Abstract:
본 발명은 실감 효과 정보를 포함하는 실감 효과 미디어 데이터 파일의 구성/재생 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 의한 실감 효과 미디어 데이터 파일의 구성 방법은 미디어 데이터의 속성을 나타내는 제1구성정보를 구성정보 컨테이너 필드에 삽입하는 단계; 실감 효과 데이터의 속성을 나타내는 제2구성정보를 상기 구성정보 컨테이너 필드에 삽입하는 단계; 상기 미디어 데이터의 샘플을 미디어 데이터 필드에 삽입하는 단계-상기 샘플은 하나의 타임스탬프(timestamp)와 연관된 데이터를 의미함-; 및 상기 실감 효과 데이터의 샘플을 상기 미디어 데이터 필드에 삽입하는 단계를 포함 수 있다.
Abstract:
반도체 공정에서 공정 챔버 내에서 발생하는 아크를 검출하는 방법 및 시스템이 개시된다. 상기 아크 검출 방법은 공정 챔버로부터 출력되는 공정 로우 데이터를 정규화하여 정규화 데이터를 획득하는 단계 및 상기 획득된 정규화 데이터를 처리하여 상기 공정 챔버 내에 아크가 발생되었는 지의 여부를 검출하는 단계를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: An arc detection method and system in the semiconductor process are provided to not only detect an arc in the process by analyzing processing low data outputted from a processing chamber but also detect an arc within the processing chamber when radio frequency (RF) power is applied. CONSTITUTION: Normalized data is obtained by normalizing process low data which are outputted from a processing chamber (200). Parameter data related to pre-set parameters among processing low data which are outputted from the processing chamber are selected. The parameter data are normalized by applying the selected parameter data and standard low data to a fuzzy model. Whether an arc is generated within the processing chamber or not is detected by processing the obtained normalized data. The processing chamber comprises a collecting part (202) and an arc detector (204). [Reference numerals] (202) Collecting part; (204) Arc detector
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본 발명은 플라즈마 공정 진단 시스템 및 이에 있어서 종료점 검출 방법 및 장치에 관한 것이다. 상기 종료점 검출 방법은 제 1 상태에 해당하는 제 1 분절값 및 제 2 상태에 해당하는 제 2 분절값을 설정하는 단계, 공정 OES 데이터를 상기 제 1 분절값 및 상기 제 2 분절값을 기준으로 하여 상태 함수 확률 분포로 변환하는 단계 및 상기 상태 함수 확률 분포에서 최대 우도 상태 시퀀스를 이용하여 종료점을 검출하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 상태 함수 확률 분포는 상기 공정 OES 데이터의 값들이 상기 제 1 상태 또는 상기 제 2 상태에 속할지를 확률로서 표시한 분포이다.
Abstract:
PURPOSE: A plasma process diagnosing system, a method for detecting an end point in the same, and a device thereof are provided to detect an end point using a light division analyzing method, a concealing Markov model, and a Viterbi algorithm, thereby accurately detecting whether a plasma process is abnormal and accurately detecting a processing state. CONSTITUTION: A chamber(100) receives a holder(102). A layer made of SiO2 is formed on a wafer(104) arranged on the holder. A positive photo resist or a negative photo resist is formed on the layer. A photo resist layer has a fixed pattern. The photo resist layer is formed on the layer. A sensing unit(110) senses light which is generated during a reaction process.