公开(公告)号：KR100456711B1

公开(公告)日：2005-01-15

申请号：KR1019980705029

申请日：1997-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카타가즈나리 ,  다니후지다모츠 ,  츠카다아키히코

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67757 ,  C23C16/54 ,  C30B25/08 ,  C30B31/10 ,  C30B31/12 ,  C30B35/005 ,  H01L21/67109 ,  Y10S414/138 ,  Y10S414/139 ,  Y10S414/14

Abstract: A vertical heat treatment apparatus for semiconductor wafers (W) includes a heat treating furnace (19) which is heated to 600 DEG C or higher. In the heat treating furnace (19), the wafers (W) are subjected to batch treatment while they are placed on a boat (16). To the lower side of the heat treating furnace (19), a preparatory vacuum chamber (102) is airtightly connected. Disposed in the preparatory vacuum chamber (102) are a horizontally transfer mechanism (201) and a vertical transfer mechanism (202) for transferring the boat (16). The two transfer mechanisms (201 and 202) are supported by support members (29a and 33a) mounted on a mechanical base (28). The preparatory vacuum chamber (102) and the support members (29a and 33a) are airtightly connected to each other by means of bellows.

Abstract translation: 用于半导体晶片（W）的立式热处理装置包括加热到600℃或更高温度的热处理炉（19）。 在热处理炉（19）中，晶片（W）在放置在舟皿（16）上时经受批量处理。 在热处理炉（19）的下侧将预备真空室（102）气密地连接。 在预备真空室（102）中设置有用于传送船（16）的水平传送机构（201）和垂直传送机构（202）。 两个传送机构（201和202）由安装在机械基座（28）上的支撑构件（29a和33a）支撑。 预备真空室（102）和支撑件（29a和33a）通过波纹管彼此气密连接。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1019990076901A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019980705029

申请日：1997-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카타가즈나리 ,  다니후지다모츠 ,  츠카다아키히코

IPC: H01L21/22

Abstract: 반도체 웨이퍼(W)를 위한 수직형 열처리 장치는, 내부 분위기가 600℃ 이상으로 가열되는 열처리로(19)를 갖는다. 열처리로(19)내에서 웨이퍼(W)는 보트(16)에 탑재된 상태에서 일괄식으로 처리된다. 열처리로(19)의 하측에는 진공 예비실(102)이 기밀하게 접속된다. 진공 예비실(102)내에는 보트(16)를 반송하기 위한 수평 반송 기구(201) 및 수직 반송 기구(202)가 배치된다. 양 반송 기구(201, 202)는 진공 예비실(102)의 열 변형으로부터 독립되도록, 기계적 베이스(28)에 장착된 지지 부재(29a, 33a)에 지지된다. 진공 예비실(102)과 지지 부재(29a, 33a)는 벨로우즈(31b, 40b)에 의해 기밀하게 접속된다.

公开(公告)号：KR100633891B1

公开(公告)日：2006-10-13

申请号：KR1020047012091

申请日：2003-02-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도리야다이스케 ,  홈마겐지 ,  츠카다아키히코 ,  시모무라고지

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05D7/0635 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  Y10T137/0419 ,  Y10T137/4259 ,  Y10T137/7759

Abstract: 본 발명은 기화된 액체 소스를 사용하는 성막 처리 장치에 있어서, 액체 소스의 유량을 제어하는 매스 플로우 컨트롤러(15) 등의 유량 제어기기의 유량 제어 정밀도의 확인을, 해당 유량 제어기기를 배관으로부터 분리하거나 배관을 분해하지 않고 실행할 수 있는 구성을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 액체 소스 공급로(12)로 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급로(32)의 일부를 바이패스하는 바이패스로(41)를 설치하고, 거기에 MFM(42) 등의 유량계를 설치한다. MFM(42)을 통해서 세정액을 매스 플로우 컨트롤러(15)로 흐르게 하고, MFM(42)에 의해서 검출된 세정액 유량과 매스 플로우 컨트롤러(15)에 설정된 목표 유량을 비교함으로써, 매스 플로우 컨트롤러(15)가 정상적으로 동작하고 있는가 아닌가를 확인한다.
매스 플로우 컨트롤러, 액체 소스, 세정액

公开(公告)号：KR1020040074140A

公开(公告)日：2004-08-21

申请号：KR1020047012091

申请日：2003-02-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도리야다이스케 ,  홈마겐지 ,  츠카다아키히코 ,  시모무라고지

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05D7/0635 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  Y10T137/0419 ,  Y10T137/4259 ,  Y10T137/7759

Abstract: 본 발명은 기화된 액체 소스를 사용하는 성막 처리 장치에 있어서, 액체 소스의 유량을 제어하는 매스 플로우 컨트롤러(15) 등의 유량 제어기기의 유량 제어 정밀도의 확인을, 해당 유량 제어기기를 배관으로부터 분리하거나 배관을 분해하지 않고 실행할 수 있는 구성을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 액체 소스 공급로(12)로 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급로(32)의 일부를 바이패스하는 바이패스로(41)를 설치하고, 거기에 MFM(42) 등의 유량계를 설치한다. MFM(42)을 통해서 세정액을 매스 플로우 컨트롤러(15)로 흐르게 하고, MFM(42)에 의해서 검출된 세정액 유량과 매스 플로우 컨트롤러(15)에 설정된 목표 유량을 비교함으로써, 매스 플로우 컨트롤러(15)가 정상적으로 동작하고 있는가 아닌가를 확인한다.

