公开(公告)号：KR100558508B1

公开(公告)日：2006-03-07

申请号：KR1020000062559

申请日：2000-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠다유지 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/681

Abstract: 기판 처리시스템내에, 기판상으로 처리액을 도포하는 도포장치와, 회전이 자유롭고 또한 적어도 한방향으로 이동이 자유로운 재치대를 가지며, 상기 재치대상의 기판의 주변부에 대하여 조사부로부터 빛을 조사하여, 상기 기판상의 도포막을 노광하는 주변노광장치를 구비하고 있다. 상기 주변노광장치는, 상기 도포막의 막두께를 측정하는 센서부재를 구비한 막두께 측정수단을 갖는다. 시스템 외부에 별도의 막두께를 측정하는 장치를 설치할 필요가 없기 때문에, 막두께 측정시에 기판을 오염시키거나, 떨어뜨려서 파손시키는 일이 없다.

公开(公告)号：KR100595082B1

公开(公告)日：2006-09-11

申请号：KR1019980007355

申请日：1998-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  요시하라고스케 ,  후쿠다유지

IPC: H01L21/027

Abstract: 피처리기판을 소정 온도로 설정하고, 소정 온도로 설정된 피처리기판을 회전시키면서 레지스트액을 기판상에 도포하여 레지스트막을 기판상에 형성하며, 레지스트막이 형성된 피처리기판을 가열하고, 이 가열처리후에 피처리기판을 소정 온도로 냉각하는 레지스트 처리방법에 있어서, 가열처리와 냉각처리와의 사이에서 피처리기판상의 레지스트막의 막두께가 측정된다.

公开(公告)号：KR1020010051210A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000062559

申请日：2000-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠다유지 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/681

Abstract: PURPOSE: A system and method for processing a substrate are provided to measure the thickness of a resist film coating a wafer by a peripheral exposure apparatus inside the substrate processing system. CONSTITUTION: In a peripheral exposure apparatus(51) in a coating development processing system, the thickness of a resist film on a wafer(W) is measured by a film thickness sensor(64) that senses the film thickness of the resist film by laser beam and moving the wafer(W) on a loading stand(61) in the X direction.

Abstract translation: 目的：提供用于处理基板的系统和方法，以测量通过基板处理系统内部的周边曝光装置涂覆晶片的抗蚀剂膜的厚度。 构成：在涂料显影处理系统中的外围曝光装置（51）中，通过用激光检测抗蚀剂膜的膜厚度的膜厚度传感器（64）测量晶片（W）上的抗蚀剂膜的厚度 并在X方向上将晶片（W）移动到装载台（61）上。

公开(公告)号：KR1019980079949A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：KR1019980007355

申请日：1998-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  요시하라고스케 ,  후쿠다유지

IPC: H01L21/027

Abstract: 피처리기판을 소정 온도로 설정하고, 소정 온도로 설정된 피처리기판을 회전시키면서 레지스트액을 기판상에 도포하여 레지스트막을 기판상에 형성하며, 레지스트막이 형성된 피처리기판을 가열하고, 이 가열처리후에 피처리기판을 소정 온도로 냉각하는 레지스트 처리방법에 있어서, 가열처리와 냉각처리와의 사이에서 피처리기판상의 레지스트막의 막두께가 측정된다.