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公开(公告)号:KR102003108B1
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:KR1020160012346
申请日:2016-02-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 혼마,마나부
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/205 , H01L21/67 , H01L21/28
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公开(公告)号:KR101907247B1
公开(公告)日:2018-10-11
申请号:KR1020150131649
申请日:2015-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 혼마,마나부
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L23/00
CPC classification number: C23C16/4581 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/68792
Abstract: 고온프로세스에서금속오염을억제하는기판처리장치및 기판적재유닛의제조방법을제공한다. 부식성가스를공급가능한처리실(1)과, 상기처리실내에설치되고, 상면에기판(W) 서셉터(2)와, 상기서셉터를관통하는고정축(211)과, 상기고정축이삽입되고, 상기서셉터를상기상면측으로부터고정하는제1 고정부재(212)와, 상기고정축이삽입되고, 상기서셉터를하면측으로부터고정하는제2 고정부재(213)와, 상기서셉터보다도하방에설치되고, 상기고정축을하방향으로가압함과함께상기제2 고정부재를상방향으로가압하는가압수단(214)과, 상기서셉터보다도상방에설치되고, 상기고정축과걸리어결합함과함께상기가압수단과협동해서상기제1 고정부재를가압하는걸림부재(216)를갖고, 상기서셉터, 상기제1 고정부재및 상기걸림부재는, 상기가압수단보다도상기부식가스에대한부식내성이높은재료로이루어진다.
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公开(公告)号:KR1020160091821A
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:KR1020160004167
申请日:2016-01-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 혼마,마나부
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/687
CPC classification number: C23C16/45563 , C23C16/45548
Abstract: 가스노즐의상하방향의방향의조정작업이용이한기술을제공한다. 진공용기(11) 내에설치된회전테이블(2)에대향하여수평으로전후방향으로신장되도록설치된원료가스노즐(31)의일단측을진공용기(11)의측벽의관통구멍에삽입하고, 관통구멍보다도원료가스노즐(31)의선단측에서링 부재(5)의내주면에원료가스노즐(31)을적재한다. 링부재(5)의외주면의윤곽형상은소용돌이곡선을직선으로근사한다각형으로설정되며, 그둘레방향으로서로이격된좌측위치및 우측위치에서받침대부(52)에적재된다. 링부재(5)를회동시켜받침대부(52)와접촉하는위치를변화시킴으로써, 받침대부(52)와접촉하는좌측위치및 우측위치와, 원료가스노즐(31)이적재되는링 부재(5)의지지위치의거리가변화되므로, 원료가스노즐(31)의지지위치의높이를조정할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种用于容易地调节气体喷嘴在垂直方向上的取向的技术。 原料气体喷嘴(31)的一端被安装成向安装在真空容器(11)中的旋转台(2)水平延伸的一端插入到形成在真空容器的侧壁上的通孔中 11)。 原料气体喷嘴(31)安装在原料气体喷嘴(31)的前端而不是通孔的环状构件(5)的内周面上。 环形构件(5)的外周表面的轮廓被设置为螺旋曲线或通过线性近似螺旋曲线获得的多边形。 所述环构件在所述环构件的圆周方向上彼此间隔开的左右位置处安装在基座部(52)上。 环形构件(5)与基座部分(52)接触的左右位置随环形构件的旋转而变化。 这样可以改变左右位置之间的距离和安装有原料气体喷嘴31的环形构件5上的支撑位置,从而可以调节原料气体喷嘴31的支撑高度。
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公开(公告)号:KR1020150100559A
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:KR1020150025789
申请日:2015-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/314 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/45551 , C23C16/4581 , C23C16/4586 , H01L21/683 , H01L21/205 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은, 기판 처리 장치에 있어서, 회전 테이블에 수수된 기판이 휘는 것을 방지하고, 그에 의해 장치의 스루풋을 높게 할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 상기 기판을 수납하기 위해 상기 회전 테이블의 일면측에 형성된 오목부와, 상기 기판을 600℃ 이상으로 가열해서 처리하기 위해, 상기 회전 테이블을 가열하는 가열부와, 상기 오목부의 저면에 있어서 정삼각형의 정점에 각각 위치하고, 상기 기판의 중심으로부터 당해 기판의 반경의 2/3 떨어진 부위를 각각 지지하고, 상기 기판을, 당해 오목부의 저면으로부터 떠오른 상태에서 지지하기 위해 설치된 3개의 지지 핀을 구비하도록 장치를 구성한다. 지지 핀은, 기판의 자중에 의한 변형이 억제되도록 당해 기판을 지지하게 된다.
