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公开(公告)号：KR1020110072269A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090129126
申请日：2009-12-22
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , G09G3/3225 , G09G2300/0443 , H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L27/1214 , H01L27/1237
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device is provided to improve the flexibility of the organic light emitting display device by forming a gate insulation layer with a plurality of separated pattern units not to be overlapped with an intermediate layer. CONSTITUTION: A thin film transistor is arranged on a substrate. A thin film transistor includes an active layer, a gate electrode(103), a gate insulation layer, and source and drain electrodes. A first electrode(110) is electrically connected to the source electrode or drain electrode. The second electrode faces the first electrode. An intermediate layer(112) is arranged between the first electrode and the second electrode and includes an organic light emitting layer. The gate insulation layer includes a plurality of separated pattern units and insulates the gate electrode and the active layer.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置，通过形成具有不与中间层重叠的多个分离图案单元的栅绝缘层来提高有机发光显示装置的柔性。 构成：薄膜晶体管布置在基板上。 薄膜晶体管包括有源层，栅极（103），栅极绝缘层以及源极和漏极。 第一电极（110）电连接到源电极或漏电极。 第二电极面对第一电极。 中间层（112）布置在第一电极和第二电极之间，并且包括有机发光层。 栅极绝缘层包括多个分离的图案单元，并且使栅电极和有源层绝缘。
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公开(公告)号：KR101082174B1
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：KR1020090115722
申请日：2009-11-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3276
Abstract: 본발명은유기전계발광표시장치및 그의제조방법에관한것으로, 유기전계발광표시장치는기판상에형성된절연층, 절연층상에산화물반도체로형성된저항층, 저항층의양 측부에연결된배선층, 저항층및 배선층을포함하는상부에형성된유기층, 및저항층과중첩되도록유기층상에형성된캡핑층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110049125A
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：KR1020090105985
申请日：2009-11-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/56 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1225 , H01L27/3265 , H01L27/1255
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an organic light emitting display device is provided to use a relatively thin gate insulating layer in a capacitor, thereby increasing the capacity of the capacitor by a unit area. CONSTITUTION: A first insulating layer is formed on an organic light emitting display device including a gate electrode and a lower electrode. A second insulating layer(20) is formed on the organic light emitting display device including an active layer and an upper electrode. A third insulating layer is formed on the organic light emitting display device including a source electrode and a drain electrode. The third insulating layer is patterned to expose the source electrode and the drain electrode. The organic light emitting display device is cleaned by a cleaning solution including hydrogen. An anode electrode(28) is connected to the source electrode and the drain electrode on the third insulating layer. A cathode electrode(34) is formed on an organic light emitting layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造有机发光显示装置的方法，以在电容器中使用相对薄的栅极绝缘层，从而将电容器的容量增加到单位面积。 构成：在包括栅电极和下电极的有机发光显示装置上形成第一绝缘层。 在包括有源层和上电极的有机发光显示装置上形成第二绝缘层（20）。 在包括源电极和漏电极的有机发光显示装置上形成第三绝缘层。 图案化第三绝缘层以暴露源电极和漏电极。 有机发光显示装置由包括氢的清洗液清洗。 阳极电极（28）连接到第三绝缘层上的源电极和漏电极。 阴极电极（34）形成在有机发光层上。
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公开(公告)号：KR101097344B1
公开(公告)日：2011-12-23
申请号：KR1020100021017
申请日：2010-03-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1218 , H01L27/1292 , H01L2251/566
Abstract: 박막트랜지스터등을구비한디스플레이부의커팅(cutting)이용이한플렉서블디스플레이장치의제조방법을제공하기위하여, 본발명은복수개의함몰부들이형성된제1 기판을구비하는단계; 상기각각의함몰부내에제1 플라스틱필름을형성하는단계; 상기각각의제1 플라스틱필름상에박막트랜지스터를형성하는단계; 상기각각의박막트랜지스터상에상기박막트랜지스터와전기적으로연결되는디스플레이소자를형성하는단계; 상기디스플레이소자상부를봉지(encapsulation) 하는단계; 상기제1 기판을커팅(cutting) 하는단계; 및상기제1 기판을상기제1 플라스틱필름으로부터분리시키는단계;를포함하는플렉서블디스플레이장치의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101073272B1
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：KR1020090105985
申请日：2009-11-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/56 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1225 , H01L27/3265
Abstract: 본발명은박막트랜지스터및 캐패시터를포함하는유기전계발광표시장치의제조방법에관한것으로, 기판상에게이트전극및 하부전극을형성하는단계, 게이트전극및 하부전극을포함하는상부에제 1 절연층을형성하는단계, 게이트전극상부의제 1 절연층상에산화물반도체로활성층을형성하고, 하부전극상부의제 1 절연층상에산화물반도체로상부전극을형성하는단계, 활성층및 상부전극을포함하는상부에제 2 절연층을형성하는단계, 제 2 절연층상에활성층과연결되는소스전극및 드레인전극을형성하는단계, 소스전극및 드레인전극을포함하는상부에유기물로제 3 절연층을형성하는단계, 제 3 절연층을패터닝하여소스전극또는드레인전극을노출시키는단계, 수소(H)를포함하는세정액으로세정하는단계, 제 3 절연층상에소스전극또는드레인전극과연결되는애노드전극을형성하는단계, 애노드전극을포함하는상부에화소정의막을형성한후 발광영역의애노드전극을노출시키는단계, 노출된애노드전극상에유기발광층을형성하는단계, 및유기발광층상에캐소드전극을형성하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100873082B1
公开(公告)日：2008-12-09
申请号：KR1020070052726
申请日：2007-05-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H05B33/04
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L51/5256
Abstract: 본 발명은 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 형성되며 제 1 전극, 유기 박막층 및 제 2 전극으로 이루어진 유기전계발광 소자, 유기전계발광 소자 상에 굴절율이 서로 다른 제 1 물질 및 제 2 물질의 적층 구조로 형성된 반사막 및 유기전계발광 소자가 밀봉되도록 유기막과 무기막의 적층 구조로 형성된 봉지막을 포함한다. 유기전계발광 소자 상부에 굴절율이 낮은 물질과 굴절율이 높은 물질을 적층하여 반사막을 형성함으로써 박막 봉지 구조를 위해 유기막을 경화시키는 과정에서 유기전계발광 소자로 자외선이 조사되지 않는다.
