Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a flexible display device is provided to protect organic light emitting elements from oxygen and moisture by forming a hydrophobic layer between one barrier layer and one plastic film. CONSTITUTION: A first plastic film(111) and a first barrier layer(112) are successively formed on a first substrate. A thin film transistor is formed on the first barrier layer. A display device in electric connection with the thin film transistor is formed on the thin film transistor. An encapsulating material(150), in which a second substrate, a second plastic film, and a second barrier layer are successively formed, is combined on the upper side of the display device. The first substrate is separated from the first plastic film. The second substrate is separated from the second plastic film(152).
Abstract:
PURPOSE: A flexible display device and manufacturing method thereof are provided to enhance the flatness of a passivation film using an inorganic pixel defining film, thereby preventing the protection film from being separated from the passivation film. CONSTITUTION: A first electrode(131) is formed on a substrate(111). A thin inorganic pixel defining film(116) covers the first electrode on the substrate. A second electrode(133) is placed on the thin inorganic pixel defining film. An organic film layer(132) is interposed between a first electrode and a second electrode in an opening. A passivation film(700) is formed on the second electrode.
Abstract:
박막트랜지스터의 제조방법은, 기판을 형성하고, 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 게이트 전극을 형성하고, 기판 상에 게이트 절연막을 형성하고, 게이트 절연막 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 비정질 실리콘층 상에 열전달 희생층을 형성하고, 열전달 희생층 상에 레이저를 조사하여 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하고, 열전달 희생층의 일부 또는 전체를 제거하고, 다결정 실리콘층을 패터닝하여 반도체층으로 형성하고, 반도체층의 게이트 전극에 대응하는 부분의 일부와 연결되는 소스/드레인 전극을 형성하는 단계들을 포함한다. 고체레이저, 박막트랜지스터, 다결정 실리콘
Abstract:
본 발명은 채널 영역의 결정립의 크기를 크게할 수 있으며, 식각 공정시 반도체층의 채널 영역을 효율적으로 보호할 수 있으며, 공정 비용이 감소된 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다. 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 채널 영역, 소오스 영역, 및 드레인 영역을 포함하는 반도체층 패턴; 상기 반도체층 패턴의 채널 영역 상에 위치하며, 20 내지 60nm 두께의 식각 저지층 패턴; 상기 반도체층 패턴의 소오스/드레인 영역 상에 위치하는 소오스/드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다. 식각 저지층 패턴, 레이저
Abstract:
PURPOSE: A method and an apparatus for manufacturing an electronic device with a plastic substrate and the electronic device manufactured by the same are provided to prevent the plastic substrate from being separated from a stage by coating a material for forming the plastic substrate on a stage and hardening the coated material. CONSTITUTION: A plurality of island shaped separation smoothing units is arranged on a stage(110). A plastic substrate(121) is arranged on the stage. A device is formed on the plastic substrate. The plastic substrate is separated from the stage.
Abstract:
A flexible substrate, fabrication method of the same and thin film transistor using the same is provided to minimize the residual stress of the buffer layer by determining the coefficient of thermal expansion of the metallic substrate according to the property of the buffer layer. The metallic substrate(100) has the constant coefficient of thermal expansion. The buffer layer(110) is positioned in the one surface of the metallic substrate and consists of the silicon oxide film or the silicon nitride film. In case the buffer layer is the silicon oxide film, the coefficient of thermal expansion of the metallic substrate is 2.86ppm / °C to 1.48ppm / °C. In case the buffer layer is the silicon nitride film, the coefficient of thermal expansion of the metallic substrate is 3.19ppm / °C to 8.01ppm / °C. The semiconductor layer is located on the buffer layer, and includes the source and drain region and the channel region.
Abstract:
An apparatus for loading/unloading flexible substrate including pressurization unit and separation unit is provided to perform an excellent contacting in low temperature by heat-treating a flexible substrate and a support substrate. An apparatus for loading/unloading flexible substrate comprises a chamber(30), a lower chuck(10), an upper chuck(20), a pressurization unit(22), and a separation unit. The lower chuck is positioned at a bottom side within the chamber, and has a bottom heating unit(12) and a cooling line(11). The upper chuck is positioned at a top side of the lower chuck, and has a top heating unit(21). The pressurization unit is positioned on the upper chuck. The separation unit is corresponded to a junction side of a flexible substrate(14) and a support substrate(13) positioned between the upper chuck and the lower chuck.
Abstract:
유기 발광 표시 장치는 가요성 기판, 가요성 기판 상에 위치하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자를 사이에 두고 가요성 기판 상에 위치하며, 유기 발광 소자를 봉지하는 봉지 박막, 가요성 기판을 사이에 두고 유기 발광 소자와 대향하며, 가요성 기판과 접하는 열 전도층, 봉지 박막에 부착되어 있는 제1 필름 및 열 전도층에 부착되어 있는 제2 필름을 포함한다. 가요성 기판, 봉지 박막, 열 전도층