公开(公告)号：KR1019950001953A

公开(公告)日：1995-01-04

申请号：KR1019940001925

申请日：1994-02-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 후지다요시유키 ,  하라오카쓰도무 ,  고바야시마코토 ,  가네다나오야 ,  니이노레이지 ,  오부도모유키 ,  이케가와히로아키 ,  나카오켄 ,  루마다히로시

IPC: H01L21/324

Abstract: 반도체 웨이퍼(w)에 대해서 동일 처리용기 내에 있어서, 복수의 열처리를 연속적으로 한다. 처음에 자연산화막이 형성되기 어려운 온도로된 처리용기에 웨이퍼를 도입한 후, 제1의 온도제어공정으로 고속 승온하고, 그후, 제1의 처리온도로 제1의 열처공정, 예를 들면 환원처리를 한다. 다음에, 제2의 온도제어공정으로, 웨이퍼를 고속으로 승온 또는 강온하면서 가스치환을 한다. 그리고, 이어서 제2의 처리온도를 제2의 열처리 공정, 예를들면 폴리실리콘 막형성처리를 한다.

公开(公告)号：KR1019950001882A

公开(公告)日：1995-01-04

申请号：KR1019940001926

申请日：1994-02-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 니이노레이지 ,  오부도모유키 ,  이케가와히로아키 ,  나타오켄 ,  후지다요시유키 ,  하라오카쓰도무 ,  고바야시마코토 ,  가네다나오야

IPC: H01L21/26

Abstract: 반도체 웨이퍼의 표면에 대한 막형성을 위하여 웨이퍼 보우트의 링형상 얹어놓는대의 여러개의 웨이퍼를 각각 얹어놓는 한편, 반응관내 온도를 가령 400℃로 하며, 또한 질소가스 분위기로 하여 두고, 웨이퍼 보우트를 반응관 내로 반입한 후, 반응관 내를 가령 100℃/분의 속도로 620℃까지 승온하고, 실리콘 기판의 표면에 SiH
4 가스를 공급하여 폴리실리콘막을 형성한다. 막형성 후, 가열부 표면을 따라서 통풍하여 반응관 내를 강제 냉각시킨다. 또, 실리콘 기판의 표면의 금속막을 형성한 웨이퍼를 사용하여 금속 실리콘막을 형성하는 경우는 가령 반응관 내를 100℃로 설정하고, 웨이퍼를 로우딩한다. 이에 의하여 자연 산화막의 성장이 억제되고, 반도체 디바이스의 특성이 향상된다. 같은 원리는 산화막 형성 및 불순물 확산을 위해서도 사용된다.