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公开(公告)号:KR102161875B1
公开(公告)日:2020-10-05
申请号:KR1020170100070
申请日:2017-08-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/455
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公开(公告)号:KR1020170113155A
公开(公告)日:2017-10-12
申请号:KR1020170035248
申请日:2017-03-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 가토,히토시
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/687 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32366 , H01J37/32394 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/327
Abstract: 본발명은, 회전테이블의둘레방향을따라기판을배치해서회전테이블을회전시켜플라즈마처리를행하는경우에있어서, 회전테이블의반경방향에있어서의플라즈마처리를조정가능한플라즈마처리장치및 플라즈마처리방법을제공하는것을목적으로한다. 처리실(1)과, 해당처리실내에설치되고, 둘레방향을따라기판(W)을상면에적재가능한회전테이블(2)과, 상기처리실의상면보다상방에, 상기회전테이블의반경방향에있어서이동가능하게설치된안테나(131)를가지고, 상기반경방향에있어서상기회전테이블에플라즈마를국소적으로조사가능한플라즈마발생기(180)를가진다.
Abstract translation: 本发明中,在旋转台的圆周方向上通过执行等离子体处理的情况下旋转的旋转台放置基板,提供可调节的等离子体处理装置和旋转工作台的半径方向用于等离子体处理的等离子体处理方法, 而为宗旨。 的处理室(1),在室内设置的处理,并且在所述周方向上的基板(W),在上侧比所述处理室的上表面的上表面上,在旋转台的径向方向上移动可装载的旋转台(2), 等离子体发生器180具有可能安装的天线131并且能够沿径向局部地将等离子体照射到旋转台。
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公开(公告)号:KR102245563B1
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:KR1020170095762
申请日:2017-07-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 가토,히토시
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 본발명은, 반도체웨이퍼에대하여예를들어원료가스및 반응가스를교대로공급해서반응생성물을순차적으로적층해서성막처리를행함에있어서, 생산성이높은기술을제공하는것이다. 처리용기(5) 내의회전테이블(1)에둘레방향으로등간격으로자전가능한적재대(2)를배치한다. 회전테이블(1)의상방영역은, 둘레방향으로등간격으로설치된분리부(4)에의해 4개의처리영역(S1 내지 S4)으로구획되고, 하나걸러배치된처리영역(S1, S3)에는원료가스를공급한다. 또한, 처리영역(S2, S4)에는, 반응가스를공급함과함께플라즈마를발생시킨다. 각적재대(2)에웨이퍼(W)를적재하고, 각처리영역(S1 내지 S4)에순차적으로정지하도록회전테이블(1)을간헐적으로회전시킴과함께, 웨이퍼(W)가처리영역(S1 내지 S4)에위치하고있을때는적재대(2)를자전시켜, 각웨이퍼(W)에대하여동시에소위 ALD 처리를행한다.
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公开(公告)号:KR101589346B1
公开(公告)日:2016-01-29
申请号:KR1020130074701
申请日:2013-06-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/303 , C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02211 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L29/66795 , H01L29/7843
Abstract: 본발명의과제는, 질화알루미늄또는질화규소층의박막에발생하는응력을조절하는것이가능한성막방법등을제공하는것이다. 진공용기(12) 내에서회전테이블(2)에재치된기판(W)을공전시키면서질화알루미늄또는질화규소로이루어지는반응생성물의분자층을적층하여박막을얻는데 있어서, 회전테이블(2)을회전시켜기판(W)을공전시키면서, 반응생성물을얻기위한원료가스인제1 처리가스를공급하고, 이어서제1 처리가스가기판(W)에공급된위치에대해, 회전테이블(2)의둘레방향으로이격되어설정된위치에서, 상기제1 처리가스를질화하기위한가스인제2 처리가스를공급한다. 그후, 박막에발생하는응력을조절하기위해, 상기기판(W)에형성된반응생성물의분자층에대해자외선을조사한다.
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公开(公告)号:KR102214965B1
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:KR1020180019908
申请日:2018-02-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 본발명은, 회전테이블의일면측에설치된기판의적재대를공전시키면서자전시킴에있어서, 적재대의자전량을정확하게검출하는것이다. 회전테이블(2)에설치된기판의적재대(3)에, 그자전축(32)을중심으로해서회전하도록회전엘리먼트(61)를설치함과함께, 당해회전엘리먼트(61)와함께로터리인코더를구성하는인코더본체(62)를회전테이블(2)에고정부재(7)에의해고정한다. 또한, 인코더본체(62)에의해검출한검출신호를처리하는신호처리부(751)를구비한제1 컨트롤러(75)를회전테이블(2)에설치한다. 적재대(3)가회전하면, 회전엘리먼트(61)가회전하고, 그회전각을인코더본체(62)에의해검출한다. 그리고, 신호처리부(751)에서예를들어단위시간당회전각을구하고, 외부의제2 컨트롤러(78)에송신하여, 표시부(781)에표시한다.
