公开(公告)号：KR100261533B1

公开(公告)日：2000-08-01

申请号：KR1019940037943

申请日：1994-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 아사노다카노부

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68 ,  Y10S269/903 ,  Y10S414/136 ,  Y10S414/138 ,  Y10T29/41

Abstract: 본 발명의 노치부위치 맞춤기구는, 그 둘레부에 노치부를 가지는 여러개의 피정렬체를 수용하는 카세트의 아래측 개구부를 통해서 카세트 내에 승강이 자유롭게 침입할 수 있는 기초대와, 기초대에 설치되고 또한 피정렬체의 노치부를 끼워넣을 수 있는 여러개의 끼워넣는 홈을 가지는 회전이 가능한 제 1 회전체와, 기초대에 설치되고 또한 회전이 가능한 제 2 회전체와, 제 1 회전체와 제 2 회전체의 적어도 한 쪽을 회전시키는 구동부를 갖추며, 제 1 회전체와 제 2 회전체에 의해서 피정렬체를 카세트로부터 이간시킨 상태에서 지지하여 회전시키는 회전지지수단과, 기초대에 설치되어, 노치부가 제 1 회전체의 끼워넣는 홈에 끼워넣은 피정렬체를 회전이 불가능하게 지지하는 지지체를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1019950021344A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019940037943

申请日：1994-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 아사노다카노부

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명의 노치부위치 맞춤기구는, 그 둘레부에 노치부를 가지는 여러개의 피정렬체를 수용하는 카세트의 아래측 개구부를 통해서 카세트 내에 승강이 자유롭게 침입할 수 있는 기초대와, 기초대에 설치되고 또한 피정렬체의 노치부를 끼워넣을 수 있는 여러개의 끼워넣는 홈을 가지는 회전이 가능한 제 1 회전체와, 기초대에 설치되고 또한 회전이 가능한 제 2 회전체와, 제 1 회전체와 제 2 회전체의 적어도 한 쪽을 회전시키는 구동부를 갖추며, 제 1 회전체와 제 2 회전체에 의해서 피정렬체를 카세트로부터 이간시킨 상태에서 지지하여 회전시키는 회전지지수단과, 기초대에 설치되어, 노치부가 제 1 회전체의 끼워넣는 홈에 끼워넣은 피정렬체를 회전이 불가능하게 지지하는 지지체를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR100276127B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019940005067

申请日：1994-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 이와부치가쓰히코 ,  오쿠라료이치 ,  아사노다카노부

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67757 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/139 ,  Y10S414/14

Abstract: 본 발명의 처리장치는, 피처리체에 소정의 처리를 실시하는 처리실과, 처리체를 유지한 유지체를 처리설에 대하여 반입 및 반출하는 반송수단을 구비한 반송실과, 반송실 내를 소정의 불활성 가스 분위기로 유지하는 불활성 가스 공급 및 배기수단과, 반송실에 인접하여 설치되고, 적어도 유지체를 수용가능한 용적을 가지며, 반송실 내의 분위기를 외기와 차단시킨 상태에서 유지체를 반송실에 대하여 반출 및 반입가능하게 하는 유지체 수용실과, 유지체 수용실 내를 진공분위기 또는 소정의 불활성 가스 분위기로 치환가능하게 한 내부 분위기 치환수단과, 유지체 수용실에 인접하여 설치되고, 피처리체를 유지체 수용실 내의 유지체에 이송하는 이송수단을 구비한 피처리체 이송실을 갖추고 있다.

