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    처리 프로세스를 조정하는 방법
    1.
    发明公开
    처리 프로세스를 조정하는 방법 审中-实审
    如何调整处理过程

    公开(公告)号：KR1020170106207A

    公开(公告)日：2017-09-20

    申请号：KR1020170028460

    申请日：2017-03-06

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 히로세준 ,  아미쿠라노리히코 ,  미요시리사코

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

    CPC classification number: F26B3/04 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

    Abstract: 하나의프로세스레시피를복수의상이한가스공급계에서이용하기위한기술이제공된다. 기판처리장치에서이용되는프로세스레시피를기판처리장치와상이한구성을구비하는기판처리장치에적용하여피처리체를처리하는경우에, 처리프로세스를조정하는방법으로서, 기판처리장치의가스공급계및 기판처리장치의가스공급계에관한장치정보를이용하여, 프로세스레시피의가스처리공정의개시시로부터미리설정된시간만큼, 또는가스처리공정의개시전의미리설정된시간만큼, 가스공급계에있어서의가스의유량을증감시켜, 처리프로세스를조정하는공정을포함하고, 이공정은, 프로세스레시피를이용한기판처리장치의처리프로세스를, 프로세스레시피를이용한기판처리장치의처리프로세스에적합하게한다.

    Abstract translation: 提供了在多个不同的气体供应系统中使用一个工艺配方的技术。 提供了一种在通过将在基板处理设备中使用的处理配方应用于具有不同于基板处理设备的配置的基板处理设备来处理待处理对象的情况下调整处理过程的方法， 使用该装置的气体供给系统的装置信息，从气体处理工序的气体处理工序的开始开始到气体处理工序开始前的规定时间为止的规定时间内，计算气体供给系统内的气体的流量 并且调整处理过程以使得使用处理配方的基板处理设备的处理过程适应于使用过程配方的基板处理设备的处理过程。

    플라즈마 처리 방법 및 장치
    3.
    发明公开
    플라즈마 처리 방법 및 장치 有权
    等离子体处理方法和装置

    公开(公告)号：KR1020050086831A

    公开(公告)日：2005-08-30

    申请号：KR1020057009444

    申请日：2003-11-25

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 고시이시아키라 ,  히로세준 ,  오가사와라마사히로 ,  히라노다이치 ,  사사키히로미츠 ,  요시다데츠오 ,  사이토미치시게 ,  이시하라히로유키 ,  오오야부준 ,  누마타고지

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32935

    Abstract: In the present plasma processing method, a certain process gas is supplied into a plasma production chamber (10) in which a substrate to be processed (W) is placed, and the process gas is changed into a plasma. A certain plasma process is then conducted on the substrate (W) with this plasma. By independently controlling the spatial distribution of the plasma density and the spatial distribution of the density of radicals in the plasma in relation to the substrate (W) using an opposed portion (34) facing to the substrate (W), a certain processing state can be attained along the entire surface of the substrate (W) to be processed.

    Abstract translation: 在本等离子体处理方法中，将一定的处理气体供给到其中放置有待处理基板（W）的等离子体制造室（10）中，将处理气体变更为等离子体。 然后用该等离子体在衬底（W）上进行某种等离子体处理。 通过使用面对衬底（W）的相对部分（34）独立地控制等离子体密度的空间分布和等离子体中自由基的密度相对于衬底（W）的空间分布，某一处理状态可以 沿待处理的基板（W）的整个表面获得。

    포커스 링 및 플라즈마 처리 장치
    4.
    发明公开
    포커스 링 및 플라즈마 처리 장치 有权
    聚焦环和等离子体加工设备

    公开(公告)号：KR1020050025079A

    公开(公告)日：2005-03-11

    申请号：KR1020040070432

    申请日：2004-09-03

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 고시이시아키라 ,  다나카히데아키 ,  오카야마노부유키 ,  미야가와마사아키 ,  미즈카미순스케 ,  시미즈와타루 ,  히로세준 ,  와카키도시카츠 ,  미와도모노리 ,  오오야부준 ,  하야시다이스케

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32642

    Abstract: A focus ring and a plasma processing apparatus are provided to obtain the same uniform plasma processing of an edge as a center of wafer and to reduce a deposition in the back surface of edge. A focus ring includes a lower member and an upper member. The lower member(9) is formed with a dielectric. An upper member(10) made of a conductive material is formed on the top of the lower member. An inclined portion that an outer circumferential side thereof is higher than an inner circumferential side is formed on the top surface of the upper member. The position of end of the outer circumferential side in the inclined portion is higher than the position of a surface of the wafer(W) to be processed. The inner circumferential side of the upper member is spaced apart from a circumferential edge of the wafer by a predetermined distance.