公开(公告)号：KR100589821B1

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR1020000042617

申请日：2000-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠카다아키히코 ,  히로에아키히코 ,  시모무라고우지

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4402 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4481

Abstract: 본 발명은 펜토에톡시탄탈륨(pentoethoxytantalum)을 원료액으로서 사용하여 반도체 웨이퍼 상에 탄탈 산화막을 형성하기 위한 MOCVD 시스템이 개시된다. 이 시스템에 있어서, 원료 탱크(30)는 유량 제어 유닛(44)이 부착된 상류본관(38a)을 거쳐서 기화 유닛(48)에 접속된다. 기화 유닛(48)은 하류본관(38b)을 거쳐서 성막 유닛(24)의 처리실(80)에 접속된다. 클린룸(100)내의 다른 공간으로부터 격리되도록, 시스템 전체는 구획벽(102)에 의해 포위된다. 원료 탱크(30), 유량 제어 유닛(44) 및 이들 사이의 상류본관(38a)의 부분은 항온 단열 박스(64)내에 수용되어, 25℃∼35℃의 온도로 유지된다.

公开(公告)号：KR100461292B1

公开(公告)日：2005-02-28

申请号：KR1019980705030

申请日：1997-10-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카타가즈나리 ,  다니후지다모츠 ,  츠카다아키히코

IPC: H01L21/22

Abstract: 반도체 웨이퍼(W)를 위한 수직형 열처리 장치는 열처리로(19)를 갖고, 열처리로(19)내에 있어서, 웨이퍼(W)는 보트(16)에 탑재된 상태로 일괄식으로 처리를 받는다. 열처리로(19)의 하측에는 매니홀드(33)를 거쳐 진공 예비실(102)이 기밀하게 접속된다. 매니홀드(33)는 분할 가능하게 결합된 제 1 및 제 2 부품(33a, 33b)을 갖고, 이들은 각각 열처리로(19) 및 진공 예비실(102)에 접속된다. 제 2 부품(33b)은 덮개(22)가 밀착하여 열처리로(19)와 진공 예비실(102)의 연통을 차단하기 위한 밸브 시트를 규정한다. 덮개(22)를 밸브 시트에 밀착시켜 진공 예비실(102)을 기밀하게 유지한 상태로, 열처리로(19)를 매니홀드의 제 1 부품(33a)과 동시에, 진공 예비실(102) 및 매니홀드의 제 2 부품(33b)부터 분리할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010039751A

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：KR1020000042617

申请日：2000-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠카다아키히코 ,  히로에아키히코 ,  시모무라고우지

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4402 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4481

Abstract: PURPOSE: To provide a film growing apparatus which is high in reproducibility by controlling the quantity of supplied liquid material stably, with accuracy. CONSTITUTION: A film growing apparatus has a film growing unit 24 which applies film growth treatment to substance W to be processed, a material reservoir 30 which reserves liquid material 28 used for film growth, a material supply passage 38 which connects the film growth unit with the material reservoir and is used for letting liquid material flow, a liquid flow control unit 44 which is interposed in this material supply passage and controls the flow of the liquid material flowing to this, and a gasifying unit which vaporizes the liquid material discharged from this liquid flow control unit. In this case, this film growth device is provided with a temperature control means 62 for keeping at least the liquid flow control unit and the material reservoir at prescribed temperature. Hereby, this device performs film growth which is high in reproducibility by controlling the quantity of supplied liquid material with accuracy.

Abstract translation: 目的：通过准确地控制供给的液体材料的量来提供再现性高的成膜装置。 构成：成膜装置具有将成膜处理对待处理物W进行成膜处理的成膜单元24，保存用于膜生长的液体材料28的材料储存器30，将膜生长单元与 用于使液体材料流动的液体流动控制单元44，被插入在该材料供给通道中并控制流入其中的液体材料的流动的液体流量控制单元44以及将从其排出的液体材料蒸发的气化单元 液体流量控制单元。 在这种情况下，该膜生长装置设置有用于至少将液体流量控制单元和材料储存器保持在规定温度的温度控制装置62。 因此，该装置通过精确地控制供给的液体材料的量来进行再现性高的膜生长。

公开(公告)号：KR1019990076902A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019980705030

申请日：1997-10-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카타가즈나리 ,  다니후지다모츠 ,  츠카다아키히코

IPC: H01L21/22

Abstract: 반도체 웨이퍼(W)를 위한 수직형 열처리 장치는 열처리로(19)를 갖고, 열처리로(19)내에 있어서, 웨이퍼(W)는 보트(16)에 탑재된 상태로 일괄식으로 처리를 받는다. 열처리로(19)의 하측에는 다기관(33)를 거쳐 진공 예비실(102)이 기밀하게 접속된다. 다기관(33)은 분할 가능하게 결합된 제 1 및 제 2 부품(33a, 33b)을 갖고, 이들은 각각 열처리로(19) 및 진공 예비실(102)에 접속된다. 제 2 부품(33b)은 덮개(22)가 밀착하여 열처리로(19)와 진공 예비실(102)의 연통을 차단하기 위한 밸브시트를 규정한다. 덮개(22)를 밸브시트에 밀착시켜 진공 예비실(102)을 기밀하게 유지한 상태로, 열처리로(19)를 다기관의 제 1 부품(33a)과 동시에, 진공 예비실(102) 및 다기관의 제 2 부품(33b)부터 분리할 수 있다.