公开(公告)号：KR1019940022935A

公开(公告)日：1994-10-22

申请号：KR1019940005067

申请日：1994-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 이와부치가쓰히코 ,  오쿠라료이치 ,  아사노다카노부

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명의 처리장치는, 피처리체에 소정의 처리를 실시하는 처리실과, 처리체를 유지한 유지체를 처리실에 대하여 반입 및 반출하는 반송수단을 구비한 반송실과, 반송실 내를 소정의 불활성 가스 분위기로 유지하는 불황성 가스 공급 및 배기수단과, 반송실에 인접하여 설치되고, 적어도 유지체를 수용가능한 용적을 가지며, 반송실 내의 분위기를 외기와 차단시킨 상태에서 유지체를 반송실에 대하여 반출 및 반입가능하게 하는 유지체 수용실과, 유지체 수용실 내를 진공분위기 또는 소정의 불활성 가스 분위기로 치환가능하게 한 내부 분위기 치환수단과, 유지체 수용실에 인접하여 설치되고, 피처리체를 유지체 수용실 내의 유지체에 이송하는 이송수단을 구비한 피처리체 이송실을 갖추고 있다.

公开(公告)号：KR1020010109180A

公开(公告)日：2001-12-08

申请号：KR1020010030138

申请日：2001-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사노다카노부 ,  이시이가쓰토시 ,  야마모토히로유키 ,  호시조지 ,  미우라가즈토시

IPC: H01L21/316

Abstract: 반도체 웨이퍼에 대하여 산화처리를 배치타입의 노(爐)에 의해 실행하는 경우에, 저온 처리를 실행하기 위하여 막두께의 균일성이 향상될 것이 요구된다. 수소가스의 혼합가스와 수증기를 반응용기에 도입하여 이른바 습식 산화를 실행하기 위한 시스템에서, 통기저항체는 외측 연소시스템에서 가스를 가열하기 위한 이중관 유로의 외측 유로에 마련되고, 수소가스와 염화수소의 혼합가스는 통기저항체를 관통하여 연소시스템의 히터에 의해 처리온도 이상으로 가열되고, 미리 미량의 수증기를 생성하여 산화처리를 실행한다. 일산화이질소 가스가 질소를 함유하는 실리콘 산화막을 생성하기 위하여 사용되는 경우에는, 일산화이질소 가스는 외측 유로를 관통하여 미리 활성화된다.
게다가, 처리가스는 처리챔버의 외측에 마련된 가열부에 의해 예열되고, 처리의 균일성을 확보하면서 처리온도를 낮춘다. N
2 O 가스와 SiH
2 Cl
2 가스는 소정의 진공도로 감압된 반응튜브(102)로 도입되고, 소정의 처리온도에서 웨이퍼의 표면에 얇은 막을 형성한다. 이 때에, N
2 O 가스도입로에 마련된 가열챔버(151)는 히터소자 (153)에 의하여 가열되고, N
2 O 가스는 가열챔버(151)를 관통하여 예열되고, 반응튜브(102)로 도입된다. 게다가, 오리피스(106)는 가열챔버(151)와 반응튜브(102)사이의 N
2 O 가스도입로에 형성된다. 그리하여, 저압처리의 경우에도, 가열챔버(151)의 압력은 오리피스(106)에서의 압력손실로 인하여 반응튜브(102)의 압력보다 높고, 그 결과 가열챔버(151)에서 처리가스를 효과적으로 예열하여 처리온도를 낮추는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020070073728A

公开(公告)日：2007-07-10

申请号：KR1020070065376

申请日：2007-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사노다카노부 ,  이시이가쓰토시 ,  야마모토히로유키 ,  호시조지 ,  미우라가즈토시

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4557 ,  C30B33/005 ,  H01L21/67109

Abstract: A heat treatment system and a method thereof are provided to obtain an uniform thickness of a layer and to lower heat temperature by supplying a preheated process gas to a reaction vessel. A heat treatment system includes a heating unit installed at a gas introduction path in order to heat a process gas before supplying the process gas to a reaction vessel, and a hole formed at the gas introduction path between the heating unit and the reaction vessel. The pressure of the heating unit is higher than the internal pressure of the reaction vessel since the pressure loss is caused in the hole. The process gas is supplied through the gas introduction path to the heating unit. The process gas is preheated at the predetermined temperature. The preheated process gas is supplied to the reaction vessel.