유기전계발광 소자, 박막 봉지, 자외선, 굴절율, 반사막-
公开(公告)号：KR1020080105308A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020070052726
申请日：2007-05-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H05B33/04
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L51/5256
Abstract: An organic light emitting display device and method of manufacturing the same is provided to prevent electrical characteristic change of the organic electro luminescence device by ultraviolet ray. In organic light emitting display device and method of manufacturing the same, an organic electro luminescence device is composed of a first electrode, an organic thin film layer, and the second electrode. A reflective film(124) is formed by laminating a first material and a second material having different refractive indexes. A sealing film(126) is formed by laminating the structure of an inorganic film and organic film so that the organic electro luminescence device be sealed up.
Abstract translation: 提供一种有机发光显示装置及其制造方法，以防止有机电致发光装置的紫外线的电特性变化。 在有机发光显示装置及其制造方法中，有机电致发光元件由第一电极，有机薄膜层和第二电极构成。 通过层压具有不同折射率的第一材料和第二材料形成反射膜（124）。 通过层叠无机膜和有机膜的结构，使有机电致发光元件被密封而形成密封膜126。
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公开(公告)号：KR1020110101774A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020100021017
申请日：2010-03-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1218 , H01L27/1292 , H01L2251/566 , H01L51/56 , H01L27/32 , H01L51/5237 , H01L2251/56
Abstract: 박막 트랜지스터 등을 구비한 디스플레이부의 커팅(cutting)이 용이한 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공하기 위하여, 본 발명은 복수 개의 함몰부들이 형성된 제1 기판을 구비하는 단계; 상기 각각의 함몰부 내에 제1 플라스틱 필름을 형성하는 단계; 상기 각각의 제1 플라스틱 필름상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 각각의 박막 트랜지스터 상에 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 디스플레이 소자를 형성하는 단계; 상기 디스플레이 소자 상부를 봉지(encapsulation) 하는 단계; 상기 제1 기판을 커팅(cutting) 하는 단계; 및 상기 제1 기판을 상기 제1 플라스틱 필름으로부터 분리시키는 단계;를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101065318B1
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020090119095
申请日：2009-12-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L51/003 , G02F1/133305 , H01L27/3244 , H01L51/524 , H01L51/56 , H01L2251/5338
Abstract: 본 발명은 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 박막 트랜지스터 등을 구비한 디스플레이부의 봉지(encapsulation)가 용이한 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 제1 기판상에 제1 플라스틱 필름 및 제1 배리어층을 차례로 형성하는 단계; 상기 제1 배리어층상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터 상에 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 디스플레이 소자를 형성하는 단계; 제2 기판, 제2 플라스틱 필름 및 제2 배리어층이 차례로 적층된 봉지 부재를 형성하는 단계; 상기 봉지 부재를 상기 디스플레이 소자 상부에 결합하는 단계; 상기 제1 기판을 상기 제1 플라스틱 필름으로부터 분리시키는 단계; 및 상기 제2 기판을 상기 제2 플라스틱 필름으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공한다.Abstract translation: 本发明涉及一种制造柔性显示装置，并且更具体地，涉及制造柔性显示装置的方法的方法，所述显示部是具有薄膜晶体管等容易密封（封装）。
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公开(公告)号：KR101056431B1
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020100052865
申请日：2010-06-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50 , G02F1/13
CPC classification number: H01L27/127 , G02F1/133351 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L51/003 , H01L2251/5338
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a display device using the same and a manufacturing method thereof are provided to supply a thin film transistor which is manufactured with a relatively low temperature process. CONSTITUTION: A semiconductor layer is located on the body of a substrate(111) and is formed with a polycrystal silicon film which has 2000 ohm/sq to 8000 ohm/sq of surface resistance. A source electrode(176) and a drain electrode(177) are respectively touched with the semiconductor layer and formed with a material which has 350 ohm to 2000 ohm of resistance.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，使用该薄膜晶体管的显示装置及其制造方法，以提供以较低温度工艺制造的薄膜晶体管。 构成：半导体层位于基板（111）的主体上，并且形成有具有2000欧姆/平方至8000欧姆/平方的表面电阻的多晶硅膜。 源电极（176）和漏电极（177）分别与半导体层接触并形成有具有350欧姆至2000欧姆电阻的材料。
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