公开(公告)号：KR1020010109180A

公开(公告)日：2001-12-08

申请号：KR1020010030138

申请日：2001-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사노다카노부 ,  이시이가쓰토시 ,  야마모토히로유키 ,  호시조지 ,  미우라가즈토시

IPC: H01L21/316

Abstract: 반도체 웨이퍼에 대하여 산화처리를 배치타입의 노(爐)에 의해 실행하는 경우에, 저온 처리를 실행하기 위하여 막두께의 균일성이 향상될 것이 요구된다. 수소가스의 혼합가스와 수증기를 반응용기에 도입하여 이른바 습식 산화를 실행하기 위한 시스템에서, 통기저항체는 외측 연소시스템에서 가스를 가열하기 위한 이중관 유로의 외측 유로에 마련되고, 수소가스와 염화수소의 혼합가스는 통기저항체를 관통하여 연소시스템의 히터에 의해 처리온도 이상으로 가열되고, 미리 미량의 수증기를 생성하여 산화처리를 실행한다. 일산화이질소 가스가 질소를 함유하는 실리콘 산화막을 생성하기 위하여 사용되는 경우에는, 일산화이질소 가스는 외측 유로를 관통하여 미리 활성화된다.
게다가, 처리가스는 처리챔버의 외측에 마련된 가열부에 의해 예열되고, 처리의 균일성을 확보하면서 처리온도를 낮춘다. N
2 O 가스와 SiH
2 Cl
2 가스는 소정의 진공도로 감압된 반응튜브(102)로 도입되고, 소정의 처리온도에서 웨이퍼의 표면에 얇은 막을 형성한다. 이 때에, N
2 O 가스도입로에 마련된 가열챔버(151)는 히터소자 (153)에 의하여 가열되고, N
2 O 가스는 가열챔버(151)를 관통하여 예열되고, 반응튜브(102)로 도입된다. 게다가, 오리피스(106)는 가열챔버(151)와 반응튜브(102)사이의 N
2 O 가스도입로에 형성된다. 그리하여, 저압처리의 경우에도, 가열챔버(151)의 압력은 오리피스(106)에서의 압력손실로 인하여 반응튜브(102)의 압력보다 높고, 그 결과 가열챔버(151)에서 처리가스를 효과적으로 예열하여 처리온도를 낮추는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR100687948B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020060104509

申请日：2006-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.

Abstract translation: 气体加热步骤，将包含一氧化二氮的处理气体加热至不低于可形成氧氮化物膜的反应温度的温度; 并且将经加热的处理气体供应到反应室中以在待处理的物体上形成氧氮化物膜。 在反应室加热步骤中，反应室的加热温度设定为低于处理气体的反应温度。

公开(公告)号：KR100785132B1

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：KR1020070065375

申请日：2007-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사노다카노부 ,  이시이가쓰토시 ,  야마모토히로유키 ,  호시조지 ,  미우라가즈토시

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/316 ,  H01L21/00 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4557 ,  C30B33/005 ,  H01L21/67109

Abstract: 반도체 웨이퍼에 대하여 산화처리를 배치타입의 노(爐)에 의해 실행하는 경우에, 저온 처리를 실행하기 위하여 막두께의 균일성이 향상될 것이 요구된다. 수소가스의 혼합가스와 수증기를 반응용기에 도입하여 이른바 습식 산화를 실행하기 위한 시스템에서, 통기저항체는 외측 연소시스템에서 가스를 가열하기 위한 이중관 유로의 외측 유로에 마련되고, 수소가스와 염화수소의 혼합가스는 통기저항체를 관통하여 연소시스템의 히터에 의해 처리온도 이상으로 가열되고, 미리 미량의 수증기를 생성하여 산화처리를 실행한다. 일산화이질소 가스가 질소를 함유하는 실리콘 산화막을 생성하기 위하여 사용되는 경우에는, 일산화이질소 가스는 외측 유로를 관통하여 미리 활성화된다.
게다가, 처리가스는 처리챔버의 외측에 마련된 가열부에 의해 예열되고, 처리의 균일성을 확보하면서 처리온도를 낮춘다. N
2 O 가스와 SiH
2 Cl
2
가스는 소정의 진공도로 감압된 반응튜브(102)로 도입되고, 소정의 처리온도에서 웨이퍼의 표면에 얇은 막을 형성한다. 이 때에, N
2 O 가스도입로에 마련된 가열챔버(151)는 히터소자 (153)에 의하여 가열되고, N
2 O 가스는 가열챔버(151)를 관통하여 예열되고, 반응튜브(102)로 도입된다. 게다가, 오리피스(106)는 가열챔버(151)와 반응튜브(102)사이의 N
2 O 가스도입로에 형성된다. 그리하여, 저압처리의 경우에도, 가열챔버(151)의 압력은 오리피스(106)에서의 압력손실로 인하여 반응튜브(102)의 압력보다 높 고, 그 결과 가열챔버(151)에서 처리가스를 효과적으로 예열하여 처리온도를 낮추는 것이 가능하다.

