公开(公告)号：KR1020070004701A

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：KR1020067018487

申请日：2004-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로 ,  고토 나오히사

Inventor： 오미다다히로 ,  고토나오히사 ,  구가노부히로 ,  히로에아키히코

IPC: H01P5/04 ,  H01P5/12

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01P5/12

Abstract: A distributor (30) comprising a square waveguide (31) being connected with a microwave oscillator (20), and a square waveguide (41) having a plurality of openings (43) made in a narrow wall (41B). The square waveguide (31) is hollow and a wave delaying member (53) having a dielectric constant epsir is disposed in the square waveguide (41). Narrow walls (31A, 41A) of these two square waveguides (31, 41) are touched and a hole (32) for interconnecting both waveguides (31, 41) is made through the narrow walls (31A, 41A). Since the width of the waveguides (31, 41) does not become narrow at the joint thereof even if the interconnecting hole (32) is made narrow, frequency band capable of passing trough the joint is prevented from becoming narrower. Consequently, reflection loss is reduced when the frequency of an electromagnetic wave entering the distributor (30) is varied. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 包括与微波振荡器（20）连接的方波导（31）的分配器（30）和具有制成在窄壁（41B）中的多个开口的方波导41。 方波导（31）是中空的，并且具有介电常数ε的波延迟构件（53）设置在方波导（41）中。 触摸这两个方波导（31,41）的窄壁（31A，41A），并通过窄壁（31A，41A）形成用于互连两个波导（31,41）的孔（32）。 由于即使互连孔（32）较窄，波纹管（31,41）的宽度也不会变窄，因此能够防止能够通过接头的频带变窄。 因此，当进入分配器（30）的电磁波的频率变化时，反射损失减小。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020090102679A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：KR1020090025098

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 고바야시도시키 ,  스기야마마사키 ,  가토미츠오 ,  히로에아키히코 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32266

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and method for feedback-controlling plasma processing apparatus are provided to supply uniformly the high frequency power to a susceptor. CONSTITUTION: The plasma processing apparatus includes the process chamber, the susceptor(105), the feeding bar(B1,B2,B3), and the radio frequency power. The susceptor is prepared inside the process chamber. The processed article is mounted in a susceptor. The feeding bar is electrically connected to a susceptor in the power feed point. The radio frequency power is connected to the feeding bars. The radio frequency power supplies the high frequency power to a susceptor through the feeding bars.

Abstract translation: 目的：提供用于等离子体处理装置的反馈控制的等离子体处理装置和方法，以将高频功率均匀地提供给基座。 构成：等离子体处理装置包括处理室，基座（105），馈送杆（B1，B2，B3）和射频功率。 在处理室内制备感受体。 处理后的物品安装在基座上。 馈电棒电连接到馈电点中的基座。 射频功率连接到馈线。 射频电源通过馈线将高频电源提供给感受器。

公开(公告)号：KR101104514B1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：KR1020090025098

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 고바야시도시키 ,  스기야마마사키 ,  가토미츠오 ,  히로에아키히코 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: (요약) 막의 이동도를 높여 고주파 전력을 서셉터에 인가할 때, 유도 자장의 발생을 상쇄한다.
(해결 수단) 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 용기(100)와, 처리 용기 내에 마련되고, 기판 G를 탑재하는 서셉터(105)와, 서셉터(105)의 동일 원주상에 마련된 세 개의 위치 P1~P3에서 서셉터에 접촉하는 세 개의 급전봉 B1~B3과, 세 개의 급전봉 B1~B3에 접속되고, 세 개의 급전봉 B1~B3을 통해서 셋 이상의 위치 P1~P3으로부터 서셉터(105)에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원(130)을 포함한다. 서셉터(105)의 동일 원주상의 세 개의 위치 P에서 서셉터(105)에 세 개의 급전봉 B1~B3을 접촉시킨다. 세 개의 급전봉 B1~B3에 고주파 전원(130)을 접속하고, 고주파 전원(130)으로부터 출력된 고주파 전력을 세 개의 급전봉 B를 통해서 세 개의 위치 P1~P3으로부터 서셉터(105)에 공급한다.

Abstract translation: （总结）当​​通过增加膜的迁移率将高频功率施加到基座时，感应磁场的产生被抵消。

公开(公告)号：KR1020100047859A

公开(公告)日：2010-05-10

申请号：KR1020107002509

申请日：2008-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 히로에아키히코 ,  오오미타다히로

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: Provided is a semiconductor manufacturing method for manufacturing at least an n-channel thin film transistor or a p-channel thin film transistor. The method has a first step of growing a fine crystal silicon film in at least a phase (220) in crystal orientation arrangement by using high density plasma, and a second step of terminating the fine crystal silicon film by hydrogen by using hydrogen-containing plasma. Thus, the fine crystal silicon film having reduced dangling bond is formed and mobility is improved.