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公开(公告)号:KR102030882B1
公开(公告)日:2019-10-10
申请号:KR1020160081532
申请日:2016-06-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/205
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公开(公告)号:KR101928134B1
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:KR1020150156584
申请日:2015-11-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/205
Abstract: 본 발명의 과제는, 기판의 면내의 둘레 방향에 있어서의 막 두께의 균일성을 높게 함과 함께, 성막 장치의 제조 비용을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
진공 용기 내에 있어서, 기판을 적재 영역에 적재하여 공전시키기 위한 회전 테이블과, 상기 회전 테이블의 가스 공급 영역에 상기 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구와, 상기 회전 테이블의 타면측에 설치되고, 당해 회전 테이블의 회전 방향을 따라 회전 가능한 제1 기어와, 상기 제1 기어에 맞물리고, 상기 적재 영역과 함께 공전하도록 설치되고, 자전함으로써 기판이 자전하도록 당해 적재 영역을 회전시키는 유성 기어로 이루어지는 제2 기어와, 상기 제1 기어를 회전시켜, 상기 기판의 자전 속도를 조정하기 위한 회전 구동부를 구비하도록 장치를 구성한다. 그에 의해, 기판을 자전시키기 위한 상기 회전 구동부를 설치하는 수를 억제할 수 있다.-
公开(公告)号:KR102022153B1
公开(公告)日:2019-09-17
申请号:KR1020160112619
申请日:2016-09-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/205
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公开(公告)号:KR101899634B1
公开(公告)日:2018-09-17
申请号:KR1020150151152
申请日:2015-10-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4409 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/321 , H01J37/32926 , H01L21/67253 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68792
Abstract: 본발명은회전테이블에적재된기판을공전시켜서성막을행함에있어서, 기판의면내의둘레방향에서의막 두께의균일성을높게할 수있는기술을제공한다. 기판이자전하도록, 회전테이블에서의기판의적재영역을회전시키는회전기구와, 회전테이블의일면측에서의가스공급영역에처리가스를공급하여, 공전에의해당해가스공급영역을복수회반복통과하는기판에성막을행하기위한처리가스공급기구와, 회전테이블의회전속도를포함하는파라미터에기초하여, 기판의자전속도를연산하고, 연산된자전속도로기판을자전시키도록제어신호를출력하는제어부를구비하도록장치를구성한다. 이장치에서는, 가스공급영역에기판이위치할때마다기판의방향이바뀌도록처리를행할수 있기때문에, 둘레방향에서의막 두께의균일성을높게할 수있다.
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公开(公告)号:KR1020170092105A
公开(公告)日:2017-08-10
申请号:KR1020170012052
申请日:2017-01-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/205
Abstract: 회전테이블의일면측에적재된기판을공전시키면서당해기판에대하여처리가스를공급해서처리를행함에있어서, 기판의둘레방향을따라균일한처리를실시하는것이가능한기판처리장치를제공한다. 기판처리장치(1)는, 처리용기(11) 내에설치된회전테이블(2)에적재된기판(W)을공전시키면서처리가스에의한처리를행하고, 기판(W)이적재되는적재대(24)는, 회전테이블(2)의회전축(21)을따른방향으로신장되는자전축(26)을중심으로자전가능하게설치되고, 자기기어기구의수동기어부(45)는, 구동기어부(51)와의사이에형성되는자력선의이동에수반하여, 적재대(24)를자전축(26)을중심으로자전시킨다.
Abstract translation: 本发明提供一种基板处理装置,其一边使安装于旋转台的一侧的基板回转,一边向基板供给处理气体,由此能够沿着基板的周向进行均匀的处理。 基板处理装置1一边使载置在处理容器11内的旋转台2上的基板W公转一边进行基于处理气体的处理,并利用处理气体在载置台24上进行处理, 被设置成能够以沿着旋转台2的旋转轴21的方向延伸的旋转轴26为中心旋转,并且磁性齿轮机构的同步部件45配置在驱动齿轮51 台24随着台24上形成的磁力线的移动而绕旋转轴26旋转。
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