Abstract translation: 当通过间歇式炉对半导体晶片进行氧化处理时，为了进行低温处理，需要提高膜厚的均匀性。 在用于将氢气和水蒸气的混合气体引入反应容器以进行所谓的湿氧化的系统中，排气阻力器设置在用于加热外燃系统中的气体的双管流路的外流路中， 气体通过通风阻力器并被燃烧系统的加热器加热至处理温度或更高温度，并且预先产生少量水蒸气以进行氧化处理。 当使用一氧化二氮气体生产含氮的氧化硅膜时，一氧化二氮气体预先通过外部通道被活化。

公开(公告)号：KR100720777B1

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020060104499

申请日：2006-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.

公开(公告)号：KR1019940024909A

公开(公告)日：1994-11-19

申请号：KR1019940006976

申请日：1994-04-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 마쓰오다케노부 ,  와카바야시쓰요시 ,  모리야슈지 ,  미우라가즈토시 ,  모리다카히로

IPC: H01L21/30

公开(公告)号：KR100785133B1

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：KR1020070065376

申请日：2007-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사노다카노부 ,  이시이가쓰토시 ,  야마모토히로유키 ,  호시조지 ,  미우라가즈토시

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4557 ,  C30B33/005 ,  H01L21/67109

Abstract: 반도체 웨이퍼에 대하여 산화처리를 배치타입의 노(爐)에 의해 실행하는 경우에, 저온 처리를 실행하기 위하여 막두께의 균일성이 향상될 것이 요구된다. 수소가스의 혼합가스와 수증기를 반응용기에 도입하여 이른바 습식 산화를 실행하기 위한 시스템에서, 통기저항체는 외측 연소시스템에서 가스를 가열하기 위한 이중관 유로의 외측 유로에 마련되고, 수소가스와 염화수소의 혼합가스는 통기저항체를 관통하여 연소시스템의 히터에 의해 처리온도 이상으로 가열되고, 미리 미량의 수증기를 생성하여 산화처리를 실행한다. 일산화이질소 가스가 질소를 함유하는 실리콘 산화막을 생성하기 위하여 사용되는 경우에는, 일산화이질소 가스는 외측 유로를 관통하여 미리 활성화된다.
게다가, 처리가스는 처리챔버의 외측에 마련된 가열부에 의해 예열되고, 처리의 균일성을 확보하면서 처리온도를 낮춘다. N
2 O 가스와 SiH
2 Cl
2
가스는 소정의 진공도로 감압된 반응튜브(102)로 도입되고, 소정의 처리온도에서 웨이퍼의 표면에 얇은 막을 형성한다. 이 때에, N
2 O 가스도입로에 마련된 가열챔버(151)는 히터소자 (153)에 의하여 가열되고, N
2 O 가스는 가열챔버(151)를 관통하여 예열되고, 반응튜브(102)로 도입된다. 게다가, 오리피스(106)는 가열챔버(151)와 반응튜브(102)사이의 N
2 O 가스도입로에 형성된다. 그리하여, 저압처리의 경우에도, 가열챔버(151)의 압력은 오리피스(106)에서의 압력손실로 인하여 반응튜브(102)의 압력보다 높 고, 그 결과 가열챔버(151)에서 처리가스를 효과적으로 예열하여 처리온도를 낮추는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR100783841B1

公开(公告)日：2007-12-10

申请号：KR1020010030138

申请日：2001-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사노다카노부 ,  이시이가쓰토시 ,  야마모토히로유키 ,  호시조지 ,  미우라가즈토시

