplying CIF3 gas or F2 gas to a processing container. A tungsten film is formed in the processing container with CVD. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1) Forming a buried part by burying a hole with tungsten; (S2) Etching an upper side of a buried part by forming an opening hole on the upper side through CIF_3(or F_2); (S3) Forming a tungsten film for burying a hole with tungsten from an opening hole after etching

Abstract translation: 目的：提供一种形成钨膜的方法，以通过用CIF3气体或F2气体蚀刻工艺形成钨膜两次或更多次来防止掩埋部分中的气隙或接缝。 构成：通过在具有CVD的孔的基板上形成钨膜，在孔中形成钨的埋入部分。 通过向处理容器提供CIF3气体或F2气体来蚀刻掩埋部分的上侧。 在CVD处理容器中形成钨膜。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1）通过用钨掩埋孔形成埋藏部分; （S2）通过在上侧通过CIF_3（或F_2）形成开孔来蚀刻埋藏部的上侧; （S3）在蚀刻后，形成用于从开口孔埋入钨的钨膜

公开(公告)号：KR1020170101138A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：KR1020170024037

申请日：2017-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우라노도모나리 ,  노구치교헤이 ,  요코야마오사무 ,  고바야시다카시 ,  와카바야시사토시 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45555 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862

Abstract: 본발명은플라즈마 CVD에의해웨이퍼상에 Ti막을성막함에있어, 막중에의 N 원자의취입을억제하는기술을제공하는것이다. 웨이퍼 W의 Si막(101)의표면에 Ti막(103)을성막한후, 처리용기(20) 중의 TiCl나 Cl를포함하는성분을제거함에있어 H가스의플라즈마를이용하고있다. 그때문에, Ti막(103) 중에서의 N의취입을억제할수 있다. 따라서, Ti막(103)과 Si막(101)의계면에있어서의 Ti의실리사이드화의반응이저해되지않는다. 또한, 웨이퍼 W를반출한후에있어서의 TiCl나 Cl를포함하는성분의제거를 H가스의플라즈마를이용하는것에의해, 처리용기(20) 중의 N를더 억제할수 있다. 또한, 처리용기(20)의내면에실시하는프리코트에서도 TiN막의표면을덮도록 Ti막을성막하는것에의해, 웨이퍼의 W 표면에 Ti막(103)을성막했을때의 Ti막(103) 중의 N의취입을억제할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供了一种通过等离子体CVD在晶片上形成Ti膜时抑制N原子掺入膜中的技术。 在Ti膜103的晶片W Si膜101的表面上的膜形成之后，它是包含的TiCl或Cl中的处理容器20，以使用H气体的等离子体除去的成分。 因此，可以抑制Ti膜103中的N的摄入量。 因此，在Ti膜103和Si膜101之间的界面上Ti的硅化反应不受阻碍。 另外，通过在取出晶片W后除去包含TiCl和Cl的成分，能够利用H气的等离子体来抑制处理容器20内的N。 此外，自由Ti膜103 N个时在涂层具有通过形成Ti膜覆盖膜使得TiN膜表面，该膜形成在Ti薄膜103向处理容器的内表面上携带的晶片在W表面（20） 可以抑制吞咽。

公开(公告)号：KR101366947B1

公开(公告)日：2014-02-24

申请号：KR1020120071114

申请日：2012-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  다나카미츠오 ,  사토고이치 ,  아이바야스시 ,  우라노도모나리 ,  이시카와마유코 ,  호리코시도코

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205

Abstract: 공정이 번잡하게 되는 일없이, 매립 부분의 공극(void)이나 심(seam)을 해소할 수 있는 텅스텐 막의 성막 방법을 제공하는 것이다.
처리 용기 내에서, 홀을 갖는 기판에 CVD에 의해 텅스텐 막을 성막하여 홀 내에 텅스텐의 매립부를 형성하는 공정과, 동일한 처리 용기 내에 에칭 가스로서 ClF
3 가스 또는 F
2 가스를 공급하고 매립부의 상부를 에칭하여, 개구를 형성하는 공정과, 개구가 형성된 매립부를 갖는 기판에 대하여 동일한 처리 용기 내에서, CVD에 의해 텅스텐 막을 성막하는 공정을 갖는다.