    Abstract translation: 提供聚焦环和等离子体处理装置以获得作为晶片中心的边缘的相同的均匀等离子体处理并减少边缘的后表面中的沉积。 聚焦环包括下部构件和上部构件。 下部构件（9）形成有电介质。 由导电材料制成的上部构件（10）形成在下部构件的顶部上。 在上部构件的上表面上形成有外周侧高于内周侧的倾斜部。 倾斜部分中的外周侧的端部的位置高于待处理的晶片（W）的表面的位置。 上部构件的内周侧与晶片的圆周边缘间隔预定距离。

    마그네트론 플라즈마 처리 장치
    5.
    发明授权
    마그네트론 플라즈마 처리 장치 有权
    마그네트론플라즈마처리장치

    公开(公告)号：KR100403074B1

    公开(公告)日：2003-10-30

    申请号：KR1019990030316

    申请日：1999-07-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 구보타가즈히로 ,  도자와시게키 ,  히로세준 ,  고시이시아키라 ,  곤도도모미

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3266

    Abstract: The magnetron plasma processing apparatus includes a vacuum chamber in which a semiconductor wafer is accommodated. In the chamber, a pair of electrodes are provided to face each other, and the wafer is placed on one electrode. Between a pair of the electrodes, a vertical electric field is formed, and a horizontal magnetic field is formed by the dipole ring magnet to cross perpendicularly to the electric field. The magnetic field has a gradient of the magnetic field intensity such that the intensity is high on the upstream side and is low on the downstream side in the electron-drift direction. Further, the magnetic field is formed such that the intensity is made uniform over a large area including the end portion of the wafer on the upstream side in the electron-drift direction and a region right outside it.

    Abstract translation: 磁控管等离子体处理装置包括容纳半导体晶片的真空室。 在腔室中，一对电极被设置为彼此面对，并且晶片被放置在一个电极上。 在一对电极之间形成垂直电场，并且由偶极环磁体形成水平磁场以垂直于电场交叉。 磁场具有磁场强度的梯度，使得在电子漂移方向上在上游侧强度高而在下游侧低。 此外，磁场形成为使得在包括电子漂移方向上游侧上的晶片的端部和其外部的区域的大面积上使强度均匀。

    병렬분류형 유체공급장치와, 이것에 사용하는 유체가변형압력식 유량제어방법 및 유체가변형 압력식 유량제어장치
    8.
    发明授权
    병렬분류형 유체공급장치와, 이것에 사용하는 유체가변형압력식 유량제어방법 및 유체가변형 압력식 유량제어장치 有权
    병렬분류형유체공급급와량량량량및및및및및및및및및량

    公开(公告)号：KR100427563B1

    公开(公告)日：2004-04-27

    申请号：KR1020007014228

    申请日：2000-04-03

    Applicant: 가부시키가이샤 후지킨 ,  오미 다다히로 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오미다다히로 ,  카가츠메사토시 ,  스기야마카즈히코 ,  히로세준 ,  후카자와카즈오 ,  코이즈미히로시 ,  나가오카히데키 ,  미나미유키오 ,  니시노코지 ,  도히료스케 ,  요네하나카츠노리 ,  이케다노부카즈 ,  야마지미치오 ,  모리모토아키히로 ,  우노토미오 ,  이데타에이지 ,  마츠모토아츠시 ,  우에노야마토요미 ,  히로세타카시

    IPC: G05D7/06

    CPC classification number: G05D7/0658 ,  G05D7/0664 ,  Y10S438/935 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7759 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/86389 ,  Y10T137/87877 ,  Y10T137/87917