Abstract translation: 本发明防止了放置在可旋转台上的基板在基板处理装置中弯曲,从而提高了装置的生产能力。 该装置包括:凹部,其形成在可旋转台的一侧以容纳基板; 加热单元,用于加热可旋转台以通过将基板加热至600度来处理基板。 C以上; 以及三个支撑销,用于分别支撑远离基板的中心的部分多达相应基板的半径的2/3,并且在基板从相应的凹部的下表面提升的同时支撑基板,其中 三个支撑销位于凹部的下表面上的等边三角形的顶点上。 支撑销支撑相应的销以抑制由于基板的重量而引起的变形。
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公开(公告)号:KR102249904B1
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:KR1020180000703
申请日:2018-01-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 회전테이블의일면측에적재된기판인웨이퍼를공전시키면서성막처리를행하는데 있어서, 웨이퍼의주위방향을따라균일한처리를실시한다. 회전테이블(2)의일면측에웨이퍼를적재하는적재대(3)를회전테이블(2)에의해공전하도록설치한다. 또한, 적재대(3)의자전축(32)에종동기어(4)를설치함과함께, 이종동기어(4)의공전궤도의전체주위를따라당해종동기어(4)와자기기어기구를구성하는구동기어(5)를설치한다. 구동기어(5)를자전용회전기구(53)에의해회전시켜, 구동기어(5)의각속도와종동기어(4)의공전에의한각속도의속도차를발생시킴으로써적재대(3)가자전하므로, 웨이퍼(W)의주위방향에대해서성막처리의균일성을향상시킬수 있다. 또한, 구동기어(5)의각속도와종동기어(4)의각속도와의차에의해, 종동기어(4)의자전속도를용이하게조정할수 있다.
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公开(公告)号:KR101892339B1
公开(公告)日:2018-08-27
申请号:KR1020160004167
申请日:2016-01-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 혼마,마나부
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/687
CPC classification number: C23C16/45563 , C23C16/45548
Abstract: 가스노즐의상하방향의방향의조정작업이용이한기술을제공한다. 진공용기(11) 내에설치된회전테이블(2)에대향하여수평으로전후방향으로신장되도록설치된원료가스노즐(31)의일단측을진공용기(11)의측벽의관통구멍에삽입하고, 관통구멍보다도원료가스노즐(31)의선단측에서링 부재(5)의내주면에원료가스노즐(31)을적재한다. 링부재(5)의외주면의윤곽형상은소용돌이곡선을직선으로근사한다각형으로설정되며, 그둘레방향으로서로이격된좌측위치및 우측위치에서받침대부(52)에적재된다. 링부재(5)를회동시켜받침대부(52)와접촉하는위치를변화시킴으로써, 받침대부(52)와접촉하는좌측위치및 우측위치와, 원료가스노즐(31)이적재되는링 부재(5)의지지위치의거리가변화되므로, 원료가스노즐(31)의지지위치의높이를조정할수 있다.