Abstract translation: 提供热处理系统及其方法以通过向反应容器提供预热的工艺气体来获得均匀的层厚度并降低加热温度。 热处理系统包括：加热单元，其安装在气体引入路径处，以便在将工艺气体供应到反应容器之前加热工艺气体，以及在加热单元和反应容器之间的气体引入路径处形成的孔。 由于在孔中产生压力损失，加热单元的压力高于反应容器的内部压力。 工艺气体通过气体导入路径供给到加热单元。 处理气体在预定温度下预热。 将预热的工艺气体供应到反应容器。

公开(公告)号：KR100221983B1

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019940007724

申请日：1994-04-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와이히로유키 ,  타니후지다모쓰 ,  아사노다카노부 ,  오쿠라료오이치

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67769 ,  H01L21/67772 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/139 ,  Y10S414/14

Abstract: 피처리체(w)에 처리를 행하는 처리실과, 이것에 연결되어 피처리체를 수용한 유지체를 끼우고 빼내는 로딩실과, 이 로딩실에 대하여, 카세트 내부에 수용되어 있는 피처리체를 반입 및 반출하는 반출입실을 구비하고 있다. 반출입실에 내부가 청정공기나 불활성가스에 의해 충전되어 밀폐가능하도록 되어 있는 카세트 수납용기를 설치하는 카세트 수납용기용 포트가 설치되어 있다. 그리고 이 포트의 아래쪽에, 용기 내의 카세트만을 침입시켜 도입하는 카세트 도입기구가 배치된다. 이것에 의해 외부와의 사이에서 카세트를 반입 및 반출할 때에 이것을 작업영역의 분위기에 노출되지 않도록 하여 끝내므로, 이 영역의 분위기의 청정도를 높게 유지할 필요가 없고, 클린룸의 설치비용 및 운용비를 삭감하는 것이 가능하다. 또한 포트 아래쪽에 청정기체 분출수단을 설치하여 청정기체의 횡류를 형성한다. 이것에 의해 포트 아래쪽의 청정기체가 체류되기 쉬운 부분의 분위기를 순환시키고, 또한 내부로 도입된 피처리체의 표면에 상기 횡류를 쐬여서 부착된 파티클 등을 제거하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR101230207B1

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：KR1020087021573

申请日：2007-02-07

Applicant: 도요탄소 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라이와지로 ,  요시모토오사무 ,  하야카와히로시 ,  도조데츠로 ,  오카베츠네유키 ,  아사노다카노부 ,  와다신이치 ,  나카오켄 ,  가토히토시

IPC: H01L21/00

CPC classification number: F17D1/04 ,  C01B7/19 ,  F17C2250/032 ,  F17C2270/0518 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67276

Abstract: 본 발명은 반도체 제조 플랜트에 관한 것으로, 불소가스 발생장치군과, 반도체 제조장치(3a~3e)군이 온-사이트 불소가스 발생장치(1a~1e)군에서 발생하는 불소가스를 소정량 저장할 수 있는 저장탱크(12)를 갖고 있는 가스공급시스템(2)을 통하여 접속되어 있고, 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)의 하나 이상이 정지했을 때, 소정량의 불소가스가 저장되어 있는 저장탱크(12)로부터 불소가스를 반도체 제조장치군(3a~3e)에 공급함으로써 반도체 제조장치군(3a~3e)의 운용을 유지하고, 이에 의해 불소가스 발생장치에서 발생시킨 불소가스를 반도체 제조장치에 안전 및 안정적으로 공급할 수 있고 또한 반도체 제조에서의 비용 성능도 우수한 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020080093150A

公开(公告)日：2008-10-20

申请号：KR1020087021573

申请日：2007-02-07

Applicant: 도요탄소 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라이와지로 ,  요시모토오사무 ,  하야카와히로시 ,  도조데츠로 ,  오카베츠네유키 ,  아사노다카노부 ,  와다신이치 ,  나카오켄 ,  가토히토시

IPC: H01L21/00

CPC classification number: F17D1/04 ,  C01B7/19 ,  F17C2250/032 ,  F17C2270/0518 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67276

Abstract: A fluorine gas generator is connected with semiconductor production units (3a-3e) through a gas supply system (2) having a tank (12) for storing a predetermined amount of fluorine gas generated from on-site fluorine gas generators (1a-1e). When one or more of the on-site fluorine gas generators (1a-1e) stop, fluorine gas is supplied from the storage tank (12) storing a predetermined amount of fluorine gas to the semiconductor production units (3a-3e) thus sustaining operation of the semiconductor production units (3a-3e). Consequently, fluorine gas generated from the fluorine gas generator can be supplied to the semiconductor production unit safely and stably, and a semiconductor production plant exhibiting excellent cost performance in semiconductor production can be attained.

