公开(公告)号：KR100993416B1

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：KR1020090004549

申请日：2009-01-20

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김민규 ,  박진성 ,  안태경 ,  정현중

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 산화물 반도체로 형성된 활성층, 활성층 상에 산화물 반도체와 20 내지 100 : 1의 식각 선택비를 갖는 유전체로 형성된 게이트 절연층, 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극을 포함하는 상부에 형성되며 게이트 전극 양측의 활성층이 노출되도록 콘택홀이 형성된 절연층 및 콘택홀을 통해 활성층과 연결된 소스 및 드레인 전극을 포함한다. 소스 및 드레인 전극이 게이트 전극과 중첩되지 않기 때문에 소스 및 드레인 전극과 게이트 전극 사이의 기생 캐패시턴스(parasitic capacitance)가 최소화되고, 게이트 절연층이 산화물 반도체와의 식각 선택비가 높은 유전체로 형성되기 때문에 활성층의 피해가 발생되지 않는다.
산화물 반도체, 전극, 기생 캐패시턴스, 식각 선택비, 유전체

公开(公告)号：KR1020100055862A

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：KR1020080114748

申请日：2008-11-18

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김태웅 ,  진동언 ,  정현중 ,  이재섭 ,  모연곤

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/687 ,  G02F1/13

CPC classification number: B32B37/025 ,  B32B38/0004 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2379/08 ,  B32B2457/206 ,  G02F2001/13613 ,  H01L27/1218 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  Y10T428/24612

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for manufacturing an electronic device with a plastic substrate and the electronic device manufactured by the same are provided to prevent the plastic substrate from being separated from a stage by coating a material for forming the plastic substrate on a stage and hardening the coated material. CONSTITUTION: A plurality of island shaped separation smoothing units is arranged on a stage(110). A plastic substrate(121) is arranged on the stage. A device is formed on the plastic substrate. The plastic substrate is separated from the stage.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有塑料基板的电子设备和由其制造的电子设备的方法和设备，以防止塑料基板通过在台面上涂覆用于形成塑料基板的材料而与台架分离，并且 硬化涂层材料。 构成：多个岛形分离平滑单元设置在台架（110）上。 塑料基板（121）布置在平台上。 在塑料基板上形成装置。 塑料基材与载物台分离。

公开(公告)号：KR101048996B1

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：KR1020090002243

申请日：2009-01-12

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박진성 ,  모연곤 ,  정재경 ,  김민규 ,  정현중 ,  안태경 ,  김은현

IPC: H01L21/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/45

Abstract: An oxide semiconductor thin film transistor and a flat panel display device incorporating the same oxide semiconductor thin film transistor. The thin film transistor includes a gate electrode formed on the substrate, a gate insulating layer formed on the substrate and covering the gate electrode, an oxide semiconductor layer formed on the gate insulating layer and covering the gate electrode, a titanium layer formed in a source region and a drain region of the oxide semiconductor layer, and source and drain electrodes respectively coupled to the source region and the drain region through the titanium layer and made of copper. The titanium layer reduces the contact resistance between the source and drain electrodes made of copper and the oxide semiconductor layer, forms a stable interface junction therebetween, and blocks a diffusion of copper.

公开(公告)号：KR1020100002503A

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：KR1020080062417

申请日：2008-06-30

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김민규 ,  정종한 ,  안태경 ,  정재경 ,  모연곤 ,  박진성 ,  정현중 ,  김광숙 ,  양희원

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66742

Abstract: PURPOSE: A flat panel display for including a thin film transistor, a manufacturing method thereof and a thin film transistor are provided to physically control the charge trapping and the active layer protected at the same time. CONSTITUTION: A source electrode and a drain electrode are formed on a substrate. A part of an activation layer(13) is overlapped with the source/drain electrode. The active layer is included of the oxide semiconductor. A gate electrode is insulated on a gate insulating layer. An interface stabilization layer(14) is formed in the upper side and lower surface of the active layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于包括薄膜晶体管的平板显示器，其制造方法和薄膜晶体管，以物理地控制同时保护的电荷俘获和有源层。 构成：在基板上形成源电极和漏电极。 活化层（13）的一部分与源/漏电极重叠。 活性层包括氧化物半导体。 栅电极在栅极绝缘层上绝缘。 界面稳定层（14）形成在有源层的上侧和下表面。

