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    대기 반송실, 피처리체의 처리 후 반송 방법, 프로그램 및기억 매체
    3.
    发明授权
    대기 반송실, 피처리체의 처리 후 반송 방법, 프로그램 및기억 매체 有权
    大气转移室，处理对象传输方法，执行传输方法的程序和存储程序的存储介质

    公开(公告)号：KR100810796B1

    公开(公告)日：2008-03-06

    申请号：KR1020060024148

    申请日：2006-03-16

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 모리야츠요시 ,  히로오카다카아키 ,  시미즈아키타카 ,  다나카사토시

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: C23F1/12 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67775

    Abstract: 피처리체로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 피처리체 처리 장치의 가동률을 향상시킬 수 있는 대기 반송실을 제공한다. 에칭 처리가 실시된 웨이퍼(W)가 반송되는 로더 모듈(13)은, 그 내부에서 상측에 배치된 FFU(34)를 구비하고, FFU(34)는, 팬 유닛(37), 가열 유닛(38), 제습 유닛(39) 및 제진 유닛(40)으로 이루어지고, 팬 유닛(37)은 하측을 향하여 대기를 송출하는 팬을 내장하고, 제습 유닛(39)은 팬 유닛(37)에 의해서 송출된 대기를 제습하는 데시캔트 필터(55)를 내장하고, 제진 유닛(40)은 제습 유닛(39)을 통과한 대기중의 먼지와 쓰레기를 집진하는 필터를 내장하고, 이에 의해, FFU(34)는 로더 모듈(13) 내부의 상측에 도입된 대기를 가열, 제습, 제진하여, 로더 모듈(13) 내부의 하측에 공급한다.

    대기 반송실, 피처리체의 처리 후 반송 방법, 프로그램 및기억 매체
    6.
    发明公开
    대기 반송실, 피처리체의 처리 후 반송 방법, 프로그램 및기억 매체 有权
    大气转移室，处理对象传输方法，执行传输方法的程序和存储程序的存储介质

    公开(公告)号：KR1020060101303A

    公开(公告)日：2006-09-22

    申请号：KR1020060024148

    申请日：2006-03-16

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 모리야츠요시 ,  히로오카다카아키 ,  시미즈아키타카 ,  다나카사토시

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: C23F1/12 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67775

    Abstract: 피처리체로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 피처리체 처리 장치의 가동률을 향상시킬 수 있는 대기 반송실을 제공한다. 에칭 처리가 실시된 웨이퍼(W)가 반송되는 로더 모듈(13)은, 그 내부에서 상측에 배치된 FFU(34)를 구비하고, FFU(34)는, 팬 유닛(37), 가열 유닛(38), 제습 유닛(39) 및 제진 유닛(40)으로 이루어지고, 팬 유닛(37)은 하측을 향하여 대기를 송출하는 팬을 내장하고, 제습 유닛(39)은 팬 유닛(37)에 의해서 송출된 대기를 제습하는 데시캔트 필터(55)를 내장하고, 제진 유닛(40)은 제습 유닛(39)을 통과한 대기중의 먼지와 쓰레기를 집진하는 필터를 내장하고, 이에 의해, FFU(34)는 로더 모듈(13) 내부의 상측에 도입된 대기를 가열, 제습, 제진하여, 로더 모듈(13) 내부의 하측에 공급한다.

    플라즈마 처리 장치, 그 보수 방법 및 그 시공 방법
    7.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치, 그 보수 방법 및 그 시공 방법 有权
    等离子体处理装置，所述维护方法和施工方法

    公开(公告)号：KR100596822B1

    公开(公告)日：2006-07-03

    申请号：KR1020017012489

    申请日：2000-03-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 히로오카다카아키

    IPC: H05H1/00

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32568

    Abstract: 에칭 장치(100)의 처리실(102)의 상부벽을 형성하는 상부 전극 유닛(103)은 상부 전극(124)을 포함하는 제 1 조립체(202)와 제 1 조립체(202)를 지지하는 제 2 조립체(204)와 전력 공급 경로(178, 172)를 포함하는 제 3 조립체(206)로 구성된다. 제 2 로킹 기구(150)를 해제하고, 제거 기구(208)로 제 3 조립체(206)를 단독으로 분리한 후, 제 1 조립체(202)를 제거하고 상부 전극(124)의 보수를 행한다. 제 2 로킹 기구(150)를 고정하고, 제 1 로킹 기구(200)를 해제한 후, 제거 기구(208)로 제 2 및 제 3 조립체(204, 206)를 제거하고 처리실(102)내를 개방하여 보수를 행한다. 이러한 구성에 의해, 보수를 용이하게 행할 수 있어 작업자의 부담을 경감하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치 및 그 보수 방법이 제공된다.

    Abstract translation: 用于形成第二组件的蚀刻装置100的处理室102的顶壁的上部电极部103以支撑第一组件202和第一组件202包括一个上电极124 它由一第三组件206，其包括204和供电路径（178，172）的。 2以释放锁定机构150，并分离成第三鞋底组件206作为除去机构（208），除去第一组件202，并执行上电极124的维护。 第二安全锁定机构150，以及第一至释放锁定机构200中，取出机构208，以除去所述第二和第三组件（204，206）并且打开处理室102 执行维护。 根据这样的结构，能够容易地进行维护被提供给等离子处理装置和用于降低操作者的负担的维护方法。

    플라즈마 처리 장치, 그 보수 방법 및 그 시공 방법
    10.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치, 그 보수 방법 및 그 시공 방법 有权
    等离子体处理装置的维护方法及其安装方法

    公开(公告)号：KR1020020013844A

    公开(公告)日：2002-02-21

    申请号：KR1020017012489

    申请日：2000-03-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 히로오카다카아키

    IPC: H05H1/00

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32568

    Abstract: 에칭장치(100)의처리실(102)의상부벽을형성하는상부전극유닛(103)은상부전극(124)을포함하는제 1 조립체(202)와제 1 조립체(202)를지지하는제 2 조립체(204)와전력공급경로(178, 172)를포함하는제 3 조립체(206)로구성된다. 제 2 로킹기구(150)를해제하고, 제거기구(208)로제 3 조립체(206)를단독으로분리한후, 제 1 조립체(202)를제거하고상부전극(124)의보수를행한다. 제 2 로킹기구(150)를고정하고, 제 1 로킹기구(200)를해제한후, 제거기구(208)로제 2 및제 3 조립체(204, 206)를제거하고처리실(102)내를개방하여보수를행한다. 이러한구성에의해, 보수를용이하게행할수 있어작업자의부담을경감하는것이가능한플라즈마처리장치및 그보수방법이제공된다.

    Abstract translation: 构成蚀刻装置的处理室的上壁的上电极单元包括：第一组件，其包括上电极，支撑第一组件的第二组件和包括供电路径的第三组件。 在释放第二锁定机构并且用移除机构单独脱离第三组件之后，第一组件被分离以对上部电极执行维护。 在锁定第二锁定机构并释放第一锁定机构之后，使用移除机构来使第二和第三组件脱离接合，结果打开处理室以实现维护。 通过采用上述结构，提供了一种等离子体处理装置及其维护方法，其方便维护并减少施加于操作者的工作量。

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