Abstract translation: 氟气发生器通过具有储存从现场氟气发生器（1a-1e）产生的预定量的氟气的罐（12）的气体供给系统（2）与半导体制造单元（3a-3e）连接， 。 当一个或多个现场氟气发生器（1a-1e）停止时，从存储预定量氟气的储罐（12）向半导体生产单元（3a-3e）供应氟气，从而维持运行 的半导体制造单元（3a-3e）。 因此，从氟气发生器产生的氟气可以安全稳定地供给到半导体生产单元，并且可以获得在半导体生产中具有优异成本性能的半导体制造工厂。

公开(公告)号：KR100785132B1

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：KR1020070065375

申请日：2007-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사노다카노부 ,  이시이가쓰토시 ,  야마모토히로유키 ,  호시조지 ,  미우라가즈토시

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/316 ,  H01L21/00 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4557 ,  C30B33/005 ,  H01L21/67109

Abstract: 반도체 웨이퍼에 대하여 산화처리를 배치타입의 노(爐)에 의해 실행하는 경우에, 저온 처리를 실행하기 위하여 막두께의 균일성이 향상될 것이 요구된다. 수소가스의 혼합가스와 수증기를 반응용기에 도입하여 이른바 습식 산화를 실행하기 위한 시스템에서, 통기저항체는 외측 연소시스템에서 가스를 가열하기 위한 이중관 유로의 외측 유로에 마련되고, 수소가스와 염화수소의 혼합가스는 통기저항체를 관통하여 연소시스템의 히터에 의해 처리온도 이상으로 가열되고, 미리 미량의 수증기를 생성하여 산화처리를 실행한다. 일산화이질소 가스가 질소를 함유하는 실리콘 산화막을 생성하기 위하여 사용되는 경우에는, 일산화이질소 가스는 외측 유로를 관통하여 미리 활성화된다.
게다가, 처리가스는 처리챔버의 외측에 마련된 가열부에 의해 예열되고, 처리의 균일성을 확보하면서 처리온도를 낮춘다. N
2 O 가스와 SiH
2 Cl
2
가스는 소정의 진공도로 감압된 반응튜브(102)로 도입되고, 소정의 처리온도에서 웨이퍼의 표면에 얇은 막을 형성한다. 이 때에, N
2 O 가스도입로에 마련된 가열챔버(151)는 히터소자 (153)에 의하여 가열되고, N
2 O 가스는 가열챔버(151)를 관통하여 예열되고, 반응튜브(102)로 도입된다. 게다가, 오리피스(106)는 가열챔버(151)와 반응튜브(102)사이의 N
2 O 가스도입로에 형성된다. 그리하여, 저압처리의 경우에도, 가열챔버(151)의 압력은 오리피스(106)에서의 압력손실로 인하여 반응튜브(102)의 압력보다 높 고, 그 결과 가열챔버(151)에서 처리가스를 효과적으로 예열하여 처리온도를 낮추는 것이 가능하다.

Abstract translation: 当通过间歇式炉对半导体晶片进行氧化处理时，为了进行低温处理，需要提高膜厚的均匀性。 在用于将氢气和水蒸气的混合气体引入反应容器以进行所谓的湿氧化的系统中，排气阻力器设置在用于加热外燃系统中的气体的双管流路的外流路中， 气体通过通风阻力器并被燃烧系统的加热器加热至处理温度或更高温度，并且预先产生少量水蒸气以进行氧化处理。 当使用一氧化二氮气体生产含氮的氧化硅膜时，一氧化二氮气体预先通过外部通道被活化。