公开(公告)号：KR100857972B1

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：KR1020020030550

申请日：2002-05-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고스케 ,  데라시타유이치

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D1/005 ,  B05D3/104 ,  G03F7/162

Abstract: 피처리기판의 표면에, 도포액이 용해하는 용제와 그 용제의 휘발을 억제하는 휘발억제물질과의 혼합액을 공급하는 공정과, 혼합액을 피처리기판(W) 표면의 전체면으로 확산시키는 공정과, 혼합액이 공급된 피처리기판(W)을 회전시키면서 피처리기판(W)의 대략 중앙에 도포액을 공급하여, 도포액을 피처리기판의 지름방향 바깥쪽으로 확산시켜 도포막을 형성하는 공정으로 도포막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100262902B1

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：KR1019950028201

申请日：1995-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 다나카히데야 ,  모리오카노리미쓰 ,  기무라요시오 ,  요시하라고스케

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021 ,  B05C11/08

Abstract: 현상처리장치는, 기판보다 작은 크기의 얹어놓는면을 가지며, 이 얹어놓는면에 레지스트 도포면이 위를 향하도록 얹어놓인 기판을 스핀회전시키는 스핀척과, 이 스핀척을 둘러싸는 척과, 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하는 현상액 노즐과, 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 세정액을 가하는 제1의 세정액노즐과, 스핀척상의 기판의 뒷면에 세정액을 가하는 제2의 세정액 노즐과, 스핀척과 실질적으로 같은 축에 설치되고, 그 직경이 스핀척의 얹어놓는면보다 크고, 또한 기판보다는 작은 책체밀폐 링과, 이 액체밀폐 링의 윗끝단에 설치되고, 스핀척상의 기판 뒷면의 둘레부에 근접대면하여 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 액막형성부를 구비하고, 막형성부는, 기판뒷면에 대하여 실질적으로 직교하고, 또한, 바� ��쪽을 향하는 제1의 벽부와, 기판뒷면에 대하여 완만하게 경사하고, 또한, 안쪽을 향하는 제2의 벽부를 가진다.

公开(公告)号：KR1019980080927A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：KR1019980011223

申请日：1998-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고스케

IPC: G03F7/16

Abstract: 피처리기판을 회전시키면서 피처리기판 표면의 거의 중앙으로 레지스트액을 공급하고, 상기 레지스트액의 공급을 정지한 후, 피처리기판의 회전을 감속하여 피처리기판을 저속으로 회전시켜, 피처리기판을 소정기간 저속으로 회전시킨 후, 피처리기판의 회전을 가속하여 피처리기판을 고속으로 회전시킴으로써 기판에 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포방법이다.

公开(公告)号：KR101386377B1

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：KR1020090018761

申请日：2009-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카야나기고지 ,  요시하라고스케

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/16

Abstract: 스핀 척(16)에 의해서 회전되는 웨이퍼(W) 표면에, 도포노즐(17)로부터 레지스트액을 공급하고, 퍼뜨려서 레지스트막을 형성하는 기판처리장치는, 스핀 척에 의해서 유지된 웨이퍼의 바깥쪽을 둘러싸는 바깥쪽 벽부(62a)를 갖는 외부 컵(62)과, 웨이퍼의 바깥둘레부 아래쪽에 위치하는 내부 컵(63)과, 외부 컵의 바깥쪽 벽부의 안둘레면에 고정됨과 함께, 웨이퍼의 바깥둘레가장자리와의 사이에 틈새(65)를 두고 위치하고, 또한, 외부 컵의 상부와 내부 컵의 바깥쪽을 연이어 통하는 복수의 통기구멍(66)을 갖는 중간 컵(64)과, 중간 컵의 통기구멍을 개폐하는 개폐부재(67)와, 개폐부재를 개폐 이동하는 승강 실린더(68)를 구비한다. 레지스트액의 공급시에는, 개폐부재로 통기구멍을 폐쇄하여 통기구멍을 통과하는 기류를 차단하고, 레지스트막 형성시에는, 통기구멍을 개방하여 통기구멍을 통과하는 기류를 허용한다.

