유기 발광 표시 장치
    1.
    发明授权
    유기 발광 표시 장치 有权
    有机发光显示器

    公开(公告)号:KR101074809B1

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:KR1020090129126

    申请日:2009-12-22

    Abstract: 유연성을용이하게향상할수 있도록, 본발명은기판, 상기기판상에배치되고, 활성층, 게이트전극, 게이트절연막, 소스및 드레인전극을구비하는박막트랜지스터, 상기소스전극또는상기드레인전극과전기적으로연결되는제1 전극, 상기제1 전극과대향하도록배치된제2 전극및 상기제1 전극과상기제2 전극사이에배치되고유기발광층을구비하는중간층을포함하고, 상기게이트절연막은상기게이트전극과상기활성층을절연하도록배치되고복수의이격된패턴부를구비하는유기발광표시장치를제공한다.

    Abstract translation: 栅电极,栅绝缘膜,具有源电极和漏电极的薄膜晶体管以及电连接到源电极或漏电极的栅电极, 第一电极,布置成面对第一电极的第二电极以及布置在第一电极和第二电极之间并具有有机发光层的中间层,其中栅极绝缘膜形成在栅极和有源层之间 并且多个间隔开的图案单元被布置为隔离有机发光显示装置。

    플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
    2.
    发明公开
    플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 有权
    制造柔性显示装置的方法

    公开(公告)号:KR1020110062382A

    公开(公告)日:2011-06-10

    申请号:KR1020090119095

    申请日:2009-12-03

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a flexible display device is provided to protect organic light emitting elements from oxygen and moisture by forming a hydrophobic layer between one barrier layer and one plastic film. CONSTITUTION: A first plastic film(111) and a first barrier layer(112) are successively formed on a first substrate. A thin film transistor is formed on the first barrier layer. A display device in electric connection with the thin film transistor is formed on the thin film transistor. An encapsulating material(150), in which a second substrate, a second plastic film, and a second barrier layer are successively formed, is combined on the upper side of the display device. The first substrate is separated from the first plastic film. The second substrate is separated from the second plastic film(152).

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造柔性显示装置的方法,通过在一个阻挡层和一个塑料膜之间形成疏水层来保护有机发光元件免受氧气和水分的影响。 构成:在第一基板上依次形成第一塑料膜(111)和第一阻挡层(112)。 在第一阻挡层上形成薄膜晶体管。 在薄膜晶体管上形成与薄膜晶体管电连接的显示装置。 连续形成第二基板,第二塑料膜和第二阻挡层的封装材料(150)组合在显示装置的上侧。 第一衬底与第一塑料膜分离。 第二基板与第二塑料膜(152)分离。

    플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조방법
    3.
    发明公开
    플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조방법 无效
    柔性显示装置及其方法

    公开(公告)号:KR1020110057985A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:KR1020090114633

    申请日:2009-11-25

    Abstract: PURPOSE: A flexible display device and manufacturing method thereof are provided to enhance the flatness of a passivation film using an inorganic pixel defining film, thereby preventing the protection film from being separated from the passivation film. CONSTITUTION: A first electrode(131) is formed on a substrate(111). A thin inorganic pixel defining film(116) covers the first electrode on the substrate. A second electrode(133) is placed on the thin inorganic pixel defining film. An organic film layer(132) is interposed between a first electrode and a second electrode in an opening. A passivation film(700) is formed on the second electrode.

    Abstract translation: 目的:提供柔性显示装置及其制造方法,以增强使用无机像素限定膜的钝化膜的平坦度,从而防止保护膜与钝化膜分离。 构成:在基板(111)上形成第一电极(131)。 薄无机像素限定膜(116)覆盖基板上的第一电极。 将第二电极(133)放置在薄无机像素限定膜上。 在开口中的第一电极和第二电极之间插入有机膜层(132)。 钝化膜(700)形成在第二电极上。

    박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는유기전계발광표시장치의 제조방법
    4.
    发明授权
    박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는유기전계발광표시장치의 제조방법 有权
    薄膜晶体管,其制造方法和有机发光装置包括它

    公开(公告)号:KR101015844B1

    公开(公告)日:2011-02-23

    申请号:KR1020080057922

    申请日:2008-06-19

    Inventor: 이재섭 김은현

    CPC classification number: H01L29/78678 H01L27/1285 H01L27/3262 H01L29/66757

    Abstract: 박막트랜지스터의 제조방법은, 기판을 형성하고, 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 게이트 전극을 형성하고, 기판 상에 게이트 절연막을 형성하고, 게이트 절연막 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 비정질 실리콘층 상에 열전달 희생층을 형성하고, 열전달 희생층 상에 레이저를 조사하여 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하고, 열전달 희생층의 일부 또는 전체를 제거하고, 다결정 실리콘층을 패터닝하여 반도체층으로 형성하고, 반도체층의 게이트 전극에 대응하는 부분의 일부와 연결되는 소스/드레인 전극을 형성하는 단계들을 포함한다.
    고체레이저, 박막트랜지스터, 다결정 실리콘

