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公开(公告)号：KR1019950001953A
公开(公告)日：1995-01-04
申请号：KR1019940001925
申请日：1994-02-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
IPC: H01L21/324
Abstract: 반도체 웨이퍼(w)에 대해서 동일 처리용기 내에 있어서, 복수의 열처리를 연속적으로 한다. 처음에 자연산화막이 형성되기 어려운 온도로된 처리용기에 웨이퍼를 도입한 후, 제1의 온도제어공정으로 고속 승온하고, 그후, 제1의 처리온도로 제1의 열처공정, 예를 들면 환원처리를 한다. 다음에, 제2의 온도제어공정으로, 웨이퍼를 고속으로 승온 또는 강온하면서 가스치환을 한다. 그리고, 이어서 제2의 처리온도를 제2의 열처리 공정, 예를들면 폴리실리콘 막형성처리를 한다.
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公开(公告)号：KR1019950001882A
公开(公告)日：1995-01-04
申请号：KR1019940001926
申请日：1994-02-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
IPC: H01L21/26
Abstract: 반도체 웨이퍼의 표면에 대한 막형성을 위하여 웨이퍼 보우트의 링형상 얹어놓는대의 여러개의 웨이퍼를 각각 얹어놓는 한편, 반응관내 온도를 가령 400℃로 하며, 또한 질소가스 분위기로 하여 두고, 웨이퍼 보우트를 반응관 내로 반입한 후, 반응관 내를 가령 100℃/분의 속도로 620℃까지 승온하고, 실리콘 기판의 표면에 SiH
4 가스를 공급하여 폴리실리콘막을 형성한다. 막형성 후, 가열부 표면을 따라서 통풍하여 반응관 내를 강제 냉각시킨다. 또, 실리콘 기판의 표면의 금속막을 형성한 웨이퍼를 사용하여 금속 실리콘막을 형성하는 경우는 가령 반응관 내를 100℃로 설정하고, 웨이퍼를 로우딩한다. 이에 의하여 자연 산화막의 성장이 억제되고, 반도체 디바이스의 특성이 향상된다. 같은 원리는 산화막 형성 및 불순물 확산을 위해서도 사용된다.-
公开(公告)号：KR101652150B1
公开(公告)日：2016-08-29
申请号：KR1020130117278
申请日：2013-10-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고바야시마코토
CPC classification number: F27D11/02 , F27B17/0025 , H01L21/67109 , H01L21/67115
Abstract: 본발명은히터엘리먼트끼리의접촉을방지할수 있는히터장치를제공하는것이다. 원통형의단열층과, 상기단열층의내주측에나선형으로복수회권취하여배치된히터엘리먼트와, 상기단열층의내주측에, 상기단열층의축 방향을따라연장되며, 상기히터엘리먼트를정해진피치로유지하는복수의유지부재와, 상기단열층상에마련된돌기로서, 상기단열층의둘레방향으로인접하는상기유지부재사이에있어서, 권취되어있는상기히터엘리먼트에대응하는위치에마련된돌기를포함하는히터장치이다.
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公开(公告)号：KR1020140116000A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：KR1020140032060
申请日：2014-03-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고바야시마코토
CPC classification number: H05B3/16 , H01L21/67109 , C23C16/46 , F26B23/06
Abstract: The present invention is to provide a heater capable of suppressing damages on a support member. The heater device includes: a cylindrical insulating member; a heater element which is spirally wound plural times and disposed on an inner circumference side of the insulating member; and a supporting member having a first member disposed on the inner circumference side of the heater element and extending in an axial direction of the insulating member, and a plurality of second members which extend from the first member to the outside of the insulating member in a radial direction and pass through gaps between turns of the heater element which are adjacent to each other in the axial direction of the insulating member, such that the end portions of the second members are formed to be embedded in the insulating member. The first members have expansion allowance portions which allow thermal expansion in the axial direction.
Abstract translation: 本发明提供一种能够抑制支撑部件的损伤的加热器。 加热器装置包括：圆柱形绝缘构件; 加热元件，螺旋状地卷绕多次，配置在绝缘部件的内周侧; 以及支撑构件，其具有设置在所述加热器元件的内周侧并沿所述绝缘构件的轴向延伸的第一构件，以及多个第二构件，所述第二构件从所述第一构件延伸到所述绝缘构件的外部， 径向并通过加热器元件的在绝缘构件的轴向上彼此相邻的匝之间的间隙，使得第二构件的端部形成为嵌入在绝缘构件中。 第一构件具有允许轴向热膨胀的膨胀余量部分。
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公开(公告)号：KR1020110140102A
公开(公告)日：2011-12-30
申请号：KR1020110061214
申请日：2011-06-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01J37/04 , H01L21/3213
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/32091 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01L21/3065 , H01L21/32136
Abstract: PURPOSE: A substrate processing method and an apparatus thereof are provided to uniformly distribute plasma with uniform density in a processing space, thereby performing a uniform plasma processing process on a substrate. CONSTITUTION: A susceptor(12) is arranged within a chamber. A wafer is placed on the susceptor. An upper electrode is arranged in the susceptor by facing the susceptor. A second high frequency power source is connected to the susceptor. The upper electrode is electrically connected to a ground(36). The upper electrode is able to move with respect to the susceptor. A dielectric material(26) is buried in the upper electrode. The voltage difference between the ground and plasma generated in a processing space is separated into the voltage difference between the plasma and dielectric material and the voltage difference between the dielectric material and ground.