    Abstract: 압력조정용의 1개의 레귤레이터로부터 복수개의 유로를 병렬적으로 설치한 유체공급장치에 있어서, 각 유로의 유체공급의 개폐조작이 다른 유로의 정상공급에 과도적 변동을 주지 않도록 한다. 그를 위하여 각 유로에 유량제어용의 매스플로 컨트롤러(MFC) 또는 압력식 유량제어장치(FCS)를 설치하고, 어느 유로의 유체공급이 닫힌 상태에서 열린 상태로 되었을 때, 그 유로의 매스플로 컨트롤러(MFC)가 동작개시로부터 일정한 지연시간(Δt)만큼 지연되어 설정유량(Qs)에 도달하도록 구성한다.
    또, 1대의 압력식 유량제어장치에 의해 복수의 가스종류를 고밀도로 유량제어할 수 있는 방법과 그 장치를 실현한다. 그를 위하여, 임계압력비 이하의 조건에서 오리피스를 통과하는 가스의 유량계산식을 이론적으로 도출하고, 그 식으로부터 플로팩터를 정의하고, 이 플로팩터를 사용하여 다수의 가스종류에 대응할 수 있도록 하였다.
    즉, 오리피스(8)의 상류측 압력(P
    1 )을 하류측 압력(P
    2 )의 약 2배 이상으로 확보한 상태에서 오리피스를 통과하는 가스의 연산유량(Qc)을 Qc=KP
    1 (K는 정수)로서 연산하는 유량제어방법에 있어서, 가스종류마다 플로팩터(FF)를
    FF = (k/ν
    S ){2/(κ+1)}
    1/(κ-1) [κ/{(κ+1)R}]
    1/2 에 의해 계산하고, 가스종류 A의 연산유량이 Q
    A 인 경우에, 동일 오리피스, 동일 상류측 압력 및 동일 상류측 온도의 조건하에서 가스종류 B를 유통시켰을 때, 그 연산유량(Q
    B )을 Q
    B =(FF
    B /FF
    A )Q
    A 로서 산출한다. 여기서 ν
    S 는 가스의 표준상태 밀도, κ는 가스의 비열비, R은 가스정수, k는 가스종류에 의존하지 않는 비례정수, FF
    A , FF
    B 는 가스종류 A, B의 플로팩터이다.

    Abstract translation: 一种流体供应装置，其具有从一个调节器分支出来用于调节压力的多条流动管线，所述流动管线平行布置，其中采取措施，即操作，即一个流动通道的打开或关闭将不具有 对其他流动通道的稳定流动产生瞬态影响。 为此，每个流道设置有延时型质量流量控制器MFC，使得当打开一个封闭流体通道时，该流道上的质量流量控制器在特定延迟时间Δt内达到设定流量Qs 从起点。 还提供了一种上述方法和装置，其中可以通过一个压力型流量控制系统高精度地控制多种气体类型的流量。 为此，理论上导出用于计算气体流量的公式，其中压力比不高于临界压力比。 根据该公式，定义流量因子，以便可以使用流量因子将公式应用于多种气体类型。 该方法包括在孔口的上游侧的压力P1设定为高于下游侧的压力P2两倍以上的压力P1的情况下，根据公式Qc = KP1（K =常数）计算通过孔口的气体的流量Qc ，其中每种气体的流量因子FF计算如下：其中，每种气体的流量因子FF被计算如下：其中，每种气体的流量因子FF被计算为如下：其中，每种气体的流量因子FF被计算为如下：＆Delta; FF =（k / ＆AUML; kappa / auml;（kappa + 1）R＆lt; uuml; 1/2＆gt; ＆LT; / DF＆GT; 并且其中，如果所计算的气体类型A的流量是QA，并且当允许气体类型B在上游侧上的相同压力下和上游侧上相同温度下流过同一孔口时， QB计算如下：＆lt; DF＆gt; QB =（FFB / FFA）QA＆lt; / DF＆gt; ys =标准状态下的气体浓度; kappa =气体比热比; R =气体的常数; K =不依赖于气体类型的比例常数; FFA = A型气体流量系数; 和FFB =气体类型B的流量因子。

    진공 처리 시스템
    9.
    发明公开
    진공 처리 시스템 有权
    真空处理系统

    公开(公告)号：KR1020010081006A

    公开(公告)日：2001-08-25

    申请号：KR1020017006069

    申请日：1999-11-17

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오자와준 ,  히로세준 ,  나루시마마사키

    IPC: H01L21/00

    Abstract: 본 발명의 진공 처리 유닛은 피처리체가 세트되는 로드 포트와, 로드 포트에 인접하여 설치됨과 동시에, 대기압으로 설정된 내부 공간을 구비하고, 로드 포트에 대하여 피처리체를 반출입하는 이동 가능한 제 1 반송 장치를 상기 내부 공간에 갖는 공통 반송실과, 피처리체에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위한 하나의 처리실과, 처리실에 접속되고 또한 진공압으로 설정되는 내부 공간을 갖고 또한 처리실에 대하여 피처리체를 반출입하는 제 2 반송 장치를 상기 내부 공간내에 갖는 진공 반송실을 구비한 처리 유닛을 포함하고, 공통 반송실에는 복수의 처리 유닛이 개별로 또한 서로 대략 평행하게 접속되고, 각 처리 유닛은 그 진공 반송실이 공통 반송실에 접속됨과 동시에, 공통 반송실에 대하여 대략 직교하는 방향으로 직선적으로 연장하고, 제 1 � ��송 장치를 거쳐서 진공 반송실에 대하여 피처리체가 반출입되는 것을 특징으로 한다.

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