Abstract translation: 提供一种用于制造至少n沟道薄膜晶体管或p沟道薄膜晶体管的半导体制造方法。 该方法具有通过使用高密度等离子体在晶体取向布置中在至少相（220）中生长精细晶体硅膜的第一步骤，以及通过使用含氢等离子体将氢气终止于细晶硅膜的第二步骤 。 因此，形成具有减少的悬挂键的细晶硅膜，并提高了迁移率。

公开(公告)号：KR100805569B1

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：KR1020067018487

申请日：2004-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로 ,  고토 나오히사

Inventor： 오미다다히로 ,  고토나오히사 ,  구가노부히로 ,  히로에아키히코

IPC: H01P5/04 ,  H01P5/12

Abstract: 분배기(30)는, 마이크로파 발진기(20)에 접속된 방형 도파관(31)과, 좁은 벽(41B)에 개구(43)가 복수 형성된 방형 도파관(41)을 구비하고 있다. 방형 도파관(31)의 관내는 중공이다. 방형 도파관(41)의 관내에는, 비유전율 ε
r 의 지파재(53)가 배치되어 있다. 이들 2개의 방형 도파관(31, 41)의 좁은 벽(31A, 41A)을 서로 접촉시켜, 그 좁은 벽(31A, 41A)에 양 도파관(31, 41)을 서로 연통시키는 연통 구멍(32)을 형성한다. 연통 구멍(32)의 폭이 감소될지라도, 그들의 접속부에 있어서 양 도파관(31, 41)의 폭은 좁게 되지 않는다. 따라서, 접속부를 통과가능한 주파수 대역의 협대역화가 억제된다. 그 결과, 분배기(30)에 입력되는 전자파의 주파수가 변동했을 때에 발생하는 반사 손실이 감소될 수 있다.

公开(公告)号：KR101046625B1

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：KR1020107002509

申请日：2008-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 히로에아키히코 ,  오오미타다히로

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: n채널 박막 트랜지스터 및 p채널 박막 트랜지스터 중 적어도 어느 쪽을 제조하는 반도체 제조 방법으로서, 고밀도 플라즈마를 이용하여 적어도 (220)의 결정 방위 배열로 성장시키도록 미결정 실리콘막을 형성하는 제1 공정과, 수소 함유 플라즈마에 의해 미결정 실리콘막을 수소로 종단시키는 제2 공정을 갖는다. 이에 따라, 댕글링 본드가 적은 미결정 실리콘막을 형성하여, 이동도를 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR100589821B1

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR1020000042617

申请日：2000-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠카다아키히코 ,  히로에아키히코 ,  시모무라고우지

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4402 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4481

Abstract: 본 발명은 펜토에톡시탄탈륨(pentoethoxytantalum)을 원료액으로서 사용하여 반도체 웨이퍼 상에 탄탈 산화막을 형성하기 위한 MOCVD 시스템이 개시된다. 이 시스템에 있어서, 원료 탱크(30)는 유량 제어 유닛(44)이 부착된 상류본관(38a)을 거쳐서 기화 유닛(48)에 접속된다. 기화 유닛(48)은 하류본관(38b)을 거쳐서 성막 유닛(24)의 처리실(80)에 접속된다. 클린룸(100)내의 다른 공간으로부터 격리되도록, 시스템 전체는 구획벽(102)에 의해 포위된다. 원료 탱크(30), 유량 제어 유닛(44) 및 이들 사이의 상류본관(38a)의 부분은 항온 단열 박스(64)내에 수용되어, 25℃∼35℃의 온도로 유지된다.

公开(公告)号：KR1020010039751A

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：KR1020000042617

申请日：2000-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠카다아키히코 ,  히로에아키히코 ,  시모무라고우지

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4402 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4481

Abstract: PURPOSE: To provide a film growing apparatus which is high in reproducibility by controlling the quantity of supplied liquid material stably, with accuracy. CONSTITUTION: A film growing apparatus has a film growing unit 24 which applies film growth treatment to substance W to be processed, a material reservoir 30 which reserves liquid material 28 used for film growth, a material supply passage 38 which connects the film growth unit with the material reservoir and is used for letting liquid material flow, a liquid flow control unit 44 which is interposed in this material supply passage and controls the flow of the liquid material flowing to this, and a gasifying unit which vaporizes the liquid material discharged from this liquid flow control unit. In this case, this film growth device is provided with a temperature control means 62 for keeping at least the liquid flow control unit and the material reservoir at prescribed temperature. Hereby, this device performs film growth which is high in reproducibility by controlling the quantity of supplied liquid material with accuracy.

Abstract translation: 目的：通过准确地控制供给的液体材料的量来提供再现性高的成膜装置。 构成：成膜装置具有将成膜处理对待处理物W进行成膜处理的成膜单元24，保存用于膜生长的液体材料28的材料储存器30，将膜生长单元与 用于使液体材料流动的液体流动控制单元44，被插入在该材料供给通道中并控制流入其中的液体材料的流动的液体流量控制单元44以及将从其排出的液体材料蒸发的气化单元 液体流量控制单元。 在这种情况下，该膜生长装置设置有用于至少将液体流量控制单元和材料储存器保持在规定温度的温度控制装置62。 因此，该装置通过精确地控制供给的液体材料的量来进行再现性高的膜生长。