公开(公告)号：KR1020140021628A

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：KR1020137028611

申请日：2012-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠시마다카라 ,  이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C14/046 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 Cu 배선의 형성 방법은, 트렌치를 가지는 웨이퍼의 전체면(全面)에 배리어막을 형성하는 공정과, 배리어막 상에 Ru막을 형성하는 공정과, Ru막 상에 PVD에 의해 순Cu막을 형성해서 트렌치를 매립하는 공정과, 순Cu막 상에 PVD에 의해 Cu 합금막을 형성하는 공정과, CMP에 의해 전체면을 연마해서 Cu 배선을 형성하는 공정과, Cu 배선상에 유전체로 이루어지는 캡층을 형성하는 공정과, Cu 배선과 캡층의 계면에 대응하는 부분을 포함하는 영역에, Cu 합금막에 포함되는 합금성분을 편석시키는 공정을 가진다.