IPC: H01L21/316

Abstract: 반도체 웨이퍼에 대하여 산화처리를 배치타입의 노(爐)에 의해 실행하는 경우에, 저온 처리를 실행하기 위하여 막두께의 균일성이 향상될 것이 요구된다. 수소가스의 혼합가스와 수증기를 반응용기에 도입하여 이른바 습식 산화를 실행하기 위한 시스템에서, 통기저항체는 외측 연소시스템에서 가스를 가열하기 위한 이중관 유로의 외측 유로에 마련되고, 수소가스와 염화수소의 혼합가스는 통기저항체를 관통하여 연소시스템의 히터에 의해 처리온도 이상으로 가열되고, 미리 미량의 수증기를 생성하여 산화처리를 실행한다. 일산화이질소 가스가 질소를 함유하는 실리콘 산화막을 생성하기 위하여 사용되는 경우에는, 일산화이질소 가스는 외측 유로를 관통하여 미리 활성화된다.
게다가, 처리가스는 처리챔버의 외측에 마련된 가열부에 의해 예열되고, 처리의 균일성을 확보하면서 처리온도를 낮춘다. N
2 O 가스와 SiH
2 Cl
2 가스는 소정의 진공도로 감압된 반응튜브(102)로 도입되고, 소정의 처리온도에서 웨이퍼의 표면에 얇은 막을 형성한다. 이 때에, N
2 O 가스도입로에 마련된 가열챔버(151)는 히터소자 (153)에 의하여 가열되고, N
2 O 가스는 가열챔버(151)를 관통하여 예열되고, 반응튜브(102)로 도입된다. 게다가, 오리피스(106)는 가열챔버(151)와 반응튜브(102)사이의 N
2 O 가스도입로에 형성된다. 그리하여, 저압처리의 경우에도, 가열챔버(151)의 압력은 오리피스(106)에서의 압력손실로 인하여 반응튜브(102)의 압력보다 높고, 그 결과 가열챔버(151)에서 처리가스를 효과적으로 예열하여 처리온도를 낮추는 것이 가능하다.

Abstract translation: 当通过间歇式炉对半导体晶片进行氧化处理时，为了进行低温处理，需要提高膜厚的均匀性。 在用于将氢气和水蒸气的混合气体引入反应容器以进行所谓的湿氧化的系统中，排气阻力器设置在用于加热外燃系统中的气体的双管流路的外流路中， 气体通过通风阻力器并被燃烧系统的加热器加热至处理温度或更高温度，并且预先产生少量水蒸气以进行氧化处理。 当使用一氧化二氮气体生产含氮的氧化硅膜时，一氧化二氮气体预先通过外部通道被活化。

公开(公告)号：KR1020070074539A

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：KR1020070065375

申请日：2007-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사노다카노부 ,  이시이가쓰토시 ,  야마모토히로유키 ,  호시조지 ,  미우라가즈토시

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/316 ,  H01L21/00 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4557 ,  C30B33/005 ,  H01L21/67109

Abstract: A heat treatment system is provided to reduce a manufacturing cost and enhance spatial efficiency by heating a process gas by using a wet oxidation combustion system. A heat treatment system(1) includes a heating unit which is installed at a gas introduction path in order to heat a process gas at predetermined temperature before supplying the process gas to a reaction vessel. The gas introduction path(5) is disposed between the reaction vessel and the heating unit and includes an internal tube and an external tube. The process gas is supplied through the gas introduction path to the heating unit. The process gas is preheated at the predetermined temperature and the preheated process gas is supplied through the gas introduction path to the reaction vessel.

Abstract translation: 提供了一种热处理系统，以通过使用湿式氧化燃烧系统加热工艺气体来降低制造成本并提高空间效率。 热处理系统（1）包括加热单元，该加热单元安装在气体引入路径处，以便在将处理气体供应到反应容器之前将预定温度的处理气体加热。 气体引入路径（5）设置在反应容器和加热单元之间，并且包括内管和外管。 工艺气体通过气体导入路径供给到加热单元。 处理气体在预定温度下被预热，并且预热的工艺气体通过气体引入通道供应到反应容器。

公开(公告)号：KR1020010107782A

公开(公告)日：2001-12-07

申请号：KR1020010029396

申请日：2001-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.

公开(公告)号：KR100809759B1

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：KR1020010029396

申请日：2001-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.