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公开(公告)号:KR1020160035983A
公开(公告)日:2016-04-01
申请号:KR1020150131649
申请日:2015-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 혼마,마나부
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L23/00
CPC classification number: C23C16/4581 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/68792
Abstract: 고온프로세스에서금속오염을억제하는기판처리장치및 기판적재유닛의제조방법을제공한다. 부식성가스를공급가능한처리실(1)과, 상기처리실내에설치되고, 상면에기판(W) 서셉터(2)와, 상기서셉터를관통하는고정축(211)과, 상기고정축이삽입되고, 상기서셉터를상기상면측으로부터고정하는제1 고정부재(212)와, 상기고정축이삽입되고, 상기서셉터를하면측으로부터고정하는제2 고정부재(213)와, 상기서셉터보다도하방에설치되고, 상기고정축을하방향으로가압함과함께상기제2 고정부재를상방향으로가압하는가압수단(214)과, 상기서셉터보다도상방에설치되고, 상기고정축과걸리어결합함과함께상기가압수단과협동해서상기제1 고정부재를가압하는걸림부재(216)를갖고, 상기서셉터, 상기제1 고정부재및 상기걸림부재는, 상기가압수단보다도상기부식가스에대한부식내성이높은재료로이루어진다.
Abstract translation: 提供了一种在高温处理中抑制金属污染的基板处理装置及其制造方法。 基板处理装置包括:能够供应腐蚀性气体的处理室(1); 在顶表面上的基底(W)基座(2),并设置在处理室中; 穿过所述基座的固定轴(211); 第一固定构件(212),固定轴插入其中,并将基座固定在上侧; 第二固定构件(213),固定轴插入其中,并将基座固定到下侧; 设置在比所述基座低的位置的加压装置(214),并且向上施加所述固定轴,同时向上施加所述第二固定构件; 以及形成在所述基座上方的位置处的紧固构件(216),并且与所述固定轴接合以与所述加压装置协作地对所述第一固定构件加压。 基座,第一固定构件和紧固构件由耐腐蚀性高于加压装置的材料制成。
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公开(公告)号:KR102022153B1
公开(公告)日:2019-09-17
申请号:KR1020160112619
申请日:2016-09-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/205
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公开(公告)号:KR101867133B1
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:KR1020150025789
申请日:2015-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/314 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/45551 , C23C16/4581 , C23C16/4586
Abstract: 본발명은, 기판처리장치에있어서, 회전테이블에수수된기판이휘는것을방지하고, 그에의해장치의스루풋을높게할 수있는기술을제공하는것이다. 상기기판을수납하기위해상기회전테이블의일면측에형성된오목부와, 상기기판을 600℃이상으로가열해서처리하기위해, 상기회전테이블을가열하는가열부와, 상기오목부의저면에있어서정삼각형의정점에각각위치하고, 상기기판의중심으로부터당해기판의반경의 2/3 떨어진부위를각각지지하고, 상기기판을, 당해오목부의저면으로부터떠오른상태에서지지하기위해설치된 3개의지지핀을구비하도록장치를구성한다. 지지핀은, 기판의자중에의한변형이억제되도록당해기판을지지하게된다.
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公开(公告)号:KR1020170092105A
公开(公告)日:2017-08-10
申请号:KR1020170012052
申请日:2017-01-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/205
Abstract: 회전테이블의일면측에적재된기판을공전시키면서당해기판에대하여처리가스를공급해서처리를행함에있어서, 기판의둘레방향을따라균일한처리를실시하는것이가능한기판처리장치를제공한다. 기판처리장치(1)는, 처리용기(11) 내에설치된회전테이블(2)에적재된기판(W)을공전시키면서처리가스에의한처리를행하고, 기판(W)이적재되는적재대(24)는, 회전테이블(2)의회전축(21)을따른방향으로신장되는자전축(26)을중심으로자전가능하게설치되고, 자기기어기구의수동기어부(45)는, 구동기어부(51)와의사이에형성되는자력선의이동에수반하여, 적재대(24)를자전축(26)을중심으로자전시킨다.
Abstract translation: 本发明提供一种基板处理装置,其一边使安装于旋转台的一侧的基板回转,一边向基板供给处理气体,由此能够沿着基板的周向进行均匀的处理。 基板处理装置1一边使载置在处理容器11内的旋转台2上的基板W公转一边进行基于处理气体的处理,并利用处理气体在载置台24上进行处理, 被设置成能够以沿着旋转台2的旋转轴21的方向延伸的旋转轴26为中心旋转,并且磁性齿轮机构的同步部件45配置在驱动齿轮51 台24随着台24上形成的磁力线的移动而绕旋转轴26旋转。
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