公开(公告)号：KR102125103B1

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：KR1020147030699

申请日：2013-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도무라미츠히로 ,  기타무라아키노리 ,  히가시츠츠미신지 ,  오타케히로토 ,  츠카모토다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

公开(公告)号：KR1020150016498A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：KR1020147030699

申请日：2013-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도무라미츠히로 ,  기타무라아키노리 ,  히가시츠츠미신지 ,  오타케히로토 ,  츠카모토다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/32136

Abstract: 다층막을 에칭할 때에 이용하는 마스크를 양호하게 형성할 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공한다. 플라즈마 에칭 방법은, 붕소가 도핑된 비정질 카본을 에칭하는 방법으로서, 염소 가스와 산소 가스의 혼합 가스의 플라즈마를 사용하고, 배치대(3)의 온도를 100℃ 이상으로 한다.