公开(公告)号：KR101064442B1

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：KR1020090077485

申请日：2009-08-21

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 양희원 ,  모연곤 ,  박진성 ,  김민규 ,  안태경 ,  정현중

IPC: H01L51/50 ,  G09G3/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276

Abstract: 본 발명은 제 1산화물 반도체층을 활성층으로 이용하는 산화물 박막트랜지스터가 구비되는 액티브 매트릭스 방식의 유기전계 발광 표시장치에 있어서, 주사선과 이와 중첩되는 데이터선 사이 영역에 상기 제 1산화물 반도체층과 분리된 제 2산화물 반도체층이 형성됨으로써, 주사선과 데이터선 사이의 중첩 부분에서 생성되는 기생 캐패시턴스를 감소시키는 유기전계 발광 표시장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치는, 제 1방향으로 배열되는 다수의 주사선들과; 상기 다수의 주사선들과 교차되는 제 2방향으로 배열되는 다수의 데이터선들과; 상기 데이터선들 및 주사선들의 교차부마다 위치되며, 복수의 박막트랜지스터 및 유기발광소자를 포함하는 화소들이 포함되고, 상기 각 화소에 포함되는 박막트랜지스터는 제 1산화물 반도체층을 활성층으로 이용하는 산화물 박막트랜지스터이며, 상기 주사선들과 데이터선들의 서로 교차되어 중첩되는 부분에 대하여 상기 주사선과 데이터선 사이 영역에 상기 제 1산화물 반도체층과 분리된 제 2산화물 반도체층이 형성됨을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101034686B1

公开(公告)日：2011-05-16

申请号：KR1020090002242

申请日：2009-01-12

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박진성 ,  모연곤 ,  정현중 ,  정재경 ,  김민규 ,  안태경

IPC: H05B33/08 ,  H05B33/26 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L2251/305

Abstract: 본 발명은 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 유기전계발광 표시 장치는 활성층이 제 1 산화물 반도체층과 제 2 산화물 반도체층의 적층 구조로 이루어진 구동부 박막 트랜지스터, 활성층이 상기 제 2 산화물 반도체층으로 이루어진 화소부 박막 트랜지스터, 및 화소부 박막 트랜지스터와 연결된 유기전계발광 다이오드를 포함한다. 구동부 박막 트랜지스터는 채널이 제 2 산화물 반도체층보다 케리어 농도가 높은 제 1 산화물 반도체층에 형성되기 때문에 높은 전하 이동도를 가지며, 화소부 박막 트랜지스터는 채널이 제 2 산화물 반도체층에 형성되기 때문에 안정적이고 균일한 특성을 가진다.
구동부, 박막 트랜지스터, 활성층, 산화물 반도체층, 전하 이동도

公开(公告)号：KR101009415B1

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：KR1020080114748

申请日：2008-11-18

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김태웅 ,  진동언 ,  정현중 ,  이재섭 ,  모연곤

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/687 ,  G02F1/13

CPC classification number: B32B37/025 ,  B32B38/0004 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2379/08 ,  B32B2457/206 ,  G02F2001/13613 ,  H01L27/1218 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  Y10T428/24612

Abstract: 본 발명은 제조과정에서 플라스틱 기판을 구비하는 전자장치를 스테이지로부터 이탈시킬 시의 용이성을 극대화시킨 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치를 위하여, (a) 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부들이 배치된 스테이지를 준비하는 단계와, (b) 상기 스테이지 상에 플라스틱 기판을 배치시키는 단계와, (c) 상기 플라스틱 기판 상에 소자를 형성하는 단계와, (d) 상기 플라스틱 기판을 상기 스테이지로부터 이탈시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020100085331A

