公开(公告)号：KR1020170000360A

公开(公告)日：2017-01-02

申请号：KR1020160078533

申请日：2016-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도무라마주 ,  다케다료헤이 ,  다카시마류이치 ,  오오야요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: [과제] 극저온의온도제어에의해에칭을촉진시키는것을목적으로한다. [해결수단] 기판의표면온도를 -35℃미만으로제어하고, 제1 고주파전원이출력하는제1 고주파전력및 제2 고주파전원이출력하는제2 고주파전력을이용하여수소함유가스및 불소함유가스로부터플라즈마를생성하고, 플라즈마에의해실리콘산화막을에칭처리하는제1 공정과, 상기제2 고주파전원의출력을정지하고, 플라즈마에의해실리콘산화막을에칭처리하는제2 공정을포함하고, 상기제1 공정과상기제2 공정을복수회반복하는에칭처리방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020150016498A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：KR1020147030699

申请日：2013-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도무라미츠히로 ,  기타무라아키노리 ,  히가시츠츠미신지 ,  오타케히로토 ,  츠카모토다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/32136

Abstract: 다층막을 에칭할 때에 이용하는 마스크를 양호하게 형성할 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공한다. 플라즈마 에칭 방법은, 붕소가 도핑된 비정질 카본을 에칭하는 방법으로서, 염소 가스와 산소 가스의 혼합 가스의 플라즈마를 사용하고, 배치대(3)의 온도를 100℃ 이상으로 한다.

公开(公告)号：KR1020170073504A

公开(公告)日：2017-06-28

申请号：KR1020160170499

申请日：2016-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도미나가쇼 ,  오오야요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/115 ,  H05H1/46 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01J49/10

Abstract: 본발명은상이한종류의에칭대상막을에칭할때의기판의온도제어성및 에칭의균일성을높이는것을목적으로한다. 웨이퍼의온도가 -35℃이하인극저온환경에있어서, 제1 고주파전원으로부터제1 고주파의전력을출력하고, 제2 고주파전원으로부터상기제1 고주파보다낮은제2 고주파의전력을출력하며, 수소함유가스및 불소함유가스로부터플라즈마를생성하고, 실리콘산화막및 실리콘질화막을적층한적층막과실리콘산화막의단층막을플라즈마에의해에칭하는제1 공정과, 상기제2 고주파전원의출력을정지하는제2 공정을가지며, 상기제1 공정과상기제2 공정을복수회 반복하고, 상기제1 공정은상기제2 공정보다짧은에칭방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提高基材与蚀刻在称为不同类型的被蚀刻膜的时间的温度控制性的均匀性。 根据晶片的温度低于-35℃的低温环境中，从高频功率的第一高频电力的第一输出，和输出比从高频电源的第一无线电频率的第二低的第二高频电力，和含氢气体 并产生从氟的等离子体含氧气体，并停止所述第一步骤和所述射频的所述第二输出由氧化硅膜和氮化硅膜的等离子体单层膜称为层叠膜和氧化硅膜层叠的第二步骤 具有第一步骤和第二多次反复的两个步骤，第一步骤是比所述第二处理设置有短的蚀刻。

公开(公告)号：KR102125103B1

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：KR1020147030699

申请日：2013-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도무라미츠히로 ,  기타무라아키노리 ,  히가시츠츠미신지 ,  오타케히로토 ,  츠카모토다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

公开(公告)号：KR102100011B1

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：KR1020160170499

申请日：2016-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도미나가쇼 ,  오오야요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/115 ,  H05H1/46 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01J49/10