    박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
    5.
    发明授权
    박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치 失效
    薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置

    公开(公告)号:KR100982311B1

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:KR1020080048737

    申请日:2008-05-26

    Abstract: 본 발명은 채널 영역의 결정립의 크기를 크게할 수 있으며, 식각 공정시 반도체층의 채널 영역을 효율적으로 보호할 수 있으며, 공정 비용이 감소된 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
    본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 채널 영역, 소오스 영역, 및 드레인 영역을 포함하는 반도체층 패턴; 상기 반도체층 패턴의 채널 영역 상에 위치하며, 20 내지 60nm 두께의 식각 저지층 패턴; 상기 반도체층 패턴의 소오스/드레인 영역 상에 위치하는 소오스/드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
    식각 저지층 패턴, 레이저

    플렉서블 기판, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터
    7.
    发明公开
    플렉서블 기판, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터 有权
    柔性基板,其制造方法和使用该薄膜的薄膜晶体管

    公开(公告)号:KR1020090093375A

    公开(公告)日:2009-09-02

    申请号:KR1020080018873

    申请日:2008-02-29

    Abstract: A flexible substrate, fabrication method of the same and thin film transistor using the same is provided to minimize the residual stress of the buffer layer by determining the coefficient of thermal expansion of the metallic substrate according to the property of the buffer layer. The metallic substrate(100) has the constant coefficient of thermal expansion. The buffer layer(110) is positioned in the one surface of the metallic substrate and consists of the silicon oxide film or the silicon nitride film. In case the buffer layer is the silicon oxide film, the coefficient of thermal expansion of the metallic substrate is 2.86ppm / °C to 1.48ppm / °C. In case the buffer layer is the silicon nitride film, the coefficient of thermal expansion of the metallic substrate is 3.19ppm / °C to 8.01ppm / °C. The semiconductor layer is located on the buffer layer, and includes the source and drain region and the channel region.

    Abstract translation: 提供柔性基板,使用该基板的制造方法和使用其的薄膜晶体管,以通过根据缓冲层的性质确定金属基板的热膨胀系数来最小化缓冲层的残余应力。 金属基板(100)具有恒定的热膨胀系数。 缓冲层(110)位于金属基板的一个表面中,由氧化硅膜或氮化硅膜构成。 在缓冲层为氧化硅膜的情况下,金属基板的热膨胀系数为2.86ppm /℃至1.48ppm /℃。 在缓冲层为氮化硅膜的情况下,金属基板的热膨胀系数为3.19ppm /℃至8.01ppm /℃。 半导体层位于缓冲层上,并且包括源区和漏区以及沟道区。

    플렉서블 기판 접합 및 탈착장치
    8.
    发明公开
    플렉서블 기판 접합 및 탈착장치 有权
    柔性基板接合装置和脱扣装置

    公开(公告)号:KR1020080110147A

    公开(公告)日:2008-12-18

    申请号:KR1020070058528

    申请日:2007-06-14

    Abstract: An apparatus for loading/unloading flexible substrate including pressurization unit and separation unit is provided to perform an excellent contacting in low temperature by heat-treating a flexible substrate and a support substrate. An apparatus for loading/unloading flexible substrate comprises a chamber(30), a lower chuck(10), an upper chuck(20), a pressurization unit(22), and a separation unit. The lower chuck is positioned at a bottom side within the chamber, and has a bottom heating unit(12) and a cooling line(11). The upper chuck is positioned at a top side of the lower chuck, and has a top heating unit(21). The pressurization unit is positioned on the upper chuck. The separation unit is corresponded to a junction side of a flexible substrate(14) and a support substrate(13) positioned between the upper chuck and the lower chuck.

    Abstract translation: 提供一种用于装载/卸载包括加压单元和分离单元的柔性基板的装置,以通过热处理柔性基板和支撑基板来实现低温下的良好接触。 用于装载/卸载柔性基板的装置包括一个室(30),一个下卡盘(10),一个上卡盘(20),一个加压单元(22)和一个分离单元。 下卡盘位于室内的底侧,并具有底部加热单元(12)和冷却管线(11)。 上卡盘位于下卡盘的顶侧,并具有顶部加热单元(21)。 加压单元位于上夹盘上。 分离单元对应于位于上卡盘和下卡盘之间的柔性基板(14)和支撑基板(13)的接合侧。

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