Abstract translation: 晶片（W）表面由旋转卡盘16旋转，用于从涂料喷嘴17供给的抗蚀剂液体中的抗蚀剂膜的基板处理装置，并且形成peotteuryeoseo是，围绕由旋转卡盘保持的晶片的外 是外杯62和内杯63的外侧，并且，并且被固定到所述内周面的外杯的外壁部，位于外周部的晶片的底部与外壁在晶片（62A） 与所述边缘之间的间隙65外周的位置，此外，具有多个通风孔（66）一个接一个地通过上，外杯64的内杯和，在中间杯状通风孔外侧的中间杯 用于打开和关闭开闭部件的开闭部件67以及用于打开和关闭开闭部件的升降气缸68。 在供应抗蚀剂溶液时，通气孔被开闭部件封闭以阻挡通过通气孔的气流，并且在形成抗蚀剂膜时，通气孔打开以允许气流通过通气孔。

公开(公告)号：KR1020010090572A

公开(公告)日：2001-10-18

申请号：KR1020010015726

申请日：2001-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지모토아키히로 ,  요시하라고스케 ,  에노모토마사히로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6715

Abstract: PURPOSE: To provide a processing liquid supply device and its method capable of efficiently removing bubbles. CONSTITUTION: The processing liquid supply device is composed of an ejecting nozzle 67 for ejecting a resist liquid to a wafer, a resist tank 62 for housing the resist liquid, supply pipe lines 63a-63d for connecting the discharge nozzle 67 to tank 62, a pump 66 arranged between the supply pipe lines 63c and 63d, a pump driving structure for controlling the operation of the pump 66, a circulating pipe line 68, one end of which is branched from the pipe line 63b and another end of which is arranged in the pump 66, a filter 65 arranged between the supply pipe lines 63b and 63c and filtering the resist liquid to remove the bubbles, a drain pipe line 71 for discharging the resist liquid filtered with the filter 65 and containing the bubbles and a valve 71a arranged in the drain pipe line 71 and for controlling the flow rate of the resist liquid discharged from the filter 65.

Abstract translation: 目的：提供能够有效去除气泡的加工液体供给装置及其方法。 构成：处理液供给装置由用于将抗蚀剂液体喷射到晶片的喷射喷嘴67，用于容纳抗蚀剂液体的抗蚀剂罐62，将排出喷嘴67连接到罐62的供给管线63a〜63d， 设置在供给管线63c和63d之间的泵66，用于控制泵66的操作的泵驱动结构，循环管线68，其一端从管路63b分支，另一端设置在 泵66，布置在供给管线63b和63c之间并过滤抗蚀剂液体以除去气泡的过滤器65，用于将由过滤器65过滤并容纳气泡的抗蚀剂液体排出的排水管线71和布置成 并且用于控制从过滤器65排出的抗蚀剂液体的流量。

公开(公告)号：KR1019960008999A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019950028201

申请日：1995-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 다나카히데야 ,  모리오카노리미쓰 ,  기무라요시오 ,  요시하라고스케

IPC: H01L21/027

Abstract: 현상처리장치는, 기판보다 작은 크기의 얹어놓는면을 가지며, 이 얹어 놓는면에 레지스트 도포면이 위를 향하도록 얹어놓인 기판을 스판회전시키는 스핀척과, 이 스핀척을 둘러싸는 척과, 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하는 현상액 노즐과, 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 세정액을 가하는 제l의 세정액노즐과, 스핀척상의 기판의 뒷면에 세정액을 가하는 제2의 세정액 노즐과, 스핀척과 실질적으로 같은 축에 설치되고, 그 직경이 스핀척의 얹어놓는면보다 크고, 또한 기판보다는 작은 액체밀폐 링과, 이 액체밀페 링의 윗끝단에 설치되고, 스핀척상의 기판 뒷면의 둘레부에 근접대면하여 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 액막형성부를 구비하고, 막평성부는, 기판뒷면에 대하여 실질적으로 직교하고, 또한, 바 깥쪽을 향하는 제1의 벽부와, 기판뒷면에 대하여 완만하게 경사하고, 또한, 안쪽을 향하는 제2의 벽부를 가진다.

公开(公告)号：KR1020160100234A

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：KR1020160013310

申请日：2016-02-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고스케

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 도포막의막 두께를조정하기위한각종파라미터를조정하는데 있어서, 조정작업마다의파라미터값의편차를억제함과함께각 파라미터값을적정한범위내로설정하는것이다. 막두께분포를조정하기위한제1 파라미터및 제2 파라미터를포함하는레시피에기초하여도포막을형성하고, 제1 도포막의막 두께분포를취득하는공정과, 제1 도포막의막 두께분포를기판의위치와막 두께와의관계를나타내는제1 차수의함수에근사시키고, 당해함수에기초하여제1 파라미터를변경하는공정과, 제1 변경공정에의해변경한레시피에기초하여기판에도포막을형성하고, 당해기판에있어서의제2 도포막의막 두께분포를취득하는공정과, 제2 도포막의막 두께분포를기판의위치와막 두께와의관계를나타냄과함께제1 차수보다도큰 제2 차수의함수에근사시키고, 당해함수에기초하여상기제2 파라미터를변경하는공정을실시한다.