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：KR1020090004549

申请日：2009-01-20

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김민규 ,  박진성 ,  안태경 ,  정현중

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4908

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, a flat panel displaying device including the transistor are provided to prevent the generation of cross-talk by minimizing parasitic capacitance between a source-drain electrode and a gate electrode. CONSTITUTION: A buffer layer(11) is formed on a substrate(10). An active layer(12), which is composed of an oxide semiconductor, is formed on the buffer layer. A gate insulating layer(13) is formed on the active layer. A gate electrode(14) is formed on the gate insulating layer. A contact hole is formed to expose the active layer on both sides of the gate electrode. A source-drain electrode is connected with the active layer through the contact hole.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法，包括晶体管的平板显示装置，以通过最小化源 - 漏电极和栅电极之间的寄生电容来防止串扰的产生。 构成：在衬底（10）上形成缓冲层（11）。 在缓冲层上形成由氧化物半导体构成的有源层（12）。 在有源层上形成栅极绝缘层（13）。 栅电极（14）形成在栅极绝缘层上。 形成接触孔以露出栅电极两侧的有源层。 源漏电极通过接触孔与有源层连接。

公开(公告)号：KR1020100082940A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：KR1020090002242

申请日：2009-01-12

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박진성 ,  모연곤 ,  정현중 ,  정재경 ,  김민규 ,  안태경

IPC: H05B33/08 ,  H05B33/26 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L2251/305 ,  H01L27/1225

Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to obtain high charge mobility by forming a channel on a first oxide semiconductor layer with carrier concentration higher than that of a second oxide semiconductor layer. CONSTITUTION: A substrate(100) comprises a first region and a second region. A first thin film transistor comprises a gate electrode(111) which is formed on the substrate of the first region, an active layer(112) formed into the laminated structure of the first and the second oxide semiconductor layers, and a source/drain electrode(113). The carrier concentration of the first oxide semiconductor layer is greater than that of the second oxide semiconductor layer. A second thin film transistor comprises a gate electrode(121) formed on the substrate of the second region, an active layer(122), and a source/drain electrode(123). An insulating layer(103) has a via hole which exposes the source or the drain electrode of the second thin film transistor. An organic electroluminescent diode(130) comprises a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法，以通过在第一氧化物半导体层上形成具有高于第二氧化物半导体层的载流子浓度的沟道来获得高的电荷迁移率。 构成：衬底（100）包括第一区域和第二区域。 第一薄膜晶体管包括形成在第一区域的基板上的栅电极（111），形成在第一和第二氧化物半导体层的层叠结构中的有源层（112），以及源极/漏极 （113）。 第一氧化物半导体层的载流子浓度大于第二氧化物半导体层的载流子浓度。 第二薄膜晶体管包括形成在第二区域的衬底上的栅极（121），有源层（122）和源极/漏极（123）。 绝缘层（103）具有露出第二薄膜晶体管的源极或漏极的通孔。 有机电致发光二极管（130）包括第一电极，有机发光层和第二电极。

公开(公告)号：KR1020100005900A

公开(公告)日：2010-01-18

申请号：KR1020080066002

申请日：2008-07-08

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 하재흥 ,  송영우 ,  이종혁 ,  정종한 ,  김민규 ,  모연곤 ,  정재경 ,  정현중 ,  김광숙 ,  양희원 ,  최천기

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor forming a protective layer is provided to prevent the degradation of the electrical characteristic of the thin film transistor due to the damage of the active layer by forming the protective layer on the top of the active layer into the inorganic oxide. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on the substrate(10). An active layer(14) is insulated to the gate electrode by gate insulating layer(13). The active layer is comprised of the compound semiconductor. The compound semiconductor comprises the oxygen. A protective layer(15) is formed in the top of the active layer. A source electrode(16a) and drain electrode(16b) are touched with the active layer. The protective layer is comprised of the oxide. The oxide includes the inorganic material. The inorganic material has the coherence with the oxygen. One or more ion can be doped in the compound semiconductor.

Abstract translation: 目的：提供形成保护层的薄膜晶体管，以通过在有源层的顶部形成保护层而形成无机氧化物，以防止由于有源层的损坏导致的薄膜晶体管的电特性的劣化。 构成：在基板（10）上形成栅电极（12）。 有源层（14）通过栅极绝缘层（13）与栅电极绝缘。 有源层由化合物半导体构成。 化合物半导体包括氧气。 在有源层的顶部形成保护层（15）。 源极电极（16a）和漏电极（16b）与有源层接触。 保护层由氧化物构成。 氧化物包括无机材料。 无机材料与氧气具有一致性。 可以在化合物半导体中掺杂一种或多种离子。