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    피처리체의 유지 기구, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
    1.
    发明公开
    피처리체의 유지 기구, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
    피처리체의유지기구，플라즈마처리장치및플라즈마처리방피처

    公开(公告)号：KR1020030022315A

    公开(公告)日：2003-03-15

    申请号：KR1020037001137

    申请日：2001-07-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 히로세에이지

    IPC: H01L21/68

    CPC classification number: H01L21/6835 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/6833 ,  H01L2924/19041 ,  Y10T279/23

    Abstract: 본 발명은, 고주파 전력 공급 라인에서의 직류 성분으로부터 하부 전극(2)의 보호막의 박리 상태의 검출과 잔유 전하의 제거 기능을 갖는 검출 회로(8)를 전원 공급 라인으로부터 전기적으로 차단하는 릴레이 스위치(8b)를 구비하며, 프로세스 조건에 따라 하부 전극(2)으로부터 검출 회로(8)를 차단하여 이상 방전을 방지하고, 이상 방전을 발생하지 않는 프로세스 조건에 의한 플라즈마 처리중 또는 유지 보수시에는, 하부 전극(2)에 전기적으로 접속하여 플라즈마 방전에서의 직류 성분으로부터 하부 전극(2)의 보호막의 박리 상태(수명)를 검출하거나, 또는 하부 전극 등으로의 대전이나 잔유 전하의 제거를 행하는 피처리체 W의 유지기구이다.

    Abstract translation: 根据本发明，提供一种待加工物体W的保持机构，该保持机构包括继电器开关，该继电器开关用于使具有检测下电极的保护膜的剥离状态的功能的检测电路电切断， 来自电源供应线的高频电源线中的直流分量的残余电荷，并根据处理条件使检测电路与下电极断开以防止异常放电，并且将检测电路 到下电极以检测下电极的保护膜的剥离状态（寿命）与等离子体放电中的直流分量的差异，或者在处理条件下的等离子体处理期间去除进入下电极的电荷或残余电荷 不会引起异常放电或维修时。 ＆lt;图像＆GT;

    피처리체의 유지 기구, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
    2.
    发明授权
    피처리체의 유지 기구, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
    工件保持机构，等离子体加工设备和等离子体处理方法

    公开(公告)号：KR100892790B1

    公开(公告)日：2009-04-10

    申请号：KR1020037001137

    申请日：2001-07-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 히로세에이지

    IPC: H01L21/68

    CPC classification number: H01L21/6835 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/6833 ,  H01L2924/19041 ,  Y10T279/23

    Abstract: 본 발명은, 고주파 전력 공급 라인에서의 직류 성분으로부터 하부 전극(2)의 보호막의 박리 상태의 검출과 잔유 전하의 제거 기능을 갖는 검출 회로(8)를 전원 공급 라인으로부터 전기적으로 차단하는 릴레이 스위치(8b)를 구비하며, 프로세스 조건에 따라 하부 전극(2)으로부터 검출 회로(8)를 차단하여 이상 방전을 방지하고, 이상 방전을 발생하지 않는 프로세스 조건에 의한 플라즈마 처리중 또는 유지 보수시에는, 하부 전극(2)에 전기적으로 접속하여 플라즈마 방전에서의 직류 성분으로부터 하부 전극(2)의 보호막의 박리 상태(수명)를 검출하거나, 또는 하부 전극 등으로의 대전이나 잔유 전하의 제거를 행하는 피처리체 W의 유지기구이다.

    플라즈마 처리 장치
    8.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 无效
    等离子体加工装置

    公开(公告)号：KR1020020011076A

    公开(公告)日：2002-02-07

    申请号：KR1020010043167

    申请日：2001-07-18

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 히로세에이지

    IPC: H05H1/36

    CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183 ,  H01L21/31116

    Abstract: PURPOSE: To solve a problem that the damage to a wall surface is increased due to the increased sputter rate in the case of impressing two kinds of high frequency power simultaneously compared with the case of impressing a single frequency, when a potential difference occurs between a plasma potential and the ground potential of the wall surface of a processing chamber 1 and the wall surface is eroded by sputter of ion components in the plasma. CONSTITUTION: In this plasma processing device 10 using two frequencies, the first high frequency line 16 is provided with the first filter circuit 20 for attenuating high frequency voltage from the second high frequency power source 15, the second high frequency line 18 is provided with the second filter circuit 21 for attenuating high frequency voltage from the first high frequency power source 14, and the circuit 20 is provided with a variable capacitor 20A as a means for changing a circuit constant.

    Abstract translation: 目的：为了解决由于在施加两种高频功率的情况下，与施加单个频率的情况相比，由于增加的溅射速率而增加了壁表面的损伤的问题，当在 处理室1的壁表面和壁表面的等离子体电位和地电势被等离子体中的离子组分的溅射侵蚀。 构成：在这种使用两个频率的等离子体处理装置10中，第一高频线16设置有用于衰减来自第二高频电源15的高频电压的第一滤波电路20，第二高频线18设置有 用于衰减来自第一高频电源14的高频电压的第二滤波器电路21，并且电路20设置有作为改变电路常数的装置的可变电容器20A。

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