公开(公告)号：KR1019960015802A

公开(公告)日：1996-05-22

申请号：KR1019940016333

申请日：1994-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 야마가겐이치 ,  고바야시도시키

IPC: H01L21/324

公开(公告)号：KR100210623B1

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019940016333

申请日：1994-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 야마가겐이치 ,  고바야시도시키

IPC: H01L21/324

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4412 ,  C30B25/14

Abstract: 피처리체가 재치된 피처리체 수용보트를 로드하는 내관의 외측에 이것과 도심 형상으로 외관을 배치하여 처리용기를 형성하고, 이 처리용기의 하부에 가스도입포트와 가스 배기포트를 가지는 통체 형상의 매니홀드를 설치하며, 이 매니홀드의 구멍부를 밀폐하는 캡부를 설치하여 열처리부를 구성한다. 그리고, 내관과 외관과 매니홀드를 내열내식성 재료로 형성함과 동시에, 이들을 일체적으로 형성한다. 또, 캡부의 표면(처리용기측)에도 내열내식성 재료로 구성되는 보호층을 형성한다. 또, 캡부와 매니홀드의 접합부에 고온내열시일수단을 형성한다. 이것에 의하여 1대의 열처리 장치에 의하여 부식성 가스 등을 처리가스로서 사용하는 상압고온 열처리와 감압열처리를 할 수 있는 열처리 장치(합체로)가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020090064339A

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：KR1020080126788

申请日：2008-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시도시키 ,  마사키스기야마

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/20

Abstract: A plasma processing apparatus is provided to satisfy a high standard required for masking by determining an exact position of a mask. A plasma processing apparatus(1) includes a processing vessel(10) and a cover(11). The cover covers a top side of the processing vessel. A stage(12) as a substrate mounting table is installed inside the processing vessel. An outer circumference edge(12') of the stage is positioned in an outer side compared with an outer circumference edge(G') of a substrate(G). A center of a bottom surface of the stage is supported by a top end of a pillar(13) which penetrates a floor surface of the processing vessel. A lifting unit(14) is installed in a bottom end of the pillar. A supporting member(30) detachably supports a mask(31) which covers an outer circumference edge part of the substrate between a standby position and a processing position. A taper pin is inserted in a guide hole formed in a mask member, and is formed on a top surface of the stage.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置以通过确定掩模的精确位置来满足掩蔽所需的高标准。 等离子体处理装置（1）包括处理容器（10）和盖（11）。 盖子覆盖处理容器的顶面。 作为基板安装台的台（12）安装在处理容器内。 与基板（G）的外周缘（G'）相比，台的外周边缘（12'）位于外侧。 舞台的底面的中心由穿过处理容器的地板表面的柱（13）的顶端支撑。 提升单元（14）安装在柱的底端。 支撑构件（30）可拆卸地支撑在备用位置和处理位置之间覆盖基板的外周边缘部分的掩模（31）。 锥形销插入到形成在掩模构件中的引导孔中，并且形成在台的顶表面上。

公开(公告)号：KR101104514B1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：KR1020090025098

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 고바야시도시키 ,  스기야마마사키 ,  가토미츠오 ,  히로에아키히코 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: (요약) 막의 이동도를 높여 고주파 전력을 서셉터에 인가할 때, 유도 자장의 발생을 상쇄한다.
(해결 수단) 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 용기(100)와, 처리 용기 내에 마련되고, 기판 G를 탑재하는 서셉터(105)와, 서셉터(105)의 동일 원주상에 마련된 세 개의 위치 P1~P3에서 서셉터에 접촉하는 세 개의 급전봉 B1~B3과, 세 개의 급전봉 B1~B3에 접속되고, 세 개의 급전봉 B1~B3을 통해서 셋 이상의 위치 P1~P3으로부터 서셉터(105)에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원(130)을 포함한다. 서셉터(105)의 동일 원주상의 세 개의 위치 P에서 서셉터(105)에 세 개의 급전봉 B1~B3을 접촉시킨다. 세 개의 급전봉 B1~B3에 고주파 전원(130)을 접속하고, 고주파 전원(130)으로부터 출력된 고주파 전력을 세 개의 급전봉 B를 통해서 세 개의 위치 P1~P3으로부터 서셉터(105)에 공급한다.

Abstract translation: （总结）当​​通过增加膜的迁移率将高频功率施加到基座时，感应磁场的产生被抵消。

公开(公告)号：KR101048192B1

公开(公告)日：2011-07-08

申请号：KR1020080126788

申请日：2008-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시도시키 ,  마사키스기야마

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/20

Abstract: 본 발명은 기판의 외주 테두리 부분에 씌워지는 마스크의 정확한 위치 결정을 행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하기 위해서, 플라즈마 처리 장치(1)의 처리 용기(10) 내에서, 비(非)플라즈마 처리시에는 스테이지(12)를 대기 위치로 하강시키고, 플라즈마 처리시에는 스테이지(12)를 처리 위치로 상승시키는 승강 기구(14)와, 대기 위치와 처리 위치 사이에서, 기판 G의 외주 테두리 부분을 덮는 마스크(31)를 이탈 가능하게 보지하는 보지 부재(30)와, 스테이지(12) 위에 있어 마스크(31)를 위치 결정하는 위치 결정 기구를 구비하되, 마스크(31)는 보지 부재(30)에 의해서 위치 결정되지 않고, 또한, 수평 방향으로 이동 가능하게 보지되고, 스테이지(12)가 대기 위치로부터 처리 위치로 상승하게 될 때에, 마스크(31)가 보지 부재(30)로부터 스테이지(12) 위로 건네어지고, 또한，스테이지(12) 위에 있어서 마스크(31)가 위치 결정 기구에 의해 위치 결정된다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置能够将配置在基板的周缘部的掩模高精度地定位在等离子体处理装置1的处理容器10内， 有被降低的阶段12到待机位置，当有升降机构14，待机位置向加工位置抬起台12到处理位置，掩模覆盖基板G的外周缘部的等离子体处理之间 用于可释放地保持掩模31的保持构件30和用于在掩模31由保持构件30保持就位的同时将掩模31定位在工作台12上的定位机构， 当工作台12从待机位置上升到处理位置时，未被确定并且在水平方向上可移动地保持并且掩模31从保持构件30越过工作台12 它是，另外，在上述台12上的掩模31由定位机构定位。

公开(公告)号：KR1020090102679A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：KR1020090025098

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 고바야시도시키 ,  스기야마마사키 ,  가토미츠오 ,  히로에아키히코 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32266

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and method for feedback-controlling plasma processing apparatus are provided to supply uniformly the high frequency power to a susceptor. CONSTITUTION: The plasma processing apparatus includes the process chamber, the susceptor(105), the feeding bar(B1,B2,B3), and the radio frequency power. The susceptor is prepared inside the process chamber. The processed article is mounted in a susceptor. The feeding bar is electrically connected to a susceptor in the power feed point. The radio frequency power is connected to the feeding bars. The radio frequency power supplies the high frequency power to a susceptor through the feeding bars.

Abstract translation: 目的：提供用于等离子体处理装置的反馈控制的等离子体处理装置和方法，以将高频功率均匀地提供给基座。 构成：等离子体处理装置包括处理室，基座（105），馈送杆（B1，B2，B3）和射频功率。 在处理室内制备感受体。 处理后的物品安装在基座上。 馈电棒电连接到馈电点中的基座。 射频功率连接到馈线。 射频电源通过馈线将高频电源提供给感受器。