公开(公告)号：KR101324346B1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：KR1020120004212

申请日：2012-01-13

Applicant: 명지대학교 산학협력단

Inventor： 한승수 ,  김민우 ,  김승균 ,  전성익

IPC: H01L21/66

Abstract: 반도체 공정에서 공정 챔버 내에서 발생하는 아크를 검출하는 방법 및 시스템이 개시된다. 상기 아크 검출 방법은 공정 챔버로부터 출력되는 공정 로우 데이터를 정규화하여 정규화 데이터를 획득하는 단계 및 상기 획득된 정규화 데이터를 처리하여 상기 공정 챔버 내에 아크가 발생되었는 지의 여부를 검출하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020130083560A

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：KR1020120004212

申请日：2012-01-13

Applicant: 명지대학교 산학협력단

Inventor： 한승수 ,  김민우 ,  김승균 ,  전성익

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: An arc detection method and system in the semiconductor process are provided to not only detect an arc in the process by analyzing processing low data outputted from a processing chamber but also detect an arc within the processing chamber when radio frequency (RF) power is applied. CONSTITUTION: Normalized data is obtained by normalizing process low data which are outputted from a processing chamber (200). Parameter data related to pre-set parameters among processing low data which are outputted from the processing chamber are selected. The parameter data are normalized by applying the selected parameter data and standard low data to a fuzzy model. Whether an arc is generated within the processing chamber or not is detected by processing the obtained normalized data. The processing chamber comprises a collecting part (202) and an arc detector (204). [Reference numerals] (202) Collecting part; (204) Arc detector

Abstract translation: 目的：提供半导体工艺中的电弧检测方法和系统，不仅通过分析从处理室输出的低数据处理来检测处理中的电弧，而且当射频（RF）功率为 应用。 构成：通过归一化从处理室（200）输出的处理低数据来获得归一化数据。 选择与从处理室输出的处理低数据之间的预设参数相关的参数数据。 通过将所选参数数据和标准低数据应用于模糊模型来对参数数据进行归一化。 通过处理所获得的归一化数据来检测在处理室内是否产生电弧。 处理室包括收集部分（202）和电弧检测器（204）。 （附图标记）（202）收集部分; （204）电弧检测器

公开(公告)号：KR101117928B1

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：KR1020100053331

申请日：2010-06-07

Applicant: 명지대학교 산학협력단

Inventor： 한승수 ,  홍상진 ,  전성익 ,  김승균 ,  김민우

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 플라즈마 공정 진단 시스템 및 이에 있어서 종료점 검출 방법 및 장치에 관한 것이다. 상기 종료점 검출 방법은 제 1 상태에 해당하는 제 1 분절값 및 제 2 상태에 해당하는 제 2 분절값을 설정하는 단계, 공정 OES 데이터를 상기 제 1 분절값 및 상기 제 2 분절값을 기준으로 하여 상태 함수 확률 분포로 변환하는 단계 및 상기 상태 함수 확률 분포에서 최대 우도 상태 시퀀스를 이용하여 종료점을 검출하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 상태 함수 확률 분포는 상기 공정 OES 데이터의 값들이 상기 제 1 상태 또는 상기 제 2 상태에 속할지를 확률로서 표시한 분포이다.

公开(公告)号：KR1020110133758A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：KR1020100053331

申请日：2010-06-07

Applicant: 명지대학교 산학협력단

Inventor： 한승수 ,  홍상진 ,  전성익 ,  김승균 ,  김민우

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32963 ,  G01J3/443

Abstract: PURPOSE: A plasma process diagnosing system, a method for detecting an end point in the same, and a device thereof are provided to detect an end point using a light division analyzing method, a concealing Markov model, and a Viterbi algorithm, thereby accurately detecting whether a plasma process is abnormal and accurately detecting a processing state. CONSTITUTION: A chamber(100) receives a holder(102). A layer made of SiO2 is formed on a wafer(104) arranged on the holder. A positive photo resist or a negative photo resist is formed on the layer. A photo resist layer has a fixed pattern. The photo resist layer is formed on the layer. A sensing unit(110) senses light which is generated during a reaction process.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理诊断系统，检测端点的方法及其装置，以使用光分割方法，隐马尔可夫模型和维特比算法来检测终点，由此精确检测 等离子体处理是否异常，并准确地检测处理状态。 构成：室（100）接收保持器（102）。 在设置在保持器上的晶片（104）上形成由SiO 2制成的层。 在该层上形成正光阻或负光刻胶。 光刻胶层具有固定图案。 在该层上形成光刻胶层。 感测单元（110）感测在反应过程中产生的光。