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公开(公告)号：KR101366947B1
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：KR1020120071114
申请日：2012-06-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3205 , H01L21/205
Abstract: 공정이 번잡하게 되는 일없이, 매립 부분의 공극(void)이나 심(seam)을 해소할 수 있는 텅스텐 막의 성막 방법을 제공하는 것이다.
처리 용기 내에서, 홀을 갖는 기판에 CVD에 의해 텅스텐 막을 성막하여 홀 내에 텅스텐의 매립부를 형성하는 공정과, 동일한 처리 용기 내에 에칭 가스로서 ClF
3 가스 또는 F
2 가스를 공급하고 매립부의 상부를 에칭하여, 개구를 형성하는 공정과, 개구가 형성된 매립부를 갖는 기판에 대하여 동일한 처리 용기 내에서, CVD에 의해 텅스텐 막을 성막하는 공정을 갖는다.-
2.发明公开
公开(公告)号：KR1020160103511A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020160016976
申请日：2016-02-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 처리실의분위기조정용의가스의사용량의삭감. 기판처리장치는, 처리실(20) 내에분위기조정용의제1 가스예컨대드라이에어를공급하는가스공급부(80)와, 기판(W)을유지하는기판유지부(30)의주위를둘러싸는컵(50) 내의가스를배기하는컵 배기로(53)와, 컵밖의처리실내의가스를배기하는처리실배기로(55)와, 처리실로부터배기된컵 밖의처리실내의가스를처리실로복귀시키는복귀로(59)를갖는다. 처리실로부터배기된컵 밖의가스처리실배기로로부터배기되는제1 상태와, 처리실로부터배기된컵 밖의가스가복귀로를통하여처리실에복귀되는제2 상태를전환하는배기전환기구(60)가마련되어있다.
Abstract translation: 用于调节处理室气氛的废气量减少了。 衬底处理室包括：气体供应单元（80），其供应第一气体，例如用于调节处理室（20）中的气氛的干燥空气; 在包围保持基板（W）的基板保持单元（30）的杯（50）内排出气体的杯排出路径（53）。 处理室排出路径（55），其将处理室内的气体排出杯外; 以及返回路径（59），其将处理室中的处理室中的气体从处理室排出的杯子返回到处理室。 设置有排出切换机构60，其切换从处理室排出的杯外的气体处理室排出路径排出气体的第一状态，以及使从处理室排出的杯外的气体返回的第二状态， 通过返回路径到处理室。
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公开(公告)号：KR1020160049985A
公开(公告)日：2016-05-10
申请号：KR1020150148637
申请日：2015-10-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6708 , B05B1/28 , B05C11/02 , H01L21/67051
Abstract: 횡방향토출타입의노즐로부터액이기판의외방에있는기판액 처리장치의구성부재에낙하하는것을방지한다. 기판액 처리장치는, 기판(W)을수평으로유지하는기판유지부(31)와, 기판유지부에의해유지된기판상에설정된착액(着液) 목표위치를향하여, 이착액목표위치로부터수평방향으로미리정해진거리만큼떨어진토출위치에위치하는토출구로부터, 횡방향으로처리액을토출하는노즐(41, 410)과, 노즐의하방에마련되어, 노즐의토출구로부터낙하하는처리액을받아내는액 수용부(42)를구비하고있다.
Abstract translation: 用液体处理基板的装置防止液体从横排方向从喷出口防止液体落入用于处理基板的装置的部件，液体位于基板的外侧。 用于处理具有液体的基板的设备包括：用于水平地保持基板（W）的基板保持单元（31） 喷嘴（41,410），用于将设置在由基板保持单元保持的基板上的液体到达目标位置沿横向方向从处于与液体到达目标位置分离的排出位置的出口排出预定的 水平方向的距离; 以及液体接收单元，设置在喷嘴的下部，以接收从喷嘴的出口落下的处理液。
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公开(公告)号：KR1020130006314A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020120071114
申请日：2012-06-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3205 , H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A method for forming a tungsten film is provided to prevent an air gap or seam in a buried part by forming the tungsten film two or more times with a CIF3 gas or F2 gas etching process. CONSTITUTION: A buried part of tungsten is formed in a hole by forming a tungsten film on a substrate with the hole with CVD. The upper side of the buried part is etched by supplying CIF3 gas or F2 gas to a processing container. A tungsten film is formed in the processing container with CVD. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1) Forming a buried part by burying a hole with tungsten; (S2) Etching an upper side of a buried part by forming an opening hole on the upper side through CIF_3(or F_2); (S3) Forming a tungsten film for burying a hole with tungsten from an opening hole after etching
Abstract translation: 目的：提供一种形成钨膜的方法，以通过用CIF3气体或F2气体蚀刻工艺形成钨膜两次或更多次来防止掩埋部分中的气隙或接缝。 构成：通过在具有CVD的孔的基板上形成钨膜，在孔中形成钨的埋入部分。 通过向处理容器提供CIF3气体或F2气体来蚀刻掩埋部分的上侧。 在CVD处理容器中形成钨膜。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1）通过用钨掩埋孔形成埋藏部分; （S2）通过在上侧通过CIF_3（或F_2）形成开孔来蚀刻埋藏部的上侧; （S3）在蚀刻后，形成用于从开口孔埋入钨的钨膜
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