Abstract translation: 当调整用于调整涂膜的膜厚度的各种参数时，限制每个调整工件的参数值的偏差，并且将每个参数值设置在适当的范围。 根据本发明的涂膜形成方法包括以下步骤：基于包括第一参数和第二参数的配方形成涂膜，用于调节膜厚度分布，并获得第一涂膜的膜厚分布 ; 将第一涂膜的膜厚分布近似为表示基板的位置与膜厚度之间的关系的线性函数，并且基于相应的函数来改变第一参数; 基于通过第一变化处理改变的配方在基板上形成涂膜，并且获得第二涂膜相对于相应基板的膜厚度分布; 并且将所述第二涂膜的膜厚分布近似为表示所述基板的位置和膜厚度之间的关系并且大于所述线性函数的二次函数，并且基于相应的函数来改变所述第二参数。

公开(公告)号：KR1020100002077A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020090018761

申请日：2009-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카야나기고지 ,  요시하라고스케

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/16

CPC classification number: G03F7/162 ,  G03F7/70933 ,  H01L21/6715

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to form a process layer with high uniformity by suppressing a swell phenomenon of the process layer on an edge of a substrate to be processed. CONSTITUTION: A resist liquid is provided to the surface of a wafer rotating by a spin chuck(16) through a spray nozzle(17). An outer cup(62) includes an outer wall surrounding the outer side of the wafer maintained by the spin chuck. An inner cup(63) is positioned under the outer side of the wafer. A middle cup(64) is fixed in an inner circumference of the outer side of the outer cup. The middle cup includes a plurality of vent holes(66). An opening and closing unit(67) opens or closes the vent hole of the middle cup. A lift cylinder(68) moves the opening and closing unit. The opening and closing unit blocks the air current by closing the vent hole. The opening and closing unit allows the air current passing through the vent hole when forming a resist film.

Abstract translation: 目的：通过抑制待处理基板的边缘上的处理层的溶胀现象，提供基板处理装置以形成具有高均匀性的处理层。 构成：通过旋转卡盘（16）通过喷嘴（17）旋转的晶片的表面上提供抗蚀剂液体。 外杯（62）包括围绕由旋转卡盘保持的晶片外侧的外壁。 内杯（63）位于晶片外侧。 中杯（64）固定在外杯的外侧的内周。 中间杯包括多个通气孔（66）。 打开和关闭单元（67）打开或关闭中杯的通气孔。 提升缸（68）使打开和关闭单元移动。 打开和关闭单元通过关闭通气孔阻止气流。 当形成抗蚀剂膜时，打开和关闭单元允许气流通过通气孔。

公开(公告)号：KR100595082B1

公开(公告)日：2006-09-11

申请号：KR1019980007355

申请日：1998-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  요시하라고스케 ,  후쿠다유지

IPC: H01L21/027

Abstract: 피처리기판을 소정 온도로 설정하고, 소정 온도로 설정된 피처리기판을 회전시키면서 레지스트액을 기판상에 도포하여 레지스트막을 기판상에 형성하며, 레지스트막이 형성된 피처리기판을 가열하고, 이 가열처리후에 피처리기판을 소정 온도로 냉각하는 레지스트 처리방법에 있어서, 가열처리와 냉각처리와의 사이에서 피처리기판상의 레지스트막의 막두께가 측정된다.

公开(公告)号：KR100583089B1

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：KR1020010015726

申请日：2001-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지모토아키히로 ,  요시하라고스케 ,  에노모토마사히로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6715

Abstract: 본 발명은, 기판 상에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급장치로서, 상기 기판에 처리액을 토출하는 토출노즐과, 상기 처리액을 수용하는 용기와, 상기 토출노즐과 상기 용기를 연결하는 공급배관과, 상기 공급배관에 배설된 펌프와 상기 펌프의 작동을 제어하는 펌프 구동기구와, 일 끝단이 상기 용기와 상기 펌프 사이의 배관으로부터 분기하고, 다른 끝단이 상기 펌프에 배설된 순환배관과, 상기 공급배관 도중에서 상기 순환배관의 일끝단과 다른 끝단의 사이에 배설되어, 상기 처리액을 여과하여 이물질을 제거하는 필터와, 이 필터에 의해 여과되는 이물질을 포함하는 처리액을 배출하는 드레인 배관과, 이 드레인 배관에 배설되어, 상기 필터로부터 배출되는 처리액의 유량을 제어하는 밸브를 가지고 있다.
본 발명에 의하면, 순환배관에 처리액의 일부를 순환시켜 처리액의 공급을 하기 때문에, 처리액의 일부는 두 번째 필터를 통과하여 토출노즐로부터 토출되게 된다. 따라서, 처리액 중에 존재하는 이물질을 효율적으로 제거할 수가 있다.