Abstract translation: 目的：提供一种基板处理方法及其装置，用于在处理空间中均匀分布均匀分布的等离子体，从而对基板进行均匀的等离子体处理。 构成：一个基座（12）设置在一个室内。 将晶片放置在基座上。 上部电极通过面对基座设置在基座中。 第二高频电源连接到基座。 上电极电连接到地（36）。 上电极能够相对于基座移动。 电介质材料（26）被埋在上电极中。 在处理空间中产生的接地和等离子体之间的电压差被分离成等离子体和电介质材料之间的电压差以及介电材料和地面之间的电压差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140052843A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020130124593
申请日：2013-10-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고바야시마코토
CPC classification number: H05B3/46 , H01L21/67103
Abstract: The purpose of the present invention is to provide a heater device capable of preventing the movement of a heater element. The heater device comprises a heat insulating material, a cylindrical support disposed in the vicinity of the heat insulating material, a heater element formed by being spirally wound around the outer circumference of the support a plurality of times, and a movement preventing member preventing the movement of the heater element in the axial direction of the support.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够防止加热元件移动的加热器装置。 加热器装置包括绝热材料，设置在绝热材料附近的圆柱形支撑件，通过多次螺旋地缠绕在支撑件的外圆周上而形成的加热器元件，以及防止运动的运动防止构件 的加热元件。
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公开(公告)号：KR1020140047531A
公开(公告)日：2014-04-22
申请号：KR1020130117278
申请日：2013-10-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고바야시마코토
CPC classification number: F27D11/02 , F27B17/0025 , H01L21/67109 , H01L21/67115
Abstract: The present invention provides a heater device capable of preventing the contact of heat elements. A heat device includes an adiabatic layer of a cylindrical type, a heater element which is spirally wound several times around the inside of the adiabatic layer, maintenance members which are extended along the axis direction of the adiabatic layer and maintain the heater element with a determined pitch in the inside of the adiabatic layer, and a protrusion which is prepared on the adiabatic layer and is formed in a position corresponding to the wound heat element between the adjacent maintenance members in the circumference direction of the adiabatic layer. [Reference numerals] (AA) Gas; (BB) Exhaust
Abstract translation: 本发明提供一种能够防止热元件接触的加热器装置。 加热装置包括圆柱形绝热层，围绕绝热层内部螺旋缠绕数次的加热器元件，沿着绝热层的轴线方向延伸的维护构件，并将加热器元件以确定的 绝热层内部的间距，以及在绝热层上准备的与绝热层的圆周方向上相邻的维修部件之间的绕线加热元件相对应的位置的突起。 （附图标记）（AA）气体; （BB）排气
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公开(公告)号：KR101757507B1
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：KR1020130124593
申请日：2013-10-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고바야시마코토
CPC classification number: H05B3/46
Abstract: 본발명은히터엘리먼트의이동을방지할수 있는히터장치를제공하는것을목적으로한다. 단열재와, 상기단열재근방에배치된원통형의지지체와, 상기지지체의외주측에나선형으로복수회권취되어형성된히터엘리먼트와, 상기히터엘리먼트의, 상기지지체의축 방향으로의이동을방지하는이동방지부재를갖는히터장치.
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公开(公告)号：KR101368206B1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：KR1020110016381
申请日：2011-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고바야시마코토
IPC: H01L21/324 , H01L21/22 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67253
Abstract: (과제) 로(furnace) 본체와 처리 용기와의 사이의 공간 내의 압력을 검지하는 압력 검지 센서를 간단한 구조로 설치한다.
(해결 수단) 종형 열처리 장치(1)는, 히터 엘리먼트(18)를 갖는 로 본체(5)와, 로 본체(5) 내에 배치되고, 피(被)처리체(w)를 수용하여 열처리하기 위한 처리 용기(3)를 구비하고 있다. 로 본체(5)에 공기 공급 라인(52)과 공기 배기 라인(62)이 접속되고, 공기 공급 라인(52)에 공기 공급 블로워(53) 및 공기 공급 라인측 밸브 기구(54A)가 배치되고, 공기 배기 라인(62)에 공기 배기 블로워(63) 및 공기 배기 라인측 밸브 기구(64A)가 배치되어 있다. 로 본체(5)를 관통하여 온도 센서 신호 라인(83)이 수납된 보호관(50a)이 설치되고, 보호관(50a)에 압력 검지 구멍(85)이 형성되어 있다. 이 압력 검지 구멍(85)에 압력 검지 센서(80)가 접속되어 있다.-
公开(公告)号：KR1020110136717A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：KR1020110056274
申请日：2011-06-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3063 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32577
Abstract: PURPOSE: A method for processing a substrate and a substrate processing apparatus is provided to improve controllability of the density distribution of plasma by preventing the consumption of an upper electrode. CONSTITUTION: The susceptor(12) of a cylindrical shape is arranged inside a chamber(11) to put on a wafer(W). A lateral exhaust duct(13) is formed with the inner sidewall of the chamber and the side of the susceptor. An exhaust plate(14) is arranged in the halfway of the lateral exhaust duct. The exhaust plate accepts and reflects plasma which is generated in a process chamber(15). An exhaust pipe(17), which discharges a gas in the chamber, is connected to a lower part(16) in the chamber. A TMP(Turbo Molecular Pump) and a DP(Dry Pump) are connected in the exhaust pipe.
Abstract translation: 目的：提供一种处理基板和基板处理装置的方法，以通过防止上部电极的消耗来提高等离子体的密度分布的可控性。 构成：圆柱形的基座（12）布置在腔室（11）内以放在晶片（W）上。 横向排气管道（13）形成有室的内侧壁和基座的侧面。 排气板（14）布置在侧排气管道的中途。 排气板接受和反射在处理室（15）中产生的等离子体。 在室中排出气体的排气管（17）连接到室中的下部（16）。 在排气管中连接有TMP（涡轮分子泵）